半导体乍暖还寒降价潮席卷晶圆代工厂
半导体晶圆代工降价潮开始从二线厂向一线蔓延，从成熟制程向先进制程扩散。 台积电7nm制程降价，降幅5%-10%左右，以缓解产能利用率下滑的状况。 此前曾有消息指出，台积电明年将针对部分成熟制程恢复价格折让，折让幅度在2%左右，但当时代工价格并未调降，价格折让主要是在光罩费用折抵，本次的7nm才是真正降价。 另据，韩国8英寸晶圆代工行业迎来降价潮。业内人士透露，当地Fab-less公司正在要求晶圆代工厂降价，一些公司已收到10%的降价。 不仅如此，联电、世界先进及力积电等多家晶圆代工厂也已开始着手下调明年Q1价格，降幅约在一成左右，以期待提高产能利用率，在行业回暖时尽早掌握订单。 不同于以往的销售折让，这次这些晶圆代工厂向IC设计公司们提出了“多元化”让利接单新模式，包括量大降价、绑量不绑价、展延投片量、机动议价及wafer bank等变相调价策略： 量大降价指下单一万片以上就有谈价空间，下单量愈大，价格弹性愈大；......阅读全文
半导体产业的根基：晶圆是什么？
在半导体的新闻中，总是会提到以尺寸标示的晶圆厂，如 8 寸或是 12 寸晶圆厂，然而，所谓的晶圆到底是什么东西？其中 8 寸指的是什么部分？要产出大尺寸的晶圆制造又有什么难度呢？以下将逐步介绍半导体最重要的基础——“晶圆”到底是什么。 何谓晶圆？ 晶圆（wafer），是制造各式电脑芯
晶圆推力测试机半导体推拉力测试机
芯片推拉力测试机具有测试动作迅速、准确、适用面广的特点，被广泛应用于半导体封装、光通讯器材件封装、LED封装、COB/COG工艺测试、研究所材料力学研究、材料可靠性测试等应用领域。能满足包含有：金属、铜线、合金线、铝线、铝带等拉力测试、金球、铜球、锡球、晶圆、芯片、贴片元件等推力测试、锡球、Bump
单晶炉：半导体晶圆制造的头道工序设备
半导体设备在整个半导体行业中扮演着重要的支撑角色。由于半导体制造工艺的复杂性，不同的工序需要不同的设备。从流程工序的分类来看，半导体设备主要可以分为晶圆制造设备（前道工序）和封装测试设备（后道工序）等。本文是半导体设备专题栏目的第一篇文章，主要介绍晶圆制造的头道工序设备——单晶炉。直拉式单晶硅生长炉
单晶炉：半导体－晶圆制造的头道工序设备
半导体设备对整个半导体行业起着重要的支撑作用。因半导体制造工艺复杂，各个环节需要的设备也不同，从流程工序分类来看，半导体设备主要可分为晶圆制造设备（前道工序）、封装测试设备（后道工序）等。本文是半导体设备专题栏目的第 1 篇文章，介绍晶圆制造的头道工序设备——单晶炉。直拉式单晶硅生长炉是一种高效率制
单晶炉：半导体－晶圆制造的头道工序设备
半导体设备对整个半导体行业起着重要的支撑作用。因半导体制造工艺复杂，各个环节需要的设备也不同，从流程工序分类来看，半导体设备主要可分为晶圆制造设备（前道工序）、封装测试设备（后道工序）等。本文是半导体设备专题栏目的第 1 篇文章，介绍晶圆制造的头道工序设备——单晶炉。直拉式单晶硅生长炉是一种高效率制
复合半导体纳米线成功整合在硅晶圆上
据美国物理学家组织网11月9日报道，美国科学家开发出一种新技术，首次成功地将复合半导体纳米线整合在硅晶圆上，攻克了用这种半导体制造太阳能电池会遇到的晶格错位这一关键挑战。他们表示，这些细小的纳米线有望带来优质高效且廉价的太阳能电池和其他电子设备。相关研究发表在《纳米快报》杂志上。 III—
晶圆切割设备——晶圆切割机的原理？
芯片切割机是非常精密之设备，其主轴转速约在30,000至 60,000rpm之间，由于晶粒与晶粒之间距很小而且晶粒又相当脆弱，因此精度要求相当高，且必须使用钻石刀刃来进行切割，而且其切割方式系采磨削的方式把晶粒分开。由于系采用磨削的方式进行切割，会产生很多的小粉屑，因此 在切割过程中必须不断地用
晶圆产能遭遇瓶颈－比亚迪半导体本次上市宣告终止
近日，比亚迪公告称终止推进子公司比亚迪半导体本次分拆上市事项，后者拟开展大规模晶圆产能投资建设，以应对车规级功率半导体模块产能瓶颈。11月15日，比亚迪董事会审议通过《关于终止分拆所属子公司比亚迪半导体股份有限公司至创业板上市的议案》，宣布终止推进比亚迪半导体此次分拆上市事项，并撤回相关上市申请文件
晶圆搬送机的晶圆卡匣装置的制作方法
