欧欣、郝跃课题组超宽禁带半导体异质集成研究获进展
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣课题组和西安电子科技大学郝跃课题组教授韩根全合作，在氧化镓功率器件领域取得新进展。该研究成果于12月10日在第65届国际微电子器件顶级会议——国际电子器件大会（International Electron Devices Meeting, IEDM）以口头报告形式正式发布：First Demonstration of Waferscale Heterogeneous Integration of Ga2O3 MOSFETs on SiC and Si Substrates by Ion-Cutting Process。这是我国（包括港、澳、台）在IEDM会议上发表的首篇超宽禁带半导体领域的论文，说明我国也成为氧化镓研究领域的重要创新国家之一。 氧化镓作为第三代宽带隙半导体材料，具有禁带宽度更大、击穿场强更高的优势。Ga2O3 是带隙最大的宽禁带半导体材料之一，对于大功率、高频装......阅读全文
欧欣、郝跃课题组超宽禁带半导体异质集成研究获进展
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣课题组和西安电子科技大学郝跃课题组教授韩根全合作，在氧化镓功率器件领域取得新进展。该研究成果于12月10日在第65届国际微电子器件顶级会议——国际电子器件大会（International Electron Devices Meeting, IEDM）
专家建议加快宽禁带与超宽禁带半导体器件发展
“生产集成电路所需要的硅材料已趋近完美，但是未来还有什么材料可以替代硅，这是业界急切希望解决的问题”。中国科学院院士、国家自然科学基金委员会信息科学部主任郝跃近日在 “纪念集成电路发明60周年学术会议”上如是说。该会议由中国电子学会、中国科学院信息技术科学部等共同主办。 自1958年杰克·基
超宽禁带半导体新进展－推动氧化镓功率器件规模化应用
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣课题组和西安电子科技大学郝跃课题组教授韩根全合作，在氧化镓功率器件领域取得新进展。该研究成果于12月10日在第65届国际微电子器件顶级会议——国际电子器件大会（International Electron Devices Meeting, IEDM）
郝跃代表：手握全球95％镓资源，中国芯片要打“优势牌”
今年全国两会，全国人大代表、中国科学院院士郝跃就集成电路产业发展带来相关建议。郝跃在接受《中国科学报》采访时表示，既要聚焦核心关键的“卡脖子”难题，破解半导体芯片发展中的底层技术瓶颈；更要重视那些我国已处于国际并跑甚至局部领跑位置的领域，通过强化优势，抢占全球产业的前排位置。 “‘十五五’将是
香山科学会议聚焦宽禁带半导体
“随着第三代半导体材料、器件及应用技术不断取得突破，甚至可能在21世纪上半叶，导致一场新的信息和能源技术革命。”在11月8日召开的以“宽禁带半导体发光的发展战略”为主题的第641次香山科学会议上，与会专家指出，宽禁带半导体核心技术一旦解决，必将引起应用格局的巨大改变。 如今，半导体发展已经历了
二十年矢志突破国家“卡脖子”关键技术
勇担强“芯”使命，矢志突破国家“卡脖子”关键技术。2024年6月24日上午，全国科技大会、国家科学技术奖励大会、两院院士大会在京召开，西安电子科技大学（简称“西电”）马晓华教授牵头项目荣获2023年度国家科学技术进步奖一等奖。马晓华教授牵头项目荣获2023年度国家科学技术进步一等奖。据了解，西电微电
量子工程非平衡掺杂实现高效p型超宽禁带氮化物材料
近日，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员黎大兵团队和中科院半导体研究所研究员邓惠雄合作，报道了一种通过量子工程非平衡掺杂实现高效率p型超宽禁带氮化物材料的方法。该研究发现，将GaN量子点引入高Al组分AlGaN材料体系中，可以提升材料局部价带顶能级，使得Mg受主激活能大幅度降低，从而获
西电有个红色朝阳班
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/12/513520.shtm12月1日，西安电子科技大学（简称“西电”）微电子学院举行本科生领航/成长导师聘任仪式暨院士主题报告会。该学院党委书记肖刚和院长张玉明共同为各位导师代表颁发聘书。这是西电微电子学院面
