我国碳化硅器件制造关键装备研发取得重大进展
以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体产业是全球战略竞争新的制高点。SiC器件具有极高的耐压水平和能量密度，可有效降低能量转化损耗和装置的体积重量，满足电力传输、机车索引、新能源汽车、现代国防武器装备等重大战略领域对高性能、大功率电力电子器件的迫切需求，被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。但长期以来，我国SiC器件的研制生产主要依赖进口。SiC器件关键装备的成功研发对加快解决全产业链的自主保障、降低生产线建设与运营成本、促进产业技术进步和快速发展壮大等方面具有重大的推动作用。图片来源于网络 在国家863计划支持下，经过中国电子科技集团公司第四十八研究所为牵头单位的课题组不懈努力，成功研制出适用于4-6英寸SiC材料及器件制造的高温高能离子注入机、单晶生长炉、外延生长炉等关键装备并实现初步应用。该课题近期通过科技部验收，研究成果有力保障了我国SiC电力电子器件产业“材料—装备—器件”自主可控发展。 课题开发的......阅读全文
他们给中国“千里眼”造最大“角膜”
反应烧结后的4米碳化硅反射镜坯。4米高温真空烧结炉。铣磨后的4米碳化硅反射镜。4米磁流变抛光装备。镀膜后的4米碳化硅反射镜。4米磁控溅射镀膜机。多功能立式光学检测装备。长春光机所供图■本报记者 温才妃中国神话故事中的能人异士“一目千里”，17世纪伽利略发明第一台光学望远镜探寻宇宙的奥秘……千百年来，
浙大成功生长出50mm厚6英寸碳化硅单晶
据浙江大学杭州国际科创中心发布，近日浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室在浙江省“尖兵计划”等研发项目的资助下，成功生长出厚度达到 50 mm 的 6 英寸碳化硅单晶。该重要进展意味着，碳化硅衬底成本有望大幅降低，半导体碳化硅产业发展或将迎来发
碳化硅展|2024上海国际碳化硅展览会「官网」
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
华为哈勃出手！半导体厂商完成数千万元融资
随着 SiC（碳化硅）市场渗透率不断提升，SiC 上游封装材料备受瞩目。近日，烧结银/铜材料厂商北京清连科技有限公司（以下简称“清连科技”）宣布完成数千万元新一轮融资，新增股东冯源资本、华为旗下哈勃投资以及元禾控股，老股东光速光合持续追投。清连科技相关人士表示，本轮融资将主要用于建设银/铜烧结产品生
超宽禁带半导体新进展－推动氧化镓功率器件规模化应用
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣课题组和西安电子科技大学郝跃课题组教授韩根全合作，在氧化镓功率器件领域取得新进展。该研究成果于12月10日在第65届国际微电子器件顶级会议——国际电子器件大会（International Electron Devices Meeting, IEDM）
欧欣、郝跃课题组超宽禁带半导体异质集成研究获进展
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣课题组和西安电子科技大学郝跃课题组教授韩根全合作，在氧化镓功率器件领域取得新进展。该研究成果于12月10日在第65届国际微电子器件顶级会议——国际电子器件大会（International Electron Devices Meeting, IEDM）
碳化硅提取液中阴阳离子的测定
碳化硅（SiC）又名金刚砂，是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑等原料通过电阻炉高温冶炼而成。目前中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体。碳化硅由化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好等特点，主要有四大应用领域，即：功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料，高纯
2016年度国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项
