2016年度国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项
2016年10月11日，2016年度国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项—“高压大功率SiC材料、器件及其在电力电子变压器中的应用示范”项目启动会在北京召开。项目牵头单位全球能源互联网研究院相关领导、项目负责人及各课题负责人、国网公司科技部相关领导、项目咨询专家、科技部高技术中心相关人员等出席了会议。 该项目旨在开展高压大容量SiC 功率器件和模块封装关键技术等五方面的研究，其中6500V/400A SiC模块以及相应电力电子变压器在国际尚无研发先例。项目的顺利实施将使我国率先实现碳化硅材料在电力系统中的应用，占领国际制高点，对于推进智能电网建设，保障我国能源安全和推进全球能源互联网具有重大意义。 项目组聘请了第三代半导体产业技术创新战略联盟于坤山秘书长、北京大学沈波教授、国家冶金自动化研究设计院李崇坚总工程师、中国科学院电工研究所李耀华研究员和中国科学院物理研究所陈小龙5位专家为项目咨询专家。 会上，......阅读全文
2024－SIC半导体展|上海SIC半导体展|
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
两家SiC材料厂完成新一轮融资
近日，碳化硅（SiC）产业资本市场风云再起，SiC衬底供应商江苏超芯星半导体有限公司（以下简称超芯星）和SiC原材料厂商湖南东映碳材料科技股份有限公司（以下简称东映碳材）分别完成数亿元新一轮融资。 超芯星完成数亿元C轮融资 12月14日，超芯星宣布完成数亿元C轮融资，本轮融资由知名国际投资机
SiC同质外延厚度分析
钝化层分析 钝化层作为保护层、绝缘层或抗反射层，在半 导体材料中扮演着重要的角色。 VERTEX 系列 光谱仪是分析钝化层的理想工具，它可以实 现快速灵敏的无损分析。 磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)中硼和 磷的定量分析 分析SiN等离子层和Si-O基钝化层 分析超低K层
SiCLED研究中取得进展－为我国SiC产业注入新活力
中国科学院上海硅酸盐研究所与半导体研究所通过联合攻关，在SiC-LED技术路线方面中涉及的核心技术，如SiC单晶衬底、外延、芯片和灯具封装等方面取得了突破性进展，研制出了多种结构的SiC-LED，并封装成了灯具，完全打通了SiC-LED技术路线，为SiC-LED技术在半导体照明产业领域的推广打下
2024－SIC半导体展|上海SIC半导体展|上海国际半导体技术展
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
碳化硅－(SiC)：历史与应用
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年的历史，主要用于磨轮和众多其他研磨应用。利用当代技术，人们已使用SiC 开发出高质量的工业级陶瓷。这些陶瓷
Ti3SiC2的MA合成法
图1. 研究中使用的行星式研磨机罐体。 由按化学计量组成所需的Ti、Si、C元素粉末混合物合成的机械合金Ti3SiC2是通过使用行星式球磨机来实现的，这种球磨机带有机械合金罐，而且能够在机械合金过程中实时测量温度和气体压力。当混合后的粉末机械合金后的某一段时间里，侦测到突然的气体压力和温
GaN、SiC功率元件带来更轻巧的世界
众人皆知，由于半导体制程的不断精进，数位逻辑晶片的电晶体密度不断增高，运算力不断增强，使运算的取得愈来愈便宜，也愈来愈轻便，运算力便宜的代表是微电脑、个人电脑，而轻便的成功代表则是笔电、智慧型手机、平板。 GaN、SiC、Si电源配接电路比较图 不过，姑且不论摩尔定律（Moors
掺氮SiC薄膜制备及其光学特性的研究
硅碳氮（SiCN）薄膜作为一种新型三元薄膜材料具有优异的光、电和机械性能,此外,该薄膜独特的发光性能和从可见光到紫外光范围的可调节带隙,使其成为很有潜力的发光材料。本论文以制备高质量SiC,SiCN等半导体薄膜材料以及探索其光学特性为研究目标,该材料可用于制备应用于恶劣环境下的光电子器件及作为光学保
SiC－MOSFET在汽车和电源应用中优势显著（一）
