锑化镓的结构和性质

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“重利用”开启砷化镓新时代

  斯坦福大学的研究人员发明了一种可以大大降低生产砷化镓电子设备成本的制造工艺,开辟了砷化镓的新用途。  在电脑芯片、太阳能电池以及其它的电子设备中,半导体一直都是传统的硅材料;硅制成的特殊材料拥有独特的电性能-----可以控制(打开或关闭)电流,就像水龙头控制水流一样。当然,还

砷化镓材料的研究进展

砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5~6倍,故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优

工业化砷化镓的生产工艺介绍

工业化砷化镓生长工艺包括:直拉法(Cz法)、水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB法)以及垂直梯度凝固法(VGF法)等。以上方法各有优劣,除了实际工艺制备的方法,另外一种就是通过计算机来实现砷化镓的晶体生长数值模拟,如利用FEMAG/VB能模拟VB、VGF法生长工艺,利用FEMAG/Cz能模拟

硒化锑的特点和制备方法

特点硒化锑(Sb2Se3)是一种二元单相化合物,由于其原料储量大、毒性低、价格便宜,能带宽度合适(~1.15eV),吸光系数大(>105cm-1),晶体生长温度低,非常适合制作新型低成本低毒的太阳能电池。制备方法称取反应原料2mmolSb、3mmolSe和助熔剂10mmolCsCl,混合后获得前驱体

最纯砷化镓半导体面世

  美国普林斯顿大学研究人员在《自然·材料》杂志报告称,他们研制出了世界上迄今最纯净的砷化镓。该砷化镓样品的纯度达到每100亿个原子仅含有一个杂质,纯度甚至超过了用于验证一千克标准的世界上最纯净的硅样品。  砷化镓是一种半导体,主要用于为手机和卫星等提供电力。新研究得到的砷化镓样品呈正方形,边长与一

什么是砷化镓太阳能电池?

单晶硅是制造太阳能电池的理想材料,但是由于其制取工艺相对复杂,耗能大,仍然需要其他更加廉价的材料来取代。为了寻找单晶硅电池的替代品,人们除开发了多晶硅,非晶硅薄膜太阳能电池外,又不断研制其它材料的太阳能电池。其中主要包括砷化镓III-V族化合物,硫化镉,碲化镉及铜锢硒薄膜电池等。

砷化镓太阳能电池性能详解

砷化镓太阳能电池  GaAs属于III-V族化合物半导体材料,其能隙为1.4eV,正好为高吸收率太阳光的值,与太阳光谱的匹配较适合,且能耐高温,在250℃的条件下,光电转换性能仍很良好,其最高光电转换效率约30%,特别适合做高温聚光太阳电池。  砷化镓生产方式和传统的硅晶圆生产方式大不相同,砷化镓需

研究发现锑氧化依赖的化能自养固氮过程

  广东省科学院生态环境与土壤研究所研究员孙蔚旻团队发现了锑氧化依赖自养固氮的全新生物地球化学过程,同时利用DNA-SIP和宏基因组分箱确定了微生物红环菌科(Rhodocyclaceae)和根瘤菌科(Rhizobiaceae)参与此过程。相关研究发表于Environmental Science &

珠海:重点发展8英寸、12英寸硅片等新一代化合物半导体衬底材料及外延片

珠海市工业和信息化局公开征求 《珠海市电子化学品产业发展三年行动方案(2025—2027年)(征求意见稿)》 意见。其中提到,重点发展8英寸、12英寸硅片,碳化硅、氮化镓、磷化铟等新一代化合物半导体衬底材料及外延片;前瞻布局氧化镓、锑化镓、锑化铟等第四代半导体材料。同时,重点发展匀胶铬版光掩模版,K

美开发出迄今最小砷化铟镓晶体管

  硅半导体作为微芯片之王的日子已经屈指可数了,据物理学家组织网近日报道,美国麻省理工学院科学家开发出了有史以来最小的砷化铟镓晶体管。该校微系统技术实验室科研团队开发的这个复合晶体管,长度仅为22纳米。研究团队近日在旧金山举行的国际电子设备会议上介绍了该项研究成果。   麻省理工学院电气工程和计算

挪威研制最新半导体新材料砷化镓纳米线

  挪威科技大学的研究人员近日成功开发出一种新型半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”,并申请了技术ZL,该复合材料基于石墨烯,具有优异的光电性能,在未来半导体产品市场上将极具竞争性,这种新材料被认作有望改变半导体工业新型设备系统的基础。该项技术成果刊登在美国科学杂志纳米快报上。   以Helge W

砷、锑、铋、汞、银化物速测盒(铜片法)

【简 介】 最常见的砷化物为三氧化二砷,俗称砒霜、白砒等,农业上用的粗制品呈微红色,俗称红砒,其它的砷化物有砷酸盐和亚砷酸盐等。常见的汞化物有氯化汞 ( 升汞 )和氯化亚汞 ( 甘汞 ),硝酸汞及有机汞制剂如赛力散 ( 醋酸苯汞 )、西力生 ( 氯化乙基汞 ) 等。凡是可溶于水或稀酸的砷化物