2016年10月11日，2016年度国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项—“高压大功率SiC材料、器件及其在电力电子变压器中的应用示范”项目启动会在北京召开。项目牵头单位全球能源互联网研究院相关领导、项目负责人及各课题负责人、国网公司科技部相关领导、项目咨询专家、科技部高技术中心相关人
氧化镓和碳化硅功率芯片的技术差异
SiC（碳化硅）商业化已经20 多年了，GaN 商业化还不到5 年时间。因此人们对GaN 未来完整的市场布局并不是很清楚。SiC 的材料特性是能够耐高压、耐热，但是缺点是频率不能高，所以只能做到效率提升，不能做到器件很小。现在很多要做得很小，要控制成本。而GaN 擅长高频，效率可以做得非常好。例如，
日本科研团队发现新的超导形成机制
东京大学和东京工业大学在合作研究中发现，通过在碳化硅（SiC）晶体基板表面制作单一原子层的石墨烯，然后向其上面蒸镀钙（在真空中层积原子）并进行加热处理，制作出的样品在冷却后具备超导特性。相关论文发表在美国化学学会杂志《ACS Nano》上。 研究人员认为，这一超导现象是由于钙原子直接结合到Si
GaN、SiC功率元件带来更轻巧的世界
众人皆知，由于半导体制程的不断精进，数位逻辑晶片的电晶体密度不断增高，运算力不断增强，使运算的取得愈来愈便宜，也愈来愈轻便，运算力便宜的代表是微电脑、个人电脑，而轻便的成功代表则是笔电、智慧型手机、平板。 GaN、SiC、Si电源配接电路比较图 不过，姑且不论摩尔定律（Moors
Ti3SiC2的MA合成法
图1. 研究中使用的行星式研磨机罐体。 由按化学计量组成所需的Ti、Si、C元素粉末混合物合成的机械合金Ti3SiC2是通过使用行星式球磨机来实现的，这种球磨机带有机械合金罐，而且能够在机械合金过程中实时测量温度和气体压力。当混合后的粉末机械合金后的某一段时间里，侦测到突然的气体压力和温
马弗炉硅碳棒的化学特性
马弗炉也称为箱式高温炉，但是硅碳棒是一种易碎的元件，马弗炉中硅碳棒的维护措施。 硅碳棒质脆易断，拆卸安装时应特别小心。更换硅碳棒时，应选用相同规格且阻值相等 或相近的硅碳棒。先卸下高温炉上下两面的保护罩和硅碳棒的接线夹，取出损坏的硅碳棒， 换上合格的硅碳棒，装上接线夹和保护罩。导电电极用不
高温电炉的硅碳棒重要性
硅碳棒高温电炉是一种易碎的元件，硅碳棒质脆易断，拆卸安装时应特别小心。更换硅碳棒时，应选用相同规格且阻值相等 或相近的硅碳棒。先卸下高温炉上下两面的保护罩和硅碳棒的接线夹，取出损坏的硅碳棒， 换上合格的硅碳棒，装上接线夹和保护罩。导电电极用不锈钢板制成，紧固在瓷塔支架上。 导电电极如果烧蚀严重，应及
第三代半导体有望写入下月十四五规划－成国产替代希望
近日，有媒体报道称，权威消息人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。国信证券研报中指出半导体第三代是指半导体材料的变化，从第一代、
宁波材料所在电场辅助连接技术研究中取得进展
碳纤维增强碳复合材料（Carbon fiber reinforced carbon composites, Cf/C）具有密度低、高热导、低热膨胀系数以及在高温下良好的抗热震性和优异的耐磨性质，被认为是火箭防护罩、喷管及航天飞行器刹车片的候选材料之一。同时，由于其较低的中子活性，在核聚变/裂变堆
深部岩体复杂力学响应关键实验技术与装备研究获进展
9月2日，由中国科学院武汉岩土力学研究所联合中国电建集团华东勘测设计研究院有限公司完成的科研成果“深部岩体复杂力学响应关键实验技术与装备”通过2018年度湖北省科学技术奖建议授奖项目公告（技术发明奖）。该项成果由武汉岩土所周辉、胡大伟、张传庆科研团队历时7年完成，通过原始创新、继承创新和集成创新
涪陵页岩气田关键装备实现国产化－开发成本大降
7月13日，记者从中石化江汉油田涪陵页岩气公司等单位获悉，近期涪陵页岩气田钻井、压裂、储层改造、带压作业等一系列关键装备陆续实现国产化，摆脱了被国外厂商在装备价格上“卡脖子”的境遇，为页岩气低成本和规模化开发创造了新的动力。 目前随着页岩气产业的迅速发展，国内外各机械制造公司都将目光聚焦在页岩
“大型反渗透海水淡化关键技术及装备研究与示范”验收
2017年12月26日，科技部社会发展科技司在浙江宁波组织召开了“十二五”国家科技支撑计划项目“大型反渗透海水淡化关键技术及装备研究与示范”（编号：2017BAB17B00）验收会，中国21世纪议程管理中心、项目验收专家组、项目组织单位浙江省科技厅和项目课题承担单位等专家和代表参加会议。
我国在智能育种装备与工程化应用上取得关键突破
