研究发现超带隙透明导体
透明导体因兼具导电性与透明性，广泛应用于触控屏、太阳能电池、发光二极管、电致变色及透明显示等光电器件，成为现代信息与能源技术中不可或缺的材料。目前，主流透明导体来源于掺杂如半导体或绝缘体等原本透明的带隙材料，掺杂过程以牺牲部分透明性来实现导电性。因此，导电性与透光性之间相互制衡。为突破这一局限，此前有研究提出无需掺杂的本征透明导体概念，即通过特殊的金属能带结构来实现理想透明。但目前，其尚未在实际材料中被发现。近日，中国科学院物理研究所研究员陆凌团队在一类有机电荷转移盐中首次实验发现了本征透明金属，并将新的透明波段起名为“超带隙”。金属中的超带隙是指介于带内吸收和带间吸收之间的无吸收波段，其原理和传统绝缘体带隙中没有光学吸收的原理一致。实现超带隙的特殊电子结构需要金属带足够孤立，且金属带带宽小于费米面与其他占据态和非占据态之间的能量差，使带内跃迁引起的吸收可被金属带带宽截断。同时，此带内吸收的截断能量小于带间吸收的起始能量，进而打......阅读全文
研究发现超带隙透明导体
透明导体因兼具导电性与透明性，广泛应用于触控屏、太阳能电池、发光二极管、电致变色及透明显示等光电器件，成为现代信息与能源技术中不可或缺的材料。目前，主流透明导体来源于掺杂如半导体或绝缘体等原本透明的带隙材料，掺杂过程以牺牲部分透明性来实现导电性。因此，导电性与透光性之间相互制衡。为突破这一局限，此前
科学家发现超带隙透明导体
透明导体兼具导电性与透明性，广泛应用于触控屏、太阳能电池、发光二极管、电致变色和透明显示等光电器件，成为现代信息与能源技术中不可或缺的核心材料。目前主流的透明导体来源于掺杂本来透明的带隙材料（半导体或绝缘体），掺杂过程以牺牲部分透明性为代价来实现导电性，导电与透光之间相互制衡。为突破这一局限，一种无
搭建异质结会调低带隙吗
异质结特点: 1)界面处出现能带的突起和凹陷,可以促进或阻挡载流子。 2)界面处存在局域态,起到复合和俘获中心的作用。 3)两侧材料带隙宽度不...
搭建异质结会调低带隙吗
异质结特点: 1)界面处出现能带的突起和凹陷,可以促进或阻挡载流子。 2)界面处存在局域态,起到复合和俘获中心的作用。 3)两侧材料带隙宽度不...
并行FDTD方法分析光子带隙微带结构
1、引言光子带隙(photonic Bandgap-PBG)结构，又称为光子晶体(photonic Crystal)，它是一种介质材料在另一种介质材料中周期分布所组成的周期结构。尽管光子带隙最初应用于光学领域，然而由于其禁带特性，近年来在微波和毫米波领域也获得极大关注。在光子带隙结构中,电磁
4.16电子伏特！新型硅带隙创世界纪录
美国东北大学科学家主导的国际科研团队发现了一种新形式的高密度硅，并开发出一种新型可扩展的无催化剂蚀刻技术，能将这种硅制成直径为2—5纳米的超窄硅纳米线。这一成果发表于最新一期《自然·通讯》杂志，有望给半导体行业带来革命性变化，还有望应用于量子计算等领域。 十年前，东北大学研究人员在实验中发现了
打开石墨烯带隙，开启石墨烯芯片制造领域大门
天津大学纳米颗粒与纳米系统国际研究中心的马雷教授团队攻克了长期以来阻碍石墨烯电子学发展的关键技术难题，在保证石墨烯优良特性的前提下，打开了石墨烯带隙，成为开启石墨烯芯片制造领域大门的重要里程碑。该研究成果论文《碳化硅上生长的超高迁移率半导体外延石墨烯》1月3日在线发表于国际期刊《自然》。 据介
新加坡国立大学：可变带隙的纳米多孔石墨烯的表面合成
调制纳米多孔石墨烯的带隙对于很多领域是被需求的，比如作为有机杂化器件中的电荷传输层。该领域的关键是能够合成具有可变孔径和可调带隙的2D纳米多孔石墨烯。这里，表面合成了具有可变带隙的纳米多孔石墨烯。两种类型的纳米多孔石墨烯通过分级C-C耦合合成，并通过低温扫描隧道显微镜和非接触式原子力显微镜进行验
我国学者以MXene材料成功制备直接带隙半导体型ScCxOH材料
随着柔性透明电子技术的兴起，二维半导体材料近年来备受关注，特别是直接带隙特性使得这些二维结构有望应用在光电子学领域。在过去十年里，研究者们已相继发展出MoS2和磷烯等典型的具有直接带隙的二维半导体材料。然而，MoS2的带隙是层数依赖性的，直接带隙仅能在单层结构中实现，而磷烯在空气环境中的化学性质
