新型材料工艺刻蚀高性能微芯片
一块10厘米的硅晶圆，上面有使用B-EUV光刻技术制作的大型可见图案。图片来源：美国约翰斯·霍普金斯大学一个国际联合团队在微芯片制造领域取得关键突破：他们开发出一种新型材料与工艺，可生产出更小、更快、更低成本的高性能芯片。该研究结合实验与建模手段，为下一代芯片制造奠定了材料与工艺基础。相关成果发表在最新一期《自然·化学工程》杂志上。随着电子产品对性能要求的持续提升，芯片制造商亟须在现有生产线上实现更精细电路的刻蚀。尽管能够实现这一目标的高功率“超越极紫外辐射”（B-EUV）技术已具备雏形，但传统光刻胶材料难以有效响应此类辐射，成为技术升级的主要瓶颈。为此，美国约翰斯·霍普金斯大学、布鲁克海文国家实验室及劳伦斯伯克利国家实验室，联合中国华东理工大学、苏州大学，以及瑞士洛桑联邦理工学院共同展开研究，探索使用金属有机材料作为新型抗蚀剂。这类材料由金属离子（如锌）与有机配体（如咪唑）构成，在B-EUV辐射下能高效吸收光子并产生电子，从而......阅读全文
以色列研究：芯片中的硅或可被新材料取代
以色列理工学院近日发布公报说，该院人员领衔的一项新研究开发出了一种新材料，将来有可能取代芯片中的硅。 一个芯片可能包含数十亿个晶体管，芯片性能的提升基于晶体管的不断小型化。近年来硅晶体管的小型化速度已放缓，因为到达一定微小尺度后，晶体管功能会受到量子力学某些效应的干扰，从而影响正常运行。 这
二维材料成功集成到硅微芯片内
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/3/497276.shtm 微芯片内的设备和电路的光学显微镜图像。图片来源：《自然》杂志网站 科技日报北京3月28日电 （记者刘霞）沙特阿卜杜拉国王科技大学科学家在27日出版的《自然》杂志上发表论
新材料将令芯片更小－硅时代进入倒计时
硅基晶体管无法一直缩小下去，芯片公司已经考虑用其它材料取代硅，其中的热门替代材料包括锗和半导体化合物III-V。 加州伯克利大学教授胡正明确信硅的日子屈指可数，下一代或下下一代人将不会再使用硅，将会有更好的材料去取代硅。硅基晶体管无法一直缩小下去，芯片公司已经考虑用其它材料取代硅，其中的热
二维材料成功集成到硅微芯片内
沙特阿卜杜拉国王科技大学科学家在27日出版的《自然》杂志上发表论文指出，他们成功将二维材料集成在硅微芯片上，并实现了优异的集成密度、电子性能和良品率。研究成果将帮助半导体公司降低制造成本，及人工智能公司减少数据处理时间和能耗。二维材料有望彻底改变半导体行业，但尽管科学家们研制出了多款类似设备，但技术
碳纳米管将取代硅成为处理器芯片材料
至少过去的五十年时间我们全部的计算机、游戏机、智能手机、汽车、媒体播放器甚至是闹钟的处理器核心都是由硅组成的。但是科学家和研究人员现在认为硅晶体处理器即将达到它们的极限。IBM公司的科学家们似乎已经找到了一种真实的方式抛开硅晶体而转向碳纳米管。 碳纳米管未来将取代硅成为处理
硅与非硅材料“混搭”难题解决
美国加州大学戴维斯分校的科学家最近展示了一种具有三维结构的纳米线晶体管，并借助该技术成功将硅与非硅材料集成到了一个集成电路中。研究人员称，该技术有望帮助硅材料突破瓶颈，为更快、更稳定的电子和光子设备的制造铺平道路。 硅是目前最常见的一种电子材料，但它并不是万能的。建立在传统蚀刻工艺基础的硅集成
硅与非硅材料“混搭”难题解决
美国加州大学戴维斯分校的科学家最近展示了一种具有三维结构的纳米线晶体管，并借助该技术成功将硅与非硅材料集成到了一个集成电路中。研究人员称，该技术有望帮助硅材料突破瓶颈，为更快、更稳定的电子和光子设备的制造铺平道路。 硅是目前最常见的一种电子材料，但它并不是万能的。建立在传统蚀刻工艺基础的硅集成
为何选择硅基微流控芯片？
第一种应用于微流控芯片的材料是硅，虽然它很快被玻璃和聚合物取代。硅首先被选中是因为：* 它对有机溶剂的耐受性* 容易金属沉积* 优越的导热性* 表面稳定性然而，硅基微流控芯片由于其硬度而不易处理，因此难以生成如微阀或微泵等有源微流控部件。另一个缺点是当进行光学检测时，硅展现出明显的不透光性。此外，由