11月2日，中国科学院合肥物质科学研究院智能机械研究所（以下简称“合肥物质院智能所”）、中科合肥智能育种加速器创新研究院联合发布重要成果：全链条机器人育种家“小海”与“海霸设施”小麦快速育种商业化服务平台同步启动，标志着我国在智能育种装备与工程化应用上取得关键突破。 面对育种效率低、周期长的行业难
我国危化品事故应急关键技术与装备研发成功
记者19日从北京特种工程设计研究院获悉，我国成功研发出危化品事故应急侦检、洗消、污染治理整套技术与装备，处置危化品事故的能力和水平大幅提升。北京特种工程设计研究院“军事环境科学与工程”张统博士团队，联合有关单位承担该项目后，以我国典型的无机酸、有机液体、毒性气体及军用肼类燃料四大类50余种危化品事故
我国科研团队在碳化硅集成光量子纠缠器件领域取得新突破
记者从哈尔滨工业大学（深圳）获悉，该校集成电路学院教授宋清海、周宇团队在碳化硅集成光量子纠缠器件领域取得新突破，将进一步推进集成光量子信息技术在量子网络和量子传感领域的应用。相关研究成果于近日发表在《自然·通讯》上。波导集成的碳化硅电子－核量子纠缠示意图。（科研团队供图）研究团队通过在绝缘体上碳化硅
我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世
我新一代雷达核心部件材料实现国产化 科技日报济南7月6日电 （通讯员辛鹏波 记者王延斌）近日，我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅（SiC）衬底产品面世。中国电子材料行业协会组织的专家认为，该成果国内领先，已达到国际先进水平。 碳化硅基微波功率器件具有高频、大功率和耐高温的特性，是新一代雷达
碳化硅坩埚的相关介绍
碳化硅坩埚为一陶瓷深底的碗状容器。当有固体要以大火加热时，就必须使用坩埚。因为它比玻璃器皿更能承受高温。坩埚使用时通常不会把熔化的东西放的太满，以防止受热物跳出，并让空气能自由进出以进行可能的氧化反应。坩埚因其底部很小，一般需要架在泥三角上才能以火直接加热。坩埚在铁三角架上用正放或斜放皆可，视实
LED衬底材料有哪些种类
目前市面上一般有三种材料可作为衬底：·蓝宝石（Al2O3）·硅(Si)·碳化硅（SiC）除了以上三种常用的衬底材料之外，还有GaAS、AlN、ZnO等材料也可作为衬底，通常根据设计的需要选择使用。
SiC－MOSFET在汽车和电源应用中优势显著（一）
摘要：传统硅基MOSFET技术日趋成熟，正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好，能够提高MOSFET的性能，是一项关注度很高的替代技术。商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史，自问世以来，MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件，被广泛用于电源、电机驱动等电
碳化硅展会|2024上海国际碳化硅展览会「上海半导体展」
2024年第二十一届中国国际半导体博览会（IC CHINA）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）作为中国半导体行业协会主办的唯一展览会，自 2003 年起已连
浅谈高温电炉硅碳棒的重要性
硅碳棒高温电炉是一种易碎的元件，硅碳棒质脆易断，拆卸安装时应特别小心。更换硅碳棒时，应选用相同规格且阻值相等 或相近的硅碳棒。先卸下高温炉上下两面的保护罩和硅碳棒的接线夹，取出损坏的硅碳棒， 换上合格的硅碳棒，装上接线夹和保护罩。导电电极用不锈钢板制成，紧固在瓷塔支架上。 导电电极如果烧
分析碳化硅肖特基二极管在电源中的应用
主动PFC有两种通用模式：使用三角形和梯形电流波形的不连续电流模式(DCM)和连续电流模式(CCM)。DCM模式一般用于输出功率在75W到300W之间的应用;CCM模式用于输出功率大于300W的应用。当输出功率超过250W时，PFC具有成本效益，因为其它方面(比如效率)得到了补偿性的提高，因此
研发“守门员”技术，支撑新兴技术站稳脚跟
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/4/497937.shtm日前，中科意创（广州）科技有限公司（以下简称中科意创）宣布完成数千万元A+轮融资，由创新工场独家投资，用于功率半导体先进封装产线建设。 “800V高电压电气架构是解决新能源汽车充电问题