中电科二所在碳化硅激光剥离技术方面取得进展
日前，中国电子科技集团公司第二研究所宣布碳化硅激光剥离设备研发项目通过专家评审论证，正式立项、启动。 碳化硅半导体材料具有宽禁带、高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、化学性能稳定等优点，对电动汽车、高压输变电、轨道交通、通讯基站、卫星通讯、国防军工等领域的发展有重要意义。然而，碳化硅材料硬度与金刚石相近，现有的衬底加工工艺切割速度慢、晶体与切割线损耗大，每完成一片350μm厚的标准晶圆加工，就会因线锯切割造成厚度约300μm的材料损失，大幅增加了衬底的成本，导致单晶衬底材料价格高昂，约占碳化硅器件成本50%，限制了碳化硅半导体器件的广泛应用。 激光垂直改质剥离设备被誉为“第三代半导体中的光刻机”，其革命性地利用光学非线性效应，使激光穿透晶体，在晶体内部发生热致开裂、化学键断裂与分解、激光诱导电离等一系列物理化学过程，形成垂直于激光入射方向的改质层，最终实现晶片的剥离。激光剥离几乎可完全避免常规的多线切割技术导致的切......阅读全文
碳化硅半导体封装核心技术分析——银烧结技术
随着电子产业的发展，电子产品正在向着质量轻、厚度薄、体积小、功耗低、功能复杂、可靠性高这一方向发展。这就要求功率模块在瞬态和稳态情况下都要有良好的导热导电性能以及可靠性。功率模块的体积缩小会引起模块和芯片电流、接线端电压以及输入功率的增大，从而增加了热能的散失，由此带来了一些了问题如温度漂移等
兰州化物所碳化硅表面双层碳膜制备研究取得进展
双层碳膜形成机制图 近日，中国科学院兰州化学物理研究所先进润滑与防护材料研究发展中心在四氯化碳气氛下碳化硅表面双层碳膜制备方面取得了新进展。 研究人员以四氯化碳为氯气源和碳源，通过碳化物衍生碳（CDC）过程和化学气相沉积（CVD）法，成功地在碳化硅表面制备出了双层碳膜。该双层碳膜
宁波材料所高品质碳化硅陶瓷先驱体研制获进展
碳化硅（SiC）陶瓷具有耐高温、耐磨损、耐腐蚀、耐辐照、抗氧化、热膨胀率小和热导率高等优异的综合性能，在航空航天、核电、高速机车、武器装备等关键领域具有重要的应用价值。SiC陶瓷因其极高的热稳定性和强度，成型加工困难。 目前，国际上陶瓷材料的制备主要采用传统的粉末成型方法，包括微粉制备、成型（
天科合达成为英飞凌国产碳化硅材料供应商
5月3日，北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称天科合达）与英飞凌公司签订了一份长期供货协议，天科合达将为英飞凌供应用于生产碳化硅（SiC）半导体的6英寸碳化硅材料，其供应量占英飞凌未来长期预测需求的两位数份额。据悉，天科合达孵化于中国科学院物理研究所（以下简称物理所），英飞凌公司前身是西门子集团
使用碳化硅－MOSFET－提升工业驱动器的能源效（三）
图8：100％扭力电流下每个开关的功率耗损图8则是在100％扭力电流下以同样方式进行比较。功率耗损分为开关（传导和切换）和反平行二极体，以找出主要差别。和硅基IGBT相比，碳化硅MOSFET解决方案很明显可大幅降低整体功率损耗。有这样的结果是因为无论静态和动态状况下，不分开关或二极体，功率耗损都会减
物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底
碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外，由于SiC和氮化镓（GaN）的晶格失配小，SiC单晶是GaN基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材
使用碳化硅－MOSFET－提升工业驱动器的能源效（一）
摘要由于电动马达佔工业大部分的耗电量，工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此，半导体製造商必须花费大量心神，来强化转换器阶段所使用功率元件之效能。意法半导体（ST）最新的碳化硅金属氧化物半导体场效电晶体（SiC MOSFET）技术，为电力切换领域立下全新的效能标准。本文将强调出无论就能源效率、
6英寸碳化硅单晶衬底研制成功
近日，中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室（筹）先进材料与结构分析实验室团队人员与北京天科合达蓝光半导体有限公司合作，成功研制出了6英寸碳化硅（SiC）单晶衬底。 据悉，碳化硅属于第三代半导体材料，是制造高亮度LED、电力电子功率器件以及射频微波器件的理想衬底。 上图 科研人员在