硅纳米负极是什么材料
研究人员发现硅纳米作为负极理论容量可以达到4200，而目前的石墨负极材料理论也就372，行内很多厂家想用纳米硅作为负极材料，问题是硅充电时体积膨胀好几倍，有出现粉化现象，基本证明纳米硅不能单独作为负极材料，现在比较流行的是硅碳复合材料，缓解硅的膨胀，我们咸阳六元碳晶公司也是初入此行，也想研究开发硅碳
什么是硅基负极材料？
更高的正极比容量、更高的负极比容量和更高的电池电压（以及更少的辅助组元），是高能量密度电池的理论实现路径。正极材料的比容量相对更低，性能提升对电池（单体）作用显著；负极比容量提升对于电池能量密度提升仍有相当程度作用。硅材料的理论比容量远高于（约10倍）已逼近性能极限的石墨，有望成为高能量密度锂电池的
镍铬硅镍硅热电偶丝的材料介绍
中文名称镍铬硅-镍硅热电偶丝英文名称nickel-chromium-silicon/nickel-silicon thermocouple wire定 义.2％Cr-1.4％Si合金丝与Ni-4.4％Si合金丝组成的热电偶丝。应用学科机械工程（一级学科），仪器仪表材料（二级学科），测温材料(仪器仪
研究发现硅芯片再现神经元活动
一项新研究报告了一种制造再现生物神经元电行为的硅芯片的方法。利用这种方法，有望开发出仿生芯片来修复神经系统中因病而导致功能异常的生物电路。 英国巴斯大学的Alain Nogaret及同事设计的微电路模仿离子通道，类似生物神经元一样整合原始神经刺激并做出响应。之后，研究者在硅芯片中再现单个海马
硅光子芯片让“量子罗盘”更小更精确
美国桑迪亚国家实验室研究人员利用硅光子微芯片组件，执行了一种名为原子干涉的量子传感技术。这是一种测量加速度的超高精度方法，也是研发无需全球定位系统（GPS）信号也能进行导航的“量子罗盘”最新成果。研究论文发表在最新一期《科学进展》上。智能手机、健身追踪器或虚拟现实设备内部都有微小的传感器用于追踪位置
硅光子芯片让“量子罗盘”更小更精确
科技日报北京8月14日电 （记者张佳欣）美国桑迪亚国家实验室研究人员利用硅光子微芯片组件，执行了一种名为原子干涉的量子传感技术。这是一种测量加速度的超高精度方法，也是研发无需全球定位系统（GPS）信号也能进行导航的“量子罗盘”最新成果。研究论文发表在最新一期《科学进展》上。全集成多通道硅光子单边带
2024硅片及硅基材料展2024上海国际硅片及硅基材料展
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
硅片及硅基材料展|2024年上海硅片及硅基材料展览会
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
氟硅新材料论坛衢州举行
11月15~16日，由浙江省化工学会、衢州学院等联合主办的2018中国氟硅化工新材料技术与产业高峰论坛在衢州举行。记者从会上了解到，为进一步巩固衢州氟硅化工新材料产业的先发优势，激发创新动力，衢州市政府正在筹划打造更多产业创新平台，促进学术界与产业界的沟通对接，吸引更多高科技产品、高端人才前来衢
硅基负极材料的性能特点
更高的正极比容量、更高的负极比容量和更高的电池电压（以及更少的辅助组元），是高能量密度电池的理论实现路径。正极材料的比容量相对更低，性能提升对电池（单体）作用显著；负极比容量提升对于电池能量密度提升仍有相当程度作用。硅材料的理论比容量远高于（约10倍）已逼近性能极限的石墨，有望成为高能量密度锂电池的
ICP测定硅材料中多种元素
硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。 由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度
硅材料展会|2024中国(上海)国际硅业新材料展览会「官网」
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
