微电子所采用ALD技术显著提升发光器件效率
日前，中国科学院微电子研究所将先进的原子层沉积技术应用于高光效半导体发光器件的研究取得显著进展。 上世纪80年代，原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)最初由芬兰科学家提出并应用于平板显示器件中Al2O3绝缘膜的沉积。2007年英特尔公司将原子层沉积技术引入45纳米节点及以后的集成电路制造工艺，由于其沉积参数的高度可控性(厚度，成份和结构)，优异的沉积均匀性和一致性使得其在微电子领域获得了广泛的应用。 中国科学院微电子所四室刘洪刚研究员针对工业界常用的电子束方法制备分布式布拉格反射镜(DBR)存在厚度不均匀、生产效率低等缺点，提出采用原子层沉积技术研制高性能分布式布拉格反射镜(DBR)的设想以提升半导体发光器件的光提取效率，他带领的科研团队通过开展ALD-DBR的材料筛选、结构设计、沉积工艺、光学测量等方面的系统研究，研制出适于ALD大规模生产的Al2O3/TiO2新型DBR结构......阅读全文
原子层沉积
原子层沉积(ALD)是一种真正的"纳米"技术，以精确控制的方式沉积几个纳米的超薄薄膜。 原子层沉积的两个限定性特征--自约束的原子逐层生长和高度保形镀膜--给半导体工程，微机电系统和其他纳米技术应用提供了许多好处。 原子层沉积的优点 因为原子层沉积工艺在每个周期内精确地沉积一个原子层，所以能
原子层沉积的研究
原子层沉积（ALD）的自限制性和互补性致使该技术对薄膜的成份和厚度具有出色的控制能力，所制备的薄膜保形性好、纯度高且均匀，因而引起了人们广泛的关注。原子尺度上的ALD过程仿真对深入了解沉积机理，改进和优化薄膜生长工艺，提高薄膜质量，改善薄膜性质具有重要意义。在深入了解ALD的工艺特点及工艺过程后，针
原子层沉积系统（ALD）的原理
原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种方法（技术）。当前驱体达到沉积基体表面，它们会在其表面化学吸附并发生表面反应。在前驱体脉冲之间需要用惰性气体对原子层沉积反应器进行清洗。由此可知沉积反应前驱体物质能否在被沉积材料表面化学吸附是实现原子层
PICOSUN－原子层沉积系统共享
仪器名称：PICOSUN 原子层沉积系统仪器编号：16041497产地：中国生产厂家：PICOSUN型号：R200 Advanced出厂日期：201709购置日期：201612所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一楼109固定电话：固定手机：固定email：联系人：曹
原子层沉积系统（ALD）的应用
原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型（厚度、成份和结构） 原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD），最初称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），也称为原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Depo
原子层沉积系统（ALD）的介绍
是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。
对于原子层沉积系统（ALD）的研究
原子层沉积（ALD）的自限制性和互补性致使该技术对薄膜的成份和厚度具有出色的控制能力，所制备的薄膜保形性好、纯度高且均匀，因而引起了人们广泛的关注。原子尺度上的ALD过程仿真对深入了解沉积机理，改进和优化薄膜生长工艺，提高薄膜质量，改善薄膜性质具有重要意义。在深入了解ALD的工艺特点及工艺过程后
PICOSUN－原子层沉积系统共享应用
仪器名称：PICOSUN 原子层沉积系统仪器编号：16041497产地：中国生产厂家：PICOSUN型号：R200 Advanced出厂日期：201709购置日期：201612所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一楼109固定电话：固定手机：固定email：联系人：曹
BENEQ－原子层沉积系统共享应用