使用碳化硅－MOSFET－提升工业驱动器的能源效（二）
3．静态与动态效能以下将比较两种技术的静态和动态特质，设定条件为一般运作，接面温度TJ ＝ 110 °C。图5为两种元件的输出静态电流电压特性曲线（V－I curves）。两相比较可看出无论何种状况下碳化硅MOSFET的优势都大幅领先，因为它的电压呈现线性向前下降。即使碳化硅MOSFET必须要有VG
国内首套碳化硅材继电保护检查装置投入使用
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/3/497460.shtm 科技日报石家庄3月30日电 （实习记者陈汝健 通讯员刘清泉 李泽）在河北保定市220千伏司仓变电站，随着技术人员将试验电源缓缓降低至零，该站中低压二次回路向量检查试验圆满完成，标
宁波材料所制备出新型碳化硅陶瓷致密化烧结助剂
碳化硅陶瓷作为现代工程陶瓷之一，其硬度仅次于金刚石，具有热膨胀系数小、热导率高、化学稳定性好、耐磨性能高、在高温下仍具有良好力学性能和抗氧化性能等突出的物理化学性质，成为最具发展前景的结构陶瓷，可以广泛应用于石油化工、冶金机械、微电子器件和航空航天等领域。同时，SiC还具有低的中子活性、良好的耐
LAICPMS法测定碳化硅器件中杂质元素
1引言 碳化硅（SiC）陶瓷具有高温强度大、硬度高、耐腐蚀性强、热稳定性佳、耐磨性好等优良特性，在许多领域得到广泛应用。痕量元素的含量及分布对碳化硅材料的性能有很大影响[1]，因此测定碳化硅中微量元素对控制其质量具有重要意义。添加氧化铝和氧化钇的碳化硅经 2000 ℃烧结后器件，具有尺寸大、
宁波材料所制备出新型碳化硅陶瓷致密化烧结助剂
碳化硅陶瓷作为现代工程陶瓷之一，其硬度仅次于金刚石，具有热膨胀系数小、热导率高、化学稳定性好、耐磨性能高、在高温下仍具有良好力学性能和抗氧化性能等突出的物理化学性质，成为最具发展前景的结构陶瓷，可以广泛应用于石油化工、冶金机械、微电子器件和航空航天等领域。同时，SiC还具有低的中子活性、良好的耐
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（一）
全球有40%的能量作为电能被消耗了, 而电能转换最大耗散是半导体功率器件。我国作为世界能源消费大国, 如何在功率电子方面减小能源消耗成了一个关键的技术难题。伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅和氮化镓为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。 早在1893年诺贝尔奖获得者法国化
宁波材料所在碳化硅复合材料绿色低成本技术取得进展
先驱体转化碳化硅陶瓷基复合材料（CMCs）主要应用于制备具有耐高温、抗氧化、耐磨性好、热膨胀率小、导电导热性好、硬度高和耐腐蚀等优异性能的，并可近净尺寸成型的高性能陶瓷材料和纤维增强陶瓷基复合材料；目前已被广泛应用于高端科技与国防军事领域，如空间遥感成像光学系统轻量化支撑结构件、航空航天发动机热
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（四）
想要电动机启动，可不是合上闸这么简单。想要实现远程控制和多点控制，需要做的还有很多。本文列举几个最基本的电动机控制回路，除了在生产中的机械控制需要用到外，在设计PLC电路时，这些也是必备单元。 本文将由易到难逐一讲解。 电动机控制回路常用元件 按钮▼ 按钮分为启动按钮、停止按
上海硅酸盐所碳化硅陶瓷增材制造研究获进展
碳化硅（SiC）陶瓷结构件在各类新应用场景的需求逐渐增多。例如，核工业领域的大尺寸复杂形状SiC陶瓷核反应堆芯；集成电路制造关键装备光刻机的SiC陶瓷工件台、导轨、反射镜、陶瓷吸盘、手臂等；新能源锂电池生产配套的中高端精密SiC陶瓷结构件；光伏行业生产用扩散炉配套高端精密SiC陶瓷结构件和电子半
兰州化物所钛碳化硅摩擦腐蚀性能研究获新进展
钛碳化硅/氮化硅摩擦副在干摩擦、蒸馏水、稀硫酸和浓硫酸溶液中的摩擦磨损性能：(a) 平均摩擦系数, (b) 摩擦系数随时间变化而变化, (c) 钛碳化硅的磨损率，(d) 氮化硅球的磨损率。 中科院兰州化学物理研究所金属基高温润滑材料组研究人员考察了钛碳化硅在稀硫酸和浓硫酸溶液中
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（三）