下一代半导体的宽与窄
随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段，对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。走向产业化的锑化物，以及国内外高度关注的氧化镓、金刚石、氮化铝镓等，都被视为新一代半导体材料的重要方向。从带隙宽度来看，锑化物属于窄带半导体，而氧化镓、金刚石、氮化铝属于超宽禁带半导体。 超宽禁带
郝跃院士团队成功研制柔性高亮度紫光LED
中国科学院院士、西安电子科技大学微电子学院郝跃研究团队在《新型光学材料》上发表研究成果，揭示了可剥离衬底上氮化物的成核机制，并创新性开发出柔性高亮度紫光发光二极管。 GaN基半导体LED照明具有高效、节能、环保、寿命长、易维护等优点，是人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一场照明革命。随着可穿
上海微系统所制备出晶圆级金刚石基氧化镓阵列化单晶薄膜
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣团队，联合南京电子器件研究所研究员李忠辉团队，在金刚石基氧化镓异质集成材料与器件领域取得突破性进展。12月9日，研究成果在第70届国际电子器件大会（IEDM 2024）上以口头报告的形式发表。在宽/超宽禁带半导体材料中，氧化镓的热导率最低，不到硅材料的1
国内第一！中国电科46所成功制备6英寸氧化镓单晶
近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。 氧化镓是新型超宽禁带半导体材料，拥有优异的物理化学特性，在微电子与光电子领域均拥有广阔的应用前景。但因具有高熔点、高温分解以及易开裂等特性，因此，大尺寸氧化镓单晶制备极为困难。 中国电科46所氧化镓团队聚焦多晶面、
中国电科46所成功制备6英寸氧化镓单晶
近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。 氧化镓是新型超宽禁带半导体材料，拥有优异的物理化学特性，在微电子与光电子领域均拥有广阔的应用前景。但因具有高熔点、高温分解以及易开裂等特性，因此，大尺寸氧化镓单晶制备极为困难。 中国电科46所氧化镓团队聚焦多晶面、大
物理所宽禁带半导体磁性起源研究取得新进展
中科院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）陈小龙研究员及其领导的功能晶体研究与应用中心一直致力于宽禁带半导体磁性起源问题的研究。最近，他们从实验和理论上证明了双空位导致磁性，首次在实验上给出了直接证据，为通过缺陷工程调控宽禁带半导体的磁性提供了实验基础，相应结果发表在Phy
五位一体推动政产学研用资－19位院士齐聚2023纳博会
2023年3月1日，由科技部、中国科学院指导，中国微米纳米技术学会、中国国际科学技术合作协会、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）主办，苏州纳米科技发展有限公司承办的第十三届中国国际纳米技术产业博览会（CHInano 2023）在美丽的金鸡湖畔隆重开幕。CHInano 2023 本届纳博会继续
“宽禁带半导体电机控制器开发和产业化”技术交流会召开
为更好地总结“新能源汽车”重点专项“宽禁带半导体电机控制器开发和产业化”项目执行情况，推进项目任务顺利实施，项目牵头单位湖南中车时代电动汽车股份有限公司联合哈尔滨工业大学，于2019年1月8日在哈尔滨召开了“2018年度项目进展交流会”。专项总体专家组专家、项目及课题负责人、项目管理人员及相关财
上海市发布重点实验室筹建立项清单
关于上海市2024年度“科技创新行动计划”重点实验室筹建立项的通知沪科〔2024〕491号各有关单位：根据《上海市2024年度“科技创新行动计划”重点实验室（第一批）申报指南》与《上海市重点实验室建设与运行管理办法》（沪科规〔2022〕6号）有关规定，协同各推荐部门评审论证，现启动“上海市宽禁带与超
我建成亚洲最大宽禁带碳化硅基地
近日，记者从中国宽禁带功率半导体产业联盟获悉，国家重大科技成果转化及山东省重点建设项目——山东天岳先进材料科技有限公司功能器材用碳化硅衬底项目顺利完工,标志着我国建成亚洲规模最大的宽禁带碳化硅半导体材料生产基地。 据悉，宽禁带碳化硅半导体材料是第三代半导体核心材料，目前正在逐步取代硅(Si)
欧莱雅广告美化过度遭禁播－夸大宣传现象泛滥