仪器名称：BENEQ 原子层沉积系统仪器编号：09016504产地：芬兰生产厂家：BENEQ型号：TFS200-106出厂日期：200810购置日期：200910所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：曹秉军（010
原子层沉积系统（ALD）－跟热蒸镀沉积有什么区别？
原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种方法（技术）。当前驱体达到沉积基体表面，它们会在其表面化学吸附并发生表面反应。在前驱体脉冲之间需要用惰性气体对原子层沉积反应器进行清洗。由此可知沉积反应前驱体物质能否在被沉积材料表面化学吸附是实现原子层
微电子所采用ALD技术显著提升发光器件效率
日前，中国科学院微电子研究所将先进的原子层沉积技术应用于高光效半导体发光器件的研究取得显著进展。 上世纪80年代，原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)最初由芬兰科学家提出并应用于平板显示器件中Al2O3绝缘膜的沉积。2007年英特尔公司将原子层沉积技术引
响应设备更新政策－|－半导体制造工艺、结构与表征解决方案
半导体制造工艺电动汽车等高新技术领域对高效动力转换的需求与日俱增，碳化硅与氮化镓材料扮演关键性角色,有效降低能耗并提升动力转换效率。牛津通过原子层沉积(ALD)与原子层刻蚀(ALE)技术优化了器件工艺。ALD工艺出色的 AlN/Al2O3/SiO2 钝化薄膜有效降低器件中的阈值电压漂移。而ALE低损
清华大学仪器共享平台Ultratech－原子层沉积系统
仪器名称：原子层沉积系统仪器编号：17016605产地：美国生产厂家：Ultratech型号：Savannah S100出厂日期：购置日期：2017-06-25所属单位：电子系>纳米光电子综合测试平台放置地点：罗姆楼B1-304室固定电话：62796594固定手机：固定email：haosun@ts
Picosun－Oy真空互联原子层沉积系统共享应用
仪器名称：真空互联-原子层沉积系统仪器编号：21029113产地：芬兰生产厂家：Picosun Oy型号：R-200 Advanced出厂日期：购置日期：2021-11-25所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>真空互联放置地点：微电子学研究所南平房实验室108号固定电话：01062784044固定
原子层沉积技术可用于合金提升态密度有效质量
中国科学院院士、西安交通大学材料学院材料强度组孙军教授，材料强度组丁向东教授、武海军教授与深圳大学合作，在探究相界面工程作用于ZrNiSn基半哈斯勒热电材料取得进展。该工作鉴于现有研究中相界面引发的载流子迁移率降低问题，以及单一能量势垒无法在全温度范围内提升态密度有效质量的局限性，团队创新性地将原子
芬兰PICOSUN公司将在波士顿举行原子层沉积系统展览
欢迎您参加2011年6月27-29在波士顿举行的芬兰PICOSUN公司的原子层沉积系统展览。具体内容如下： Thanks to our excellent ALD systems, we are happy report profitable 100% growth during th
国家半导体发光器件应用产品质检中心在厦门落成
9月7日，前来厦门出席第二届世界投资论坛和第十四届中国国际投资贸易洽谈会的国家质检总局局长支树平，在视察厦门市质量技术监督局时，听说国家半导体发光器件（LED）应用产品质量监督检验中心将在明天落成，十分高兴。他说：“这个中心意义重大，可喜可贺。我今天返京，不能参加你们的仪式，提前向你们表示祝贺
发光器件角度分辨测试方案
发光器件的角度分辨测试主要用于确定其发光特性，特别是在不同角度下的光强和分布。对于评估器件的性能、优化设计和应用选择都至关重要。发光器件的角度分辨测试在多个方面都具有重要的意义，以下是其重要性的具体阐述：角度分辨测试是评估发光器件性能的关键手段之一。它能帮助工程师和技术人员了解发光器件在不同角度下的
山西煤化所原子层沉积设计新型纳米催化剂研究获进展
氢能作为一种环境友好的清洁能源被认为是可替代化石燃料的重要能源。光催化分解水制氢是一种非常有前景的绿色制氢途径。影响光催化制氢效率的一个主要因素是电子和空穴的分离效率低。在半导体材料表面负载产氢或/和产氧助剂(例如，Pt，Pd，CoOx，NiO)可有效提高电子和空穴的分离效率，尤其是含双助剂的光
1185万!－南京大学采购非靶向筛选质谱仪和原子层沉积设备
