首件国产IGBT芯片通过鉴定高铁等可配备“中国芯”
9月12日，一名技术人员展示装有IGBT芯片的模块。 中国科技网讯 我国自主研发的高压大功率3300V/50A IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片及由此芯片封装的大功率1200A/3300V IGBT模块，今天(12日)通过专家鉴定。中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯”。 由中国北车设计开发的3300V/50A IGBT芯片，是国内首件自主设计制造的高压IGBT芯片，迈开了国产IGBT功率“芯脏”替代进口的步伐。 IGBT作为新一代功率半导体器件，具有驱动容易、控制简单、开关频率高、导通电压低、通态电流大、损耗小等优点，是自动控制和功率变换的关键核心部件，被广泛应用在轨道交通装备、电力系统、工业变频、风电、太阳能、电动汽车和家电产业中。如在轨道交通领域，牵引传动系统是动车组、机车等装备的核心部件，而IGBT又是牵引传动系统的核心部件，是“核心中的核心”。 采用IGBT进行功率变换，能够提高用电效率......阅读全文
EDA设计中的巨大挑战——功率
要点：1、虽然每个小组可以优化局部功耗，但单个团队不可能创建出一个低功耗设计。反之，任何一个小组都可能摧毁这种努力。2、功率估计是一种精确的科学。但是，只有当你拥有了一个完整设计和一组正确的矢量后，这种概念才为真。3、对任何问题而言，处理器通常是能效最低的方法，但因为它们具备了功能多重性，一般可以用
芯片反向设计流程（一）
什么是芯片反向设计？反向设计其实就是芯片反向设计，它是通过对芯片内部电路的提取与分析、整理，实现对芯片技术原理、设计思路、工艺制造、结构机制等方面的深入洞悉，可用来验证设计框架或者分析信息流在技术上的问题，也可以助力新的芯片设计或者产品设计方案。芯片反向工程的意义：现代IC产业的市场竞争十分
氮化镓功率芯片的应用领域
1）手机充电器。主要有2 个原因，①手机电池容量越来越大，从以前的可能2 000 mA·H 左右，到现在已经到5 000 mA·H。GaN 可以减少充电时间，占位体积变小。②手机及相关电子设备使用越来越多，有USB-A 口、USB-C 口，多头充电器市场很大，这也是GaN 擅长的领域。2）电源适配器
氮化镓功率芯片的发展趋势分析
GaN 功率芯片主要以2 个流派在发展，一个是eMode 常开型，纳微代表的是另一个分支——eMode 常关型。相比传统的常关型的GaN 功率器件，纳微又进一步做了集成，包括驱动、保护和控制的集成。GaN 功率芯片集成的优势如下。1）传统的Si 器件参数不够优异，开关速率、开关频率都受到极大限制，通
GaN－功率芯片的特点和技术优势
GaN（氮化镓）的特性与传统Si（硅）有很大区别，例如开关速度比Si 快20 倍，体积和重量更小，某些系统里可以节能约40%。这是非常可观的，对于实现“双碳”目标很有助益。它的功率密度可以提升3 倍，如果搭配快充方案，充电速度提升3 倍以上，而且成本也很合理，相比Si 的BOM（物料清单）方案，系统
功率放大器的相关设计
PA（功率放大器）的设计。首先是利用运算放大器（OP) ，再利用推拉式(push-pull)放大器（注意交越失真Cross-distortion的预防）将信号送到衰减网路，这部分牵涉到信号源输出信号的指标，包含信噪比、方波上升时间及信号源的频率响应，好的信号源当然是正弦波信噪比高、方波上升时间快
《组委会》「通知」芯片展2025深圳国际芯片设计展
2025深圳半导体展暨中国电子信息博览会（CITE）即将于4月9日至11日在深圳会展中心盛大开幕。本届博览会以“深化交流与合作，推动产业创新发展”为主题，通过九大展馆的全面展示，为全球半导体行业带来一场交流与合作的盛宴。本届展会将重点打造半导体产业链馆和新型显示及应用馆，全面展示IC设计、半导体材料
NFC芯片选型设计及电路框架
RFID 作为一项专业度较高的技术，在一些公司，可能还会专门招聘专业的 RFID 工程师。本篇阐述的涉及到的只是基本选型设计、电路框架，关于 RFID 天线调试、低功耗检卡调试等，后续再其他篇章会继续更新！ NFC(Near Field Communication)芯片选型： 主
芯片设计或可借力AI“突围”