SiC的高压肖特基二极管应该是在几年内在轨道交通中得到引用。而开关管的应用需要更长的系统评估。中车和国网在这方面的持续投入研发为SiC功率器件研究打下了深厚的基础，是国家第三代半导体器件发展的中坚力量。 现在大家讲第三代半导体产业往往关注于电力电子器件和射频器件的市场，其实第三代半导体
分析碳化硅肖特基二极管在电源中的应用
主动PFC有两种通用模式：使用三角形和梯形电流波形的不连续电流模式(DCM)和连续电流模式(CCM)。DCM模式一般用于输出功率在75W到300W之间的应用;CCM模式用于输出功率大于300W的应用。当输出功率超过250W时，PFC具有成本效益，因为其它方面(比如效率)得到了补偿性的提高，因此
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（二）
最近接连有消息报道，在美国和欧洲，氮化镓和碳化硅技术除了在军用雷达领域和航天工程领域得到了应用，在电力电子器件市场也有越来越广泛的渗透。氮化镓/碳化硅技术与传统的硅技术相比，有哪些独特优势？ 大家最近都在谈论摩尔定律什么时候终结？硅作为半导体的主要材料在摩尔定律的规律下已经走过了50多
2024第21届北京国际碳化硅与加工设备展览会
2024年第二十一届中国国际半导体博览会（IC CHINA）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）作为中国半导体行业协会主办的唯一展览会，自 2003 年起已连
美科学家将农业“弃儿”转化成“工业宠儿”碳化硅
全球每年要产生数量庞大的农业废弃物，如何挖掘这些废弃物中的资源？美国海军研究实验室的科研人员正在想办法将其转化为高价值的碳化硅，后者可以用于多种电子设备和结构应用。 通常来说，人们认为像谷壳、玉米秸秆、高粱叶子、小麦壳、花生壳这样的农业废弃物没什么价值，经常将其重新放回土地；有时则是一烧了之，
碳化硅场效应器件的模型及关键工艺技术研究
新型宽禁带半导体材料SiC兼有高饱和电子漂移速度、高击穿电场、高热导率等特点,在高温、大功率、高频、光电子、抗辐射等领域具有广阔的应用前景。作为最重要的SiC器件,SiC场效应器件(主要指SiC金属—半导体场效应晶体管,MESFET和金属—氧化物—半导体场效应晶体管,MOSFET)以及基于MOS技术
我国研制成功四米口径碳化硅反射镜坯
4月27日，制造团队成员与反射镜坯合影。新华社记者张楠摄 4月27日，两名工作人员在清理反射镜坯。新华社记者张楠摄 近日，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所（简称长春光机所）成功自主研制出直径4.03米的单体碳化硅反射镜坯，将其应用于望远镜或卫星上成像，将大大提高分辨率。现代大型光学望
选择性地从钛碳化硅蚀刻出硅来获得碳化钛薄片
MXenes金属具有导电性和亲水性，所以它们是可充电电池和超级电容器中电极的不二选择，在其他方面也广泛应用，如光热癌症治疗、电磁屏蔽、水净化和气体感应。在Angewandte Chemie杂志中，研究人员推出了一种新的生产方法。抛开传统的、昂贵的钛碳化铝，选择性地从钛碳化硅（一种更廉
我国科研团队在碳化硅集成光量子纠缠器件领域取得新突破
记者从哈尔滨工业大学（深圳）获悉，该校集成电路学院教授宋清海、周宇团队在碳化硅集成光量子纠缠器件领域取得新突破，将进一步推进集成光量子信息技术在量子网络和量子传感领域的应用。相关研究成果于近日发表在《自然·通讯》上。波导集成的碳化硅电子－核量子纠缠示意图。（科研团队供图）研究团队通过在绝缘体上碳化硅
材料所碳化硅纤维及复合材料研发及应用平台开工建设
8月30日，中国科学院宁波材料技术与工程研究所杭州湾研究院碳化硅纤维及复合材料研发及应用平台项目开工建设。 开工仪式上，宁波材料所所长黄政仁介绍了碳化硅纤维及复合材料研发及应用平台的基本情况。杭州湾新区管委会主任、党工委副书记杨勇表示，项目建成后，将对新区集聚创新资源、优化创新服务、加快成果转
碳化硅外延层厚度及其均匀性的无损检测——红外显微系统
第三代半导体碳化硅材料快速发展近年来，5G通信、新能源汽车、光伏行业推动了第三代半导体材料碳化硅（SiC）技术的快速发展。相较于成熟的硅（Si）材料，SiC具有禁带宽、击穿电场高、电子饱和迁移率高、热导率高等优良的物理化学特性，是制备高温、高压、高频、大功率器件的理想材料，如电力转换器、光伏逆变器、
中国科大大幅增强单个碳化硅自旋色心的荧光亮度
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/5/500732.shtm