半导体晶圆由于需经过各种不同流程的处理且需配合工艺设备，因此会被搬运到不同的工作站。为了方便晶圆的搬运且避免受到外力碰撞，会将多个晶圆收纳于晶圆暂存卡匣中。 一般来说，晶圆暂存卡匣内设置有逐层排列的多个插槽可水平容置多个晶圆，且其一侧面具有一开口可供晶圆的载出及载入。再者，于开口处亦设置有可
水滴角测量仪应用芯片半导体行业（晶圆wafer）的关键
半导体芯片行业特别是晶圆制程中对于清净度的要求非常高，只有符合要求的晶圆才可视为合格品。作为测试等离子清洗效果评估的唯一手段，水滴角测量仪是评估晶圆品质的最有效的工具。2018年以来，中国的芯片行业得到了迅速发展，因而，对于水滴角的测试提出了更高要求。根据水滴角测试基本原理：固体样品表面因本身存在的
晶圆清洗设备的前景
预计未来几年，全球晶圆清洁设备市场将以可观的复合年增长率增长。诸如MEMS，PCB，存储设备，IC和半导体晶圆之类的组件是任何电子设备的基本构建块。电子设备的性能主要取决于单独组件的性能。此外，由于这些组件相对较小，杂质会极大地影响其可靠性和性能。微电子清洗在任何电子设备的有效工作中都起着至关重
晶圆测试与探针台
晶圆测试是在半导体器件制造过程中执行的一个步骤。在此步骤中，在将晶圆送至芯片准备之前执行，晶圆上存在的所有单个集成电路都通过对其应用特殊测试模式来测试功能缺陷。晶圆测试由称为晶圆探针器的测试设备执行。晶圆测试过程可以通过多种方式进行引用：晶圆最终测试 (WFT)、电子芯片分类 (EDS) 和电路
晶圆如何通过testkey监控
晶圆特性测试系统由测试仪(tester)与探针台(prober)共同组成，探针台上具有包括多个探针的探针卡，在测试之前的第一步是将探针卡上的探针扎到零点testkey对应的焊垫(pad)上，扎针动作由探针台主导；第一步扎针完成之后，需要在探针台侧进行人工确认扎针对应的零点testkey位置和针迹效果
晶圆切割设备的目的
晶圆切割的目的，主要是要将晶圆上的每一颗晶粒（Die）加以切割分离。首先要将晶圆（Wafer）的背面贴上一层胶带（Wafer Mount），之后再将其送至晶圆切割机加以切割。切割完后，一颗颗的晶粒会井然有序的排列黏贴在胶带上，同时由于框架的支撑可避免晶粒因胶带皱褶而产生碰撞，而有利于搬运过程。此
VCSEL晶圆探针台招标项目
标讯类别： 国内招标招标编号：资金来源： 其他招标人：开标时间：招标代理： VCSEL晶圆探针台招标项目的潜在投标人应在网上报名获取招标文件，并于2023年07月10日 14时00分（北京时间）前在线递交投标文件。逾期提交的投标文件恕不接受。本项目电子投标文件最大容量为100MB，超过此容量的文件
晶圆切割设备的切割方法
目前，硬脆材料切割技术主要有外圆切割、内圆切割和线铭切割。外圆切割组然操作简便，但据片刚性差，切割过程中锯片易跑偏.导致被切割工们的平行度差:而内圆切割只能进行直线切割.无法进行曲面切割.线锯切割技术具有切缝窄、效率高、切片质量好、可进行曲线切别等优点成为口前广泛采用的切割技术。 内圆切割时晶
半导体所等实现晶圆级高质量InAs纳米结构的维度调控
最近，国际期刊《纳米快报》（Nano Letters, DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b04561）报道了中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员赵建华团队与合作者在晶圆级高质量InAs纳米结构维度调控方面的最新研究成果。 InAs是一种重要的III-V
非晶半导体的定义
非晶半导体又称无定形半导体或玻璃半导体，非晶态固体中具有半导电性的一类材料。具有亚稳态结构，组成原子的排列是短程有序、长程无序，键合力未发生变化，只是键长和键角略有不同。按键合力性质有共价键半导体，包括四面体的Si、Ge、SiC、ZnSn、GaAs、GaSb等，“链状”的S、Se、Te、As2Se3
永新光学：光学产品助力光通讯、半导体晶圆及集成电路检测
永新光学11月13日在互动平台表示，目前公司生产的光刻镜头可应用于PCB光刻设备。此外，公司生产的光学显微镜及光学元组件可用于光通讯、半导体晶圆及集成电路的检测等领域。永新光学： 永新光学股份有限公司成立于1997年，其子公司南京江南永新光学有限公司最早成立于1943年。公司是一家精密光学仪器