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2022/9/486050.shtm EDA (电子设计自动化软件)是芯片设计和制造的核心工具，也是支撑万亿芯片产业规模的共性基础技术。 有了EDA软件，工程师可以从概念、算法、协议等出发，完成包括电路设计、版图
功率电子PFC系统的EMI分析与设计（二）
我先分析系统的骚扰源的情况：差模骚扰的产生主要是由于开关管工作在开关状态，当开关管开通时流过电源线的电流线性上升，开关管关断时电流突变为零．因此，流过电源线的电流为高频的三角脉动电流，含有丰富的高频谐波分量，随着频率的升高，该谐波分量的幅度越来越小，因此差模骚扰随频率的升高而降低；共模骚扰的产生主要
基站功率放大器ADS仿真设计
1 引言随着功放技术、基带处理技术与射频拉远等技术的重大突破，基站性能大幅度提高，现已经进入了新一代3G 基站时代。移动网络在实际使用过程中，由于地形环境的影响很多基站并未达到预期的效果。为了改善网络覆盖，通常有三种方法：①添加基站，覆盖盲区；②增设直放站，延伸并扩大原基站信号，以增强信号覆盖；
功率电子PFC系统的EMI分析与设计（三）
电源与大地的分布电容比较分散，其它的分布参数我先不作分析；从原理设计图来看，VT2的D极与散热器之间耦合电容的作用最大，从BD1到电感LB之间的电压为100Hz，而从L3到VD1和VT2的D极之间的连线的电压均为方波（梯形波）电压，含有大量的高次谐波。其次LB的影响也比较大，但LB与机壳的距离比较远
低压无功功率补偿装置的设计与运用
摘要：随着中国经济的飞速发展，企业对供电的需求与电力设备的质量提出了更高的要求，电力系统运行的经济性与电能质量、无功功率有着密不可分的关系，本文就低压无功功率补偿装置的设计进行了阐述与研究，并介绍了无功功率补偿装置在现场的运用。 关键词：电能质量 无功功率 无功补偿 设计 应用
功率电子PFC系统的EMI分析与设计（一）
功率电子系统对于高频的EMI的设计－我提供正向设计思路参考；A．确认有哪些噪声源；B．分析噪声源的特性；相关资料可以通过网络搜索作者名字下载或观看；（我的理论：先分析再设计；了解噪声源头特性是关键）！C．确认噪声源的传递路径；这也是我们大多数工程师处理EMI－Issue时的着手点；（处理的手段和方法
中功率射频放大器设计经验分享
中功率射频放大器既能在发射电路的射频功率放大器中作为前级驱动，又能在接收电路中用于信号放大，是射频收发信机的重要组成部分。部分中功率射频放大器为射频BJT分立式元器件的形式，设计时具有更大的灵活性。在使用时工程师更多的关注匹配电路的设计，而忽略了偏置电阻及馈电电感的选取。其对电路的工作状态、性
氧化镓和碳化硅功率芯片的技术差异
SiC（碳化硅）商业化已经20 多年了，GaN 商业化还不到5 年时间。因此人们对GaN 未来完整的市场布局并不是很清楚。SiC 的材料特性是能够耐高压、耐热，但是缺点是频率不能高，所以只能做到效率提升，不能做到器件很小。现在很多要做得很小，要控制成本。而GaN 擅长高频，效率可以做得非常好。例如，
生物芯片实验样本选择和设计
基因芯片对样本的选择非常重要，选用有效的样本可以使实验结果可靠。但是基因芯片对样本要求非常高，理想的样本往往得不到。因此，在可选择的范围内，样本的选择和设计非常重要。 (1)待测样本的选择：基因芯片需要的样本来源非常广泛，可以是组织来源的或血液来源的，也可以是培养的细胞或病人的体外分泌物等
设计着床芯片系统－重建早期人类妊娠
一项研究展示了一个微工程系统，可建模早期妊娠中发生的多细胞事件。该系统重建了母胎界面，有助于增进人们对胚胎成功着床的基础机制的理解。相关研究3月16日发表于《自然—通讯》。要成功建立妊娠，胚胎需要能够连接并植入支持妊娠的母体子宫内膜层。过去的研究表明该过程中发生的异常可能导致并发症，例如先兆子痫。但
数字仪表设计数字复用表芯片新趋势
摘要：电子电机人员在检修或做实验时都会用到指针三用电表或数字复用表（Digital Multimeters,DMM），以往的可携式数字仪表产业多采用Harris（已被Intersil并购）、JRC、Maxim、Samsung、com（已被Microchip并购）等国外大厂生产的数字复用电表模拟数
多器官微流控芯片的设计原理