日前，英国广告标准局发布禁令，禁止播放朱莉娅・罗伯茨和名模克里斯蒂・特林顿的两款化妆品广告，理由是后期美化过度，误导消费者。打开电视机，“太美”的广告充斥眼球，夸张的效果宣传不绝于耳，信不信由你，这样的现象在中国何时会叫停?视频：罗伯茨新广告因过于完美脱离现实遭禁
输欧消费品禁含特定有机锡化合物
自今年7月起，欧盟执行2009/425/EC指令，从而正式开始限制对消费产品中特定有机锡化合物的使用。指令2009/425/EC中规定：自2010年7月1日起，欧盟在所有消费品中限制使用三丁基锡和三苯基锡化合物，其限量要求为商品中锡含量的质量百分比浓度小于0.1%，如若检出超标，则该批
商场回应禁带3周岁以上男童进女厕
2月1日，浙江宁波。一商场女厕贴标语“请勿带3周岁以上男童进入”引争议。有网友觉得，3岁小孩不太会自己上厕所，年龄太小可能会遇到危险，这种标语对单独带娃出门的妈妈并不友好。也有网友认为，希望这种标语能早点普及。对此，商场工作人员回应称，从商场开业就有这个标语，很多顾客反馈觉得4、5岁的男孩进去不
中科院3370万元高端仪器采购大单公布
采购项目名称：中国科学院2012年仪器设备部门集中采购项目(第一批) 招标编号：OITC-G12026169 采购人名称：中国科学院各研究所 采购代理机构全称：东方国际招标有限责任公司 招标公告日期：2012年6月7日 定标日期：2012年7月2日、3
半导体的平均电离能和禁带宽度的区别
首先我们得先明确一下在化学中电离能的概念，1mol气态基态原子失去1mol电子所得到1mol气态基态正离子所需要的能量称为该原子的第一电离能。能带这一名词出自讨论金属化学键的能带理论中，即它是以分子轨道理论为基础将一系列能量简并的原子轨道重新组合成另一组能量参差的新轨道即能带。也就是每一种原子轨道都
沈跃跃：坚决打好防治土壤污染攻坚战
全国人大常委会副委员长沈跃跃近日率领全国人大常委会土壤污染防治专题调研组在湖南调研时强调，要充分认识土壤污染防治工作的艰巨性、复杂性，把土壤污染防治工作抓紧、抓实、抓到位，坚决打好调整产业结构、防治土壤污染这场攻坚战。 8月18日至22日，专题调研组听取了湖南省政
十年磨剑，实现2英寸单晶金刚石电子器件量产
作为第三代半导体材料的代表，金刚石半导体又被称为终极半导体。“金刚石半导体具有超宽禁带（5.45eV），高击穿场强（10MV/cm）、高载流子饱和漂移速度、高热导率（22 W/cmK）等材料特性，以及优异的器件品质因子。” 西安交通大学王宏兴教授介绍，“为此，采用金刚石衬底可研制高温、高频、大功率、
研究揭示可剥离衬底上氮化物的成核机制
中国科学院院士、西安电子科技大学微电子学院郝跃研究团队在《新型光学材料》上发表研究成果，揭示了可剥离衬底上氮化物的成核机制，并创新性开发出柔性高亮度紫光发光二极管。 GaN基半导体LED照明具有高效、节能、环保、寿命长、易维护等优点，是人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一场照明革命。随着可穿
沈跃跃：实施好新修订的环境保护法
全国人大常委会副委员长沈跃跃26日出席全国人大环资委大气污染防治情况交流座谈会时强调，要贯彻实施好新修订的环境保护法，抓紧进行大气污染防治法修改，推动大气污染防治向纵深发展。 沈跃跃指出，当前大气环境形势十分严峻，人民群众对改善大气环境质量要求越来越迫切。全国人大常委会近期将对大气污染防治
科学与中国20周年院士黑龙江科普报告会举办
中新网哈尔滨8月6日电(记者 姜辉)6日下午，“科学与中国”20周年院士黑龙江科普报告会在哈尔滨市举办。中国科学院院士、中国科学院信息技术科学部副主任郝跃，中国科学院院士尹浩出席并作报告。黑龙江省政协副主席、科协主席庞达主持报告会。此次科普报告会是中国科学院信息技术科学部2022年学术年会暨“科学与
什么是超宽带(UWB)技术
UWB技术是一种与其它技术有很大不同的无线通信技术，它将会为无线局域网LAN和个人域网PAN的接口卡和接入技术带来低功耗、高带宽并且相对简单的无线通信技术。超宽带技术解决了困扰传统无线技术多年的有关传播方面的重大难题，它开发了一个具有对信道衰落不敏感;发射信号功率谱密度低，有低截获能力，系统复
上海微系统所欧欣被授予“2010－IIT国际会议青年科学家”荣誉
日前，在日本京都举行的第十八届国际离子注入技术大会（18th International Conference on Ion Implantation Technology, IIT 2010）上，王曦院士指导、中科院上海微系统与信息技术研究所与德国Rossendorf研