研究人员开发新型光学“硅”与芯片技术
钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片示意图。中国科学院上海微系统与信息技术研究所供图中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣团队联合瑞士洛桑联邦理工学院的托比亚斯·基彭贝格团队，在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片制备领域取得突破性进展。相关成果5月8日发表于《自然》。近年来，铌酸锂受到广泛关注
宁波材料所纳米硅基负极材料研究取得进展
相对于传统石墨负极材料（372mAh/g），硅负极材料具有极高的理论比容量（3580mAh/g），是未来高能量密度动力锂离子电池负极材料首选。但硅负极材料在充放电循环过程中存在体积变化（高达3倍以上），造成硅颗粒粉化，从而引发SEI膜反复再生库伦效率低，电接触变差极化增大，使实际硅负极材料循环寿
锂离子电池硅负极材料综述：追求微米硅商业化
2022年10月7日，华中科技大学胡先罗教授团队在Nano Research Energy发表题为“The Pursuit of Commercial Silicon-Based Microparticle Anodes for Advanced Lithium-Ion Batteries: A R
特殊材料取代硅造出半导体薄膜
美国麻省理工学院（MIT）工程师最近开发出一种新技术，他们用一批特殊材料取代硅，制造出了超薄的半导体薄膜。新技术为科学家提供了一种制造柔性电子器件的低成本方案，且得到的电子器件的性能将优于现有硅基设备，有望在未来的智慧城市中“大展拳脚”。 如今，绝大多数计算设备都由硅制成，硅是地球上含量第二丰
国家硅材料质检中心落户东海
选址于东海县的国家硅材料深加工产品质量监督检验中心，近日经国家质检总局批准启动建设。东海水晶、石英储量丰富，拥有硅资源加工企业500多家，硅材料产品1000多个品种，硅产业年产值已突破130亿元，成为我国硅材料领域的重要高新技术和产业集聚区。
全球最小晶体管抛弃硅材料
北京时间10月7日晚间消息，美国劳伦斯伯克力国家实验室(以下简称“伯克力实验室”)教授阿里-加维(Ali Javey)领导的一个研究小组日前利用碳纳米管和一种称为二硫化钼的化合物开发出了全球最小的晶体管。 晶体管由三个终端组成：源极(Source)、漏极(Drain)和栅极(Gate)。电流从
硅碳材料改性之表面包覆！
针对硅导电性差、电化学反应中体积变化大以及形成的SEI膜不稳定等缺点，科研人员提出用碳材料对纳米硅进行改性(即制备纳米硅/碳复合材料(Nano-Si/C))以取得综合优异的电化学性能。表面包覆包覆是纳米材料改性中用得最多的方法之一。在电化学反应过程中，均匀稳定的SEI容易在碳材料外表面形成，较难在S
“神奇材料”石墨烯“联姻”硅基技术
据物理学家组织网7月10日(北京时间)报道，奥地利、德国和俄罗斯的科学家们合作研发出一种新方法，可以很好地让“神奇材料”石墨烯同现有占主流的硅基技术“联姻”，制造出在半导体设备等领域广泛运用的石墨烯-硅化物。相关研究发表在英国自然集团旗下的《科学报告》杂志上。 石墨烯是从石墨材料中剥离出来
硅碳材料改性之表面包覆！
针对硅导电性差、电化学反应中体积变化大以及形成的SEI膜不稳定等缺点，科研人员提出用碳材料对纳米硅进行改性(即制备纳米硅/碳复合材料(Nano-Si/C))以取得综合优异的电化学性能。表面包覆包覆是纳米材料改性中用得最多的方法之一。在电化学反应过程中，均匀稳定的SEI容易在碳材料外表面形成，较难在S
微流控芯片的材料
微流控芯片起源于MEMS（微机电系统）技术，早期常用的材料是硅和玻璃。近年来高分子聚合物材料己经成为微流控芯片加工的主要材料，它的种类多、价格便宜、绝缘性好、性能指标优，可施加高电场实现快速分离，加工成型方便，易于实现批量化生产。 硅具有散热好、强度大、价格适中、纯度高和耐腐蚀等优点。随着微电