清华团队等在钙钛矿光伏材料的带隙研究中取得新进展
有机-无机杂化钙钛矿是一种新型半导体材料，因其具有优异的光电性能和结构可调性，成为近年来太阳能电池领域的研究热点。能带带隙是决定光伏特性的重要参数，它容易受到温度和光注入载流子浓度的影响。钙钛矿带隙的温度效应在以往研究中使用传统半导体中的晶格热效应解释。然而，传统半导体晶格相对坚硬，钙钛矿具有柔
阴离子隙生化检验
阴离子隙（AG）是指细胞外液中所测的阳离子总数和阴离子总数之差。 计算公式为：AG=（Na++K+）～（Cl～+HCO3～），一般是利用血清中的电解质含量运算。血清K+浓度较低，且较恒定，对AG影响轻微，故上述公式可简化为AG=Na+ ～（Cl～+HCO3～）。AG正常参考值为8～16mol/L，
阴离子隙生化检验
阴离子隙（AG）是指细胞外液中所测的阳离子总数和阴离子总数之差。计算公式为：AG=（Na++K+）～（Cl～+HCO3～），一般是利用血清中的电解质含量运算。血清K+浓度较低，且较恒定，对AG影响轻微，故上述公式可简化为AG=Na+ ～（Cl～+HCO3～）。AG正常参考值为8～16mol/L，平均
阴离子隙生化检验
阴离子隙（AG）是指细胞外液中所测的阳离子总数和阴离子总数之差。计算公式为：AG=（Na++K+）～（Cl～+HCO3～），一般是利用血清中的电解质含量运算。血清K+浓度较低，且较恒定，对AG影响轻微，故上述公式可简化为AG=Na+ ～（Cl～+HCO3～）。AG正常参考值为8～16mol/L，平均
阴离子隙的定义
阴离子间隙可根据血浆中常规可测定的阳离子(Na+)与常规测定的阴离子(Cl-和HCO3-)的差算出，即AG=[Na+]－{[Cl-]+[HCO3-]}。AG的正常值为10--14mmol/l，平均值为12mmol/l。目前多以AG>16mmol/l作为判断是否有AG增高型代谢性酸中毒的界限。
什么是放电保护球隙？
放电球隙测试仪是一对直径相同的球形电极 由高压试验变压器，控制台，稳压器，耐水等成套设备组成后，可用于工频高压试验中试验样品的高压测量和保护成套试验设备包括高压试验变压器，控制台，稳压器，以及球隙，耐水和试验对象型放电球隙式压力表（卧式），其结构由：活动底座，绝缘支架，铜球，调节轴，紧固螺钉
阴离子隙的正常范围
问：采用公式Na-（C1+CO2）的阴离子隙的正常范围是什么？要采用公式（Na+K）-（C1+CO2）吗？采用哪一种？ 答：阴离子隙的定义指的是阳离子钠和阴离子氯及碳酸氢盐之间的差异，通常用[Na+—（Cl-+HCO3-）]计算。其他血中存在但不包括在阴离子隙计算内的阳离子包括钾、
重费米子体系中杂化动力学的理论研究与实验探测获突破
长期以来，对重费米子物理的理解主要基于平均场方法所提供的静态杂化图像。该图像认为f电子在相干温度T*之下会在费米面附近与导带发生杂化，从而形成重电子能带，并产生直接和间接杂化带隙，引起f电子的局域－巡游转变。但是近些年来，有越来越多的实验证据表明，真正理解重费米子的局域－巡游转变物理必须超越平均
西安光机所等在非线性物理前沿理论上取得新认知
上:囚禁于深晶格中的稳定（a）和不稳定（b）的物质波带隙孤子、稳定（c, d）和不稳定（e, f）的带隙涡旋；下：微扰动力学演化。 论文作者供图近年来，随着物理学前沿研究的深入和发展，在量子力学、光学、量子物理包括超冷原子和凝聚态物理中的一些动力学特性都可以用具有分数衍射项的理论模型描述。然而目前所
关于腔隙性梗死的介绍
腔隙性脑梗死是长期高血压引起脑深部白质及脑干穿通动脉病变和闭塞，导致缺血性微梗死，缺血、坏死和液化脑组织由吞噬细胞移走形成腔隙。梗死灶较小，直径一般不超过1．5厘米。这种梗死多发生在脑的深部，尤其是基底节区、丘脑和脑桥。 腔隙性脑梗死最常见的原因是高血压病；其次为糖尿病和高脂血症。目前报道的腔
腔隙性梗死的疾病描述
