俄歇电子的产生和俄歇电子跃迁过程
一定能量的电子束轰击固体样品表面，将样品内原子的内层电子击出，使原子处于高能的激发态。外层电子跃迁到内层的电子空位，同时以两种方式释放能量：发射特征X射线；或引起另一外层电子电离，使其以特征能量射出固体样品表面，此即俄歇电子。俄歇跃迁的方式不同，产生的俄歇电子能量不同。上图所示俄歇跃迁所产生的俄歇电子可被标记为WXY跃迁。如 KLL跃迁：K层电子被激发后，可产生KL1L1，KL1L2，KL2L3…等K系俄歇电子。......阅读全文
俄歇电子的产生和俄歇电子跃迁过程
一定能量的电子束轰击固体样品表面，将样品内原子的内层电子击出，使原子处于高能的激发态。外层电子跃迁到内层的电子空位，同时以两种方式释放能量：发射特征X射线；或引起另一外层电子电离，使其以特征能量射出固体样品表面，此即俄歇电子。俄歇跃迁的方式不同，产生的俄歇电子能量不同。上图所示俄歇跃迁所产生的俄歇电
俄歇跃迁
对于自由原子来说,围绕原子核运转的电子处于一些不连续的"轨道 ”上,这些 “ 轨道 ” 又组成K、L、M、N 等电子壳层。 我们用“ 能级 ”的概念来代表某一轨道上电子能量的大小。由于入射电子的激发，内层 电子被 电离， 留下一个空穴。 此时原子处于激发态， 不稳定。 较高能级上的一个电子降落到内层
俄歇电子能谱
俄歇电子能谱（Auger electron spectroscopy，简称AES），是一种表面科学和材料科学的分析技术。因此技术主要借由俄歇效应进行分析而命名之。这种效应系产生于受激发的原子的外层电子跳至低能阶所放出的能量被其他外层电子吸收而使后者逃脱离开原子，这一连串事件称为俄歇效应，而逃脱出来的
俄歇电子能谱
俄歇电子能谱简称AES，是一种表面科学和材料科学的分析技术。因此技术主要借由俄歇效应进行分析而命名之。这种效应系产生于受激发的原子的外层电子跳至低能阶所放出的能量被其他外层电子吸收而使后者逃脱离开原子，这一连串事件称为俄歇效应，而逃脱出来的电子称为俄歇电子。1953年，俄歇电子能谱逐渐开始被实际应用
俄歇电子产额
俄歇电子产额或俄歇跃迁几率决定俄歇谱峰强度，直接关系到元素的定量分析。俄歇电子与特征X射线是两个互相关联和竞争的发射过程。对同一K层空穴，退激发过程中荧光X射线与俄歇电子的相对发射几率，即荧光产额(PX)和俄歇电子产额(PA )满足 PX + PA =1
俄歇