摘要：传统硅基MOSFET技术日趋成熟，正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好，能够提高MOSFET的性能，是一项关注度很高的替代技术。商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史，自问世以来，MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件，被广泛用于电源、电机驱动等电
SiC－MOSFET在汽车和电源应用中优势显著（二）
我们用混动汽车和电动汽车的80kW牵引电机逆变器电源模块做了一个SIC MOSFET与硅IGBT的对比测试，结果显示，在许多关键参数方面，650V SIC MOSFET远胜硅IGBT。这个三相逆变器模块采用双极性PWM控制拓扑，具有同步整流模式。两种器件都是按照结温小于绝对最大额定结温80％
Co催化基于6HSiC单晶的石墨烯制备
采用磁控溅射制备Co（200nm）/6H-SiC异质结,在500-1000℃下退火,通过X-射线衍射（XRD）、俄歇电子能谱散射（AES）、拉曼光谱散射（Raman）研究接触界面的化学反应。研究表明高温下反应易生成稳定的化合物Co2Si,反应生成的C单质经扩散会富集于界面的最表面,并呈现晶态石墨和无
SiC和GaN技术将成为太阳能逆变器制胜关键
根据研究机构Lux Research报告显示，受太阳能模组的下游需求驱动，宽禁带半导体——即碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)将引领太阳能逆变器隔离器市场在2020年达到14亿美元，意味着其稳定的复合增长率(CAGR)达到7%，略低于可再生能源和基于电网的能源设备的复合增长率9%。随着GaN
SIC2016“药品分析检测技术及其发展论坛”邀请函
“科学仪器服务民生学术大会（SIC2016）”— “药品分析检测技术及其发展论坛” 邀 请 函 各有关单位： 中国仪器仪表学会主办的“第27届中国国际测量控制与仪器仪表展览会（MICONEX2016）”将于2016年9月21日-24日在北京.中国国际展览中心(新馆)隆重举行,同期举办第六
我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破
6月5日，在中国电子科技集团公司第二研究所（简称中国电科二所）生产大楼内，100台碳化硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行，SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。 中国电科二所第一事业部主任李斌说：“这100台SiC单晶生长设备和粉料都是我们自主研发和生产的。我们很自豪，正好咱们自己
SIC2016“药品分析检测技术及其发展论坛”邀请函
“科学仪器服务民生学术大会（SIC2016）”— “药品分析检测技术及其发展论坛” 邀 请 函 各有关单位： 中国仪器仪表学会主办的“第27届中国国际测量控制与仪器仪表展览会 （MICONEX2016）”将于2016年9月21日-24日在北京.中国国际展览中心(新馆)隆重举行,同期举办
我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破
6月5日，在中国电子科技集团公司第二研究所（简称中国电科二所）生产大楼内，100台碳化硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行，SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。 中国电科二所第一事业部主任李斌说：“这100台SiC单晶生长设备和粉料都是我们自主研发和生产的。我们很自豪，正好咱们自己
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（一）
全球有40%的能量作为电能被消耗了, 而电能转换最大耗散是半导体功率器件。我国作为世界能源消费大国, 如何在功率电子方面减小能源消耗成了一个关键的技术难题。伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅和氮化镓为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。 早在1893年诺贝尔奖获得者法国化
第三代半导体有望写入下月十四五规划－成国产替代希望
近日，有媒体报道称，权威消息人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。国信证券研报中指出半导体第三代是指半导体材料的变化，从第一代、
宁波材料所在电场辅助连接技术研究中取得进展