腔隙性梗死是长期高血压引起脑深部白质及脑干穿通过动脉病变和闭塞，导致缺血性微梗死，缺血、坏死个液化脑组织由吞噬细胞移走形成腔隙。腔隙性梗死约占脑梗死的20％，由于病变很小，常位于脑相对静区，许多病例临床上不能确认；多达3/4的尸检病例证实，生前无卒中史和检查无明确神经功能缺损证据。Fisher自
怎样预防腔隙性脑梗塞？
1.预防性治疗 对有明确的缺血性卒中危险因素，如高血压、糖尿病、心房纤颤和颈动脉狭窄等应尽早进行预防性治疗。可给予抗血小板药阿司匹林、噻氯匹定，对脑卒中二级预防有肯定效果，推荐应用；长期用药要有间断期，出血倾向者慎用。 2.针对可能的病因积极预防 （1）应将高血压患者的血压控制在一个合理水
腔隙性脑梗死的概述
腔隙性脑梗死(lacunarinfarction)发生于脑深穿通动脉（或其他微小动脉）的缺血性微梗死（或软化灶），经慢性愈合后所形成的不规则腔隙，是老年人的常见病，高发年龄组在60～70岁。男性多于女性，为女性的2～6倍。白天发病者居多，多数无明显诱因，常见于亚急性和慢性起病，症状一般于12h至
宽带隙半导体材料的特征
氮化镓、碳化硅和氧化锌等都是宽带隙半导体材料，因为它的禁带宽度都在3个电子伏以上，在室温下不可能将价带电子激发到导带。器件的工作温度可以很高，比如说碳化硅可以工作到600摄氏度；金刚石如果做成半导体，温度可以更高，器件可用在石油钻探头上收集相关需要的信息。它们还在航空、航天等恶劣环境中有重要应用。广
腔隙性梗死的辅助检查
CT可见内囊基底节区、皮质下白质单个或多数圆形、卵圆形或长方形低密度病灶，边界欠清晰，无占位效应，增强可出现轻度斑片状强化；CT检查最好在发病7日内进行，以除外小量出血。MRI可显示脑干腔隙病灶，呈T1低信号、T2高信号，MRI脑横断面、矢状位和冠状位扫描可准确定位病灶。CT和MRI也可能未发现
生化检测项目阴离子隙介绍
阴离子隙介绍： 阴离子隙是指血清中所测定的阳离子总数与阴离子总数之差，它可鉴别不同类型的代谢性酸中毒。通常以(Na+ -C1- —HC03- )表示。这是判断代谢性酸中毒的重要指标，对许多潜在的致命性疾病的诊断可提供重要线索。阴离子隙正常值： AG=(Na++K+)-(Cl--HCO3-)，一般
阴离子隙（AG）的决定水平
参考值 8～16mmol/L 决定水平 临床意义及措施 4mmol/L 低于此水平的值均在参考值下限以下，所以各种能引起AG下降的原因均应加以考虑，如在低白蛋白血症中未测定的阴离子渡度偏低，在M-蛋白血症中未测定的阳离子浓度增加等。 20mmol/L 高于此水平的值，属明显增高，应认真
腔隙性脑梗死如何预防？
控制高血压：高血压是导致腔隙性脑梗死的主要危险因素之一，因此需要积极控制血压。建议定期测量血压，如果血压偏高，应及时采取措施进行降压治疗。 控制血脂：高血脂也是导致腔隙性脑梗死的危险因素之一，因此需要控制血脂水平。建议定期检查血脂，如果血脂偏高，应采取相应的措施进行降脂治疗。 戒烟限酒：吸烟
宽带隙半导体材料的特性
氮化镓、碳化硅和氧化锌等都是宽带隙半导体材料，因为它的禁带宽度都在3个电子伏以上，在室温下不可能将价带电子激发到导带。器件的工作温度可以很高，比如说碳化硅可以工作到600摄氏度；金刚石如果做成半导体，温度可以更高，器件可用在石油钻探头上收集相关需要的信息。它们还在航空、航天等恶劣环境中有重要应用。广
阴离子隙的临床意义
临床上利用血清主要阴、阳离子的测定值即可算出AG值，它对代谢性酸中毒的病因及类型的鉴别诊断有一定的价值。在疾病过程中，因代谢紊乱，酸性产物增加，导致代谢性酸中毒症状最为多见。缺氧时乳酸产生过多；患者不能进食或糖尿病时等脂肪代谢紊乱，导致酮体增加；菌血症、烧伤等组织大量破坏，蛋白质分解，使得含硫产
半导体所硅量子点发光机制研究取得新成果
延续了半个多世纪的摩尔定律预计将在2020年左右失效，硅基光电集成技术有望接替微电子成为未来信息技术的基石，但硅基光电子集成技术的实用化面临缺少硅基片上光源这一最后障碍。因此，硅基片上光源是当前半导体技术皇冠上的明珠，其研制成功将引领整个硅基光电子集成技术的重大变革。硅光电集成技术处于前沿探索阶