多器官微流控芯片将不同器官和组织的细胞在芯片上培养，以微通道相连，实现多器官集成化，以考察其相互作用或建立一个系统，用于体外药物筛选。芯片中可集成数个经过特殊设计的微培养室、灌注通道并同时培养多种细胞，利用微流控技术可以产生精确可控的流体剪切力、周期性变化的机械力和溶质浓度梯度变化的灌注液。利用这些
新设计将太赫兹激光器功率输出提升80％
近日，来自桑迪亚国家实验室（Sandia National Laboratories）和多伦多大学（University of Toronto）的研究小组在微型太赫兹光源方面取得突破性进展，成功将太赫兹激光器功率输出提升80%，有望在工业成像及化学检测等领域获得广泛应用。目前
高温电阻炉设计额定功率偏差有什么要求？
高温电阻炉设计额定功率偏差有什么要求？高温电阻炉功率偏差规定为：对于镍铬合金Cr20Ni80，铁铬铝0Cr25Al5等电阻温率系数不大的金属加热元电阻炉应在0 ~10℅范围内。对于硅碳棒SiC、硅钼棒MoSi2、钼Mo、钨W等电阻温率系数较大的金属加热元电阻炉应在±10℅范围内。常用高温电阻炉的加热
多功能存储器芯片的测试系统设计：提高芯片测试效率2
硬件电路设计在测试NAND FLASH时，测试时间长达十个小时不等。在此为提高测试效率，增加测试速度，本设计采用两套完全一样且独立的硬件系统构成。可同时最多测试2片NAND FLASH器件。每一个硬件系统由一个微处理器（NIOSII）加一个大容量FPGA及一个存储器测试扩展接口（即ABUS接
多功能存储器芯片的测试系统设计：提高芯片测试效率1
本文提出了一种多功能存储器芯片的测试系统硬件设计与实现，对各种数据位宽的多种存储器芯片（SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等）进行了详细的结口电路设计（如何挂载到NIOSII的总线上），最终解决了不同数据位宽的多种存储器的同平台测试解决方案，并详细地设
染色体芯片技术大幅提高试管婴儿成功率
目前，我国试管婴儿技术的成功率平均仅为50%多，最大瓶颈就在于产前染色体异常的筛查。记者昨日获悉，今年3月成立的染色体芯片产前诊断联合实验室(CMA)，利用针对中国人群定制的染色体芯片，能够检测出在常规染色体检测中显微镜下无法识别的基因缺陷，可筛查出200多种已知的染色体微缺失或微重复引起的疾病
siRNAs结合生物芯片的实验设计1
Ambion and Applied Biosystems have joined forces to provide a complete convenient, solution for performing gene silencing experiments and validating t
详解芯片的设计生产流程（四）
告诉你什么是封装经过漫长的流程，从设计到制造，终于获得一颗 IC 芯片了。然而一颗芯片相当小且薄，如果不在外施加保护，会被轻易的刮伤损坏。此外，因为芯片的尺寸微小，如果不用一个较大尺寸的外壳，将不易以人工安置在电路板上。因此，接下来要针对封装加以描述介绍。目前常见的封装有两种，一种是电动玩具
详解芯片的设计生产流程（三）
分层施工，逐层架构知道 IC 的构造后，接下来要介绍该如何制作。试想一下，如果要以油漆喷罐做精细作图时，我们需先割出图形的遮盖板，盖在纸上。接着再将油漆均匀地喷在纸上，待油漆乾后，再将遮板拿开。不断的重复这个步骤后，便可完成整齐且复杂的图形。制造 IC 就是以类似的方式，藉由遮盖
siRNAs结合生物芯片的实验设计2
Figure 2. Silencer ™ siRNA Validation Data Generated Using Applied Biosystems TaqMan® Gene Expression Assays. The indicated Silencer Validated siRNAs
详解芯片的设计生产流程（一）
复杂繁琐的芯片设计流程芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样，先有晶圆作为地基，再层层往上叠的芯片制造流程后，就可产出必要的 IC 芯片（这些会在后面介绍）。然而，没有设计图，拥有再强制造能力都没有用，因此，建筑师的角色相当重要。但是 IC 设计中的建筑师究竟是谁呢？接下来要针对 IC 设计做