碳纤维增强碳复合材料（Carbon fiber reinforced carbon composites, Cf/C）具有密度低、高热导、低热膨胀系数以及在高温下良好的抗热震性和优异的耐磨性质，被认为是火箭防护罩、喷管及航天飞行器刹车片的候选材料之一。同时，由于其较低的中子活性，在核聚变/裂变堆
傅里叶红外光谱仪在第三代Sic半导体应用
据消息人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。当前，以碳化硅为代表的第三代半导体已逐渐受到国内外市场重视，不少半导体厂商已率
攻关克难－宁波材料所碳化硅先驱体研究获进展
碳化硅（SiC）陶瓷具有耐高温、耐腐蚀、耐磨损、耐辐照、强度大、硬度高、热膨胀率小等优异的综合性能，在能源安全领域扮演着重要的角色。目前陶瓷材料包括SiC陶瓷的成型主要采用传统的粉末方法，即从微粉制备、成型（包括压延、挤塑、干压、等静压、浇注、注射等方式）、烧结到加工这一过程。近30年来，陶瓷材
物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底
碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外，由于SiC和氮化镓（GaN）的晶格失配小，SiC单晶是GaN基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材
我国第三代半导体材料制造设备取得新突破
近日，863计划先进制造技术领域“大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究”课题通过了技术验收。 通常，国际上把碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为第三代半导体材料。其在禁带宽度、击穿场强、电子饱和漂移速度、热导率等综合物理特性上具有更加突出的综合优势，特别在抗高
碳化硅场效应器件的模型及关键工艺技术研究
新型宽禁带半导体材料SiC兼有高饱和电子漂移速度、高击穿电场、高热导率等特点,在高温、大功率、高频、光电子、抗辐射等领域具有广阔的应用前景。作为最重要的SiC器件,SiC场效应器件(主要指SiC金属—半导体场效应晶体管,MESFET和金属—氧化物—半导体场效应晶体管,MOSFET)以及基于MOS技术
麻省理工学院开发碳化硅核燃料包壳材料
近期，美国麻省理工学院(MIT)的研究人员正在测试碳化硅(SiC)陶瓷基体燃料包壳材料，这种材料能把产生氢气的风险降低几千倍，并为核燃料提供与锆合金类似的保护。 世界上其他研究机构也提出将SiC用于核燃料包壳，而MIT目前正在开展最为详细的测试和模拟。MIT的Kazimi教授及其团队不仅在
我国学者突破SiC/Al薄壁件高精密研制助力“－北斗三号”双星
2018年11月19日2时7分，我国在西昌卫星发射中心用长征三号乙运载火箭， 以“一箭双星”方式成功发射“北斗三号”第18、19星，随着这两颗卫星的成功入轨，北斗三号基本系统的部署圆满完成，并将于今年底前开通运行，向“一带一路”沿线国家和地区提供基本的导航服务，其定位精度可达2.5米至5米，较北
我国碳化硅器件制造关键装备研发取得重大进展
以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体产业是全球战略竞争新的制高点。SiC器件具有极高的耐压水平和能量密度，可有效降低能量转化损耗和装置的体积重量，满足电力传输、机车索引、新能源汽车、现代国防武器装备等重大战略领域对高性能、大功率电力电子器件的迫切需求，被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器
此类新型材料在催化领域中的应用
近日，大连化学物理研究所电镜技术研究组（DNL2002）刘岳峰副研究员与法国斯特拉斯堡大学Cuong Pham-Huu主任研究员、意大利科学院ICCOM研究所Giuliano Giambastiani主任研究员、常州大学郭向云教授等团队合作发表综述文章，系统总结了多孔碳化硅材料在多相催化领域中的
第一阶段任务顺利完成！新一代功率器件在路上
“本次搭载第一阶段任务顺利完成，成功实现首款国产高压400伏抗辐射SiC功率器件空间环境适应性验证及其在电源系统中的在轨应用验证。”记者从中国科学院微电子所了解到，2024年11月15日，由该所刘新宇、汤益丹团队和中国科学院空间应用工程与技术中心刘彦民团队共同研制的碳化硅（SiC）载荷，搭乘天舟八号