原子层沉积（ALD）设备项目所在采购意向：南京大学企业信息2023年7至9月政府采购意向采购单位：南京大学企业信息采购项目名称：原子层沉积（ALD）设备预算金额：700.000000万元(人民币)采购品目：A02052402 真空应用设备采购需求概况 ：南京大学企业信息拟采购原子层沉积（ALD）设备
原子层沉积技术开发者获2018年“千年技术奖”
芬兰技术学会２２日宣布，将２０１８年“千年技术奖”授予芬兰物理学家图奥莫·松托拉，以表彰他研发了在信息技术领域发挥重要作用的原子层沉积技术。 原子层沉积技术可以将物质以单原子膜形式一层一层镀在基底表面，在许多高科技领域发挥着重要作用。目前，所有的计算机和智能手机都使用以原子层沉积技术制成的
半导体器件的开关特性
MOS的基本元件是MOS管。MOS管是一种电压控制器件，它的3个电极分别称为栅极(G)、漏极（D）和源极（S），由栅极电压控制漏源电流。MOS管根据结构的不同可分为P型沟道MOS管和N型沟道MOS管两种，每种又可按其工作特性进一步分为增强型和耗尽型两类。 1、静态特性 MOS管作为开
半导体器件有哪些分类
现在被称作半导体器件的种类如下所示。按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类，一般来说这些还会被再分成小类。此外，IC除了在制造技术上的分类以外，还有以应用领域、设计方法等进行分类，最近虽然不常用，但还有按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类
具明亮基态激子的半导体纳米晶体发现，有助开发超亮高效发光器件
研究示意图 来自美国海军研究实验室(NRL)和瑞士苏黎世联邦理工学院(ETH)的科学家表示，他们发现了一类具有明亮基态激子的新型半导体纳米晶体。这一发现标志着光电子领域的一项重大进步，可能会彻底改变高效发光器件等技术的发展。相关论文发表于新一期《美国化学学会·纳米》杂志。 通常情况下，纳米晶体内
具明亮基态激子的半导体纳米晶体发现，有助开发超亮高效发光器件
来自美国海军研究实验室（NRL）和瑞士苏黎世联邦理工学院（ETH）的科学家表示，他们发现了一类具有明亮基态激子的新型半导体纳米晶体。这一发现标志着光电子领域的一项重大进步，可能会彻底改变高效发光器件等技术的发展。相关论文发表于新一期《美国化学学会·纳米》杂志。研究示意图通常情况下，纳米晶体内能量最低
功率半导体器件有哪些国标
功率半导体是弱电控制与强电运行之间、信息技术与先进制造之间的桥梁，是国民经济的重要基础，在国民经济各领域和国防工业中无所不在。随着世界各国对节能减排的需求越来越迫切，功率半导体器件已从传统的工业控制和4C(通信、计算机、消费电子、汽车)领域迈向新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多产业。随着中国
清华大学深圳国际研究生院330.00万元采购原子层沉积
项目概况 高通量原子层沉积仪的潜在投标人应在（本公告附件中）获取招标文件，并于2023年12月8日9：30（北京时间）前网上递交投标文件。 一、项目基本情况 （一）项目编号：SZDL2023002328（CLF0123SZ21ZC72） （二）项目名称：高通量原子层沉积仪 （三）预算金
研究者开发出石墨烯的“竞争者”——二硫化钼
宾夕法尼亚大学的研究人员研究出了可控的、导电能力能被开启和关闭的、能够自发光的硅的替代品——二硫化钼。 石墨烯，一种单原子厚度的碳原子晶格材料，由于其极高的导电性和无与伦比的薄而经常被吹捧作为硅的替代品用在电子器件领域。但石墨烯并不是唯一能够扮演这样角色的二维材料。 宾夕
科学家开创有机半导体短波红外电致发光新方向
近日，华南理工大学材料科学与工程学院教授吴宏滨团队联合西安近代化学研究所、香港城市大学和北京大学等团队合作，创造性地提出利用目前成为有机光伏电池受体材料的给体-受体-给体（A-D-A）型稠环有机半导体作为发光材料，制备高性能短波红外发光二极管，开创有机半导体短波红外电致发光新研究方向。相关研究发表于
美开发厚度为单原子直径的半导体薄膜
美国北卡州立大学研究人员22日表示，他们开发出制造高质量原子量级半导体薄膜(薄膜厚度仅为单原子直径)的新技术。材料科学和工程助理教授曹林友(音译)说，新技术能将现有半导体技术的规模缩小到原子量级，包括激光器、发光二极管和计算机芯片等。 研究人员研究的材料是硫化钼，它是一种价格低廉的半导体材