砷化镓太阳能电池有望打破能效记录

  据美国物理学家组织网11月8日(北京时间)报道,美国科学家通过与传统科学研究相反的新思路,用砷化镓制造出了最高转化效率达28.4%的薄膜太阳能电池。该太阳能电池效率提升的关键并非是让其吸收更多光子而是让其释放出更多光子,未来用砷化镓制造的太阳能电池有望突破能效转化记录的极限。  

超纯砷化镓电子态遵守量子力学法则

  据美国每日科学网站7月27日报道,美国科学家成功制造出了超纯的砷化镓,并让其呈现出某种特殊的状态,在这种状态下,电子不再遵守单粒子的物理学法则而被它们之间的相互作用(由量子力学法则来解释)所掌控,这种超纯材料和状态都有望用于高速量子计算机的研究中。   量子计算机使用电子的量子力

高效柔性硒化锑太阳电池研究获重要进展

近日,暨南大学新能源技术研究院教授麦耀华团队联合河北大学副教授李志强团队在高效柔性硒化锑(Sb2Se3)太阳电池研究方面取得重要进展。相关结果发表于ACS Energy Letters杂志。暨南大学博士梁晓杨和河北大学硕士研究生冯阳为该论文第一作者,李志强和麦耀华为共同通讯作者。 Sb2Se3因

Angew:零维锑基杂化材料可实现高效电致发光

  自主发光的OLED技术在平板显示和照明领域已经得到了广泛的应用。但目前商用的发光材料大都含有Ir、Pt或Au等贵金属,这大大的提升了其成本,限制了其进一步发展。近年来,基于钙钛矿的LED发展迅猛且有着发光光谱窄、色纯度高、色域广等优点。然而,稳定性与Pb的毒性是其走向商业化亟待解决的问题。研究发

科学家研发出砷化镓晶片批量生产技术

  新一期英国《自然》杂志报告说,美国研究人员研发出一种可批量生产砷化镓晶片的技术,克服了成本上的瓶颈,从而使砷化镓这种感光性能比硅更优良的材料有望大规模用于半导体和太阳能相关产业。  据介绍,砷化镓是一种感光性能比当前广泛使用的硅更优良的材料,理论上它可将接收到的阳光的40%转

国电光伏砷化镓电池通过德国Fraunhofer-ISE检测机构认证

  日前,国电光伏科技宣布,公司柔性薄膜砷化镓电池顺利通过德国Fraunhofer ISE检测机构(世界三大权威检测机构之一)认证。  经检测,国电光伏柔性薄膜砷化镓电池转换效率达到34.5%(AM1.5G),是目前世界上已报道的效率最高的柔性薄膜太阳能电池。  据了解,通过国电光伏自主研发的独特工

半导体材料的主要种类介绍

半导体材料是半导体工业的基础,它的发展对半导体技术的发展有极大的影响。半导体材料按化学成分和内部结构,大致可分为以下几类。1.元素半导体有锗、硅、硒、硼、碲、锑等。50年代,锗在半导体中占主导地位,但 锗半导体器件的耐高温和抗辐射性能较差,到60年代后期逐渐被硅材料取代。用硅制造的半导体器件,耐高温

镓储备不足-美国国防部决定从“废品”中回收镓

  财联社7月27日讯 美国国防部计划在年底前首次与美国或加拿大公司签订有关回收镓的合同,镓是一种用于半导体和军用雷达的矿物。  7月3日,中国商务部、海关总署宣布,为维护国家安全和利益,决定自2023年8月1日起对镓和锗两种关键金属实行出口管制。  本月早些时候,在被问及这两种关键金属的储备情况时

砷化镓pn结注入式激光器的结构功能

中文名称砷化镓p-n结注入式激光器英文名称gallium arsenide p-n junction injection laser定  义以砷化镓材料构成p-n结,以晶体解理面构成谐振腔,当p-n结中注入大电流,便以平行于结面的方向射出激光的激光器。应用学科机械工程(一级学科),光学仪器(二级学科

砷化镓pn结注入式激光器的功能介绍

中文名称砷化镓p-n结注入式激光器英文名称gallium arsenide p-n junction injection laser定  义以砷化镓材料构成p-n结,以晶体解理面构成谐振腔,当p-n结中注入大电流,便以平行于结面的方向射出激光的激光器。应用学科机械工程(一级学科),光学仪器(二级学科

新型半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”获得技术ZL

  近日挪威科技大学的研究人员成功开发出一种新型半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”,并申请了技术ZL,该复合材料基于石墨烯,具有优异的光电性能,在未来半导体产品市场上将极具竞争性,这种新材料被认作有望改变半导体工业新型设备系统的基础。该项技术成果刊登在美国科学杂志纳米快报上。   以Helge