晶圆切割设备的重要性
现阶段，硬脆材料切割技术主要有外圆切割、内圆切割和线铭切割。外圆切割组然操作简单，但据片刚性差，切割全过程中锯片易方向跑偏.造成 被切割工们的平面度差:而内圆切割只有进行直线切割.没法进行斜面切割.线锯切割技术具备割缝窄、高效率、切成片性价比高、可进行曲线图切别等优点成为口前普遍选用的
晶圆清洗设备的目的和分类
半导体晶圆对微污染物的存在非常敏感，为了达成晶圆表面无污染物的目标，必须移除表面的污染物并避免在制程前让污染物重新残余在晶圆表面。因此半导体晶圆在制造过程中，需要经过多次的表面清洗步骤，以去除表面附着的金属离子、原子、有机物及微粒。 目前晶圆清洗技术大致可分为湿式与干式两大类，仍以湿式清洗法为
非晶半导体的产品特点
广义而言，凡不具有长程序的物质统称为非晶体，有时也称为无定形（Amorphous）。至今国际上对非晶态物质尚无统一的定义和提法，一般认为与其说“非晶态物质是什么什么”，不如说“非晶态物质不是什么什么”。因为非晶态中的无序不是单纯的混乱，而是残缺不全的秩序，即非晶态物质中还存在着某种程序的有序性，这就
非晶半导体的产品分类
非晶半导体可按H.Fritzsche将非晶半导体分为三大类：1、共价非晶固体（1）四配位非晶薄膜Si，Ge，SiC，InSb，GaAs，GaSb…（2）四配位玻璃CdGen，As2，CdSixP2，ZnSixP2，CdSnxAs2…（3）孤对半导体a、元素和化合物：Se，S，Te，As2Se3，As
非晶半导体的结构特点
非晶半导体与其他非晶材料一样，是短程有序、长程无序结构。我们以非晶硅为例，说明非晶半导体的结构。共价键晶体有确定的键长和键角，A原子近邻有4个Si原子，B原子除了和A原子形成一个共价键外，还与另外3个原子形成共价键，以虚线来表示。在不改变相邻两键间的键角情况下，可以绕AB轴旋转，以改变虚线联结的3个
晶圆清洗设备的两种形式
按照清洗方式的不同，清洗设备可分为两种，分别是单片式和槽式。 一、单片式清洗机是由几个清洗腔体组成，再通过机械手将每一片晶圆送至各个腔体中进行单独的喷淋式清洗，清洗效果较好，避免了交叉污染和前批次污染后批次，但缺点是清洗效率较低，成本偏高。 二、槽式清洗机是将晶圆放在花篮中，再利用机械手依次
晶圆制备——如何从沙子到wafer？（三）
4. 抛光(Lapping)：因为刚刚切下来的wafer，表面一定有很多损伤，而且表面粗糙，所以这一步类似CMP功效用slurry去磨平，所以我们的wafer有时候也叫polish wafer。 5. 湿法蚀刻(wet etch)：因为刚才的抛光还是机械的磨平，所以还是无法完全去除损伤
晶圆制备——如何从沙子到wafer？（一）
我们所讲的半导体制造，它的载体一定是晶圆(Wafer)，这个东西是怎么来的？我们今天就来好好讲讲。 前面讲N-Si和P-Si掺杂的时候讲过了，我们的Si一定都是单晶晶格的，而掺杂的原子必须跑到它的晶格上与Si形成共用电子对的共价键后多出电子或空穴而参与导电，如果我们用了多晶或者非晶，这
晶圆制备——如何从沙子到wafer？（二）
1. 多晶硅提纯： 先是沙子(SiO2)与碳在高温下(2000C)置换反应，生成硅和CO2。此时的硅为冶金级别的(MGS: Metallic Grade Silicon)，也就是粗制的多晶硅。 然后再用MGS的硅与HCl在300C下反应生成TCS(SiHCl3)，然后经过过滤和冷凝可
物理所实现多层MoS2外延晶圆推动二维半导体的器件应用
以二硫化钼为代表的二维半导体材料，因其极限的物理厚度、极佳的柔性/透明性，是解决当前晶体管微缩瓶颈及构筑速度更快、功耗更低、柔性透明等新型半导体芯片的一类新材料。近年来，国际上已在单层二硫化钼的晶圆制备及大面积器件构筑方面不断突破，在晶圆质量和器件性能方面逐渐逼近极限。例如，中国科学院物理研究所
非晶半导体的的应用特点
（1）晶体具有确定的融点，而非晶体由于元素间结合能不一以及原子位置的无规则性而存在一个软化温度范围（这就是玻璃的特点）；（2）晶体中由于原子排列的表面效果具有解理面，在无定形固体中则无之。而非晶体中络合原子闯成锁状结构，与同种晶体相比粘性强，抗张力好。因此加工性好，容易制成均质薄膜；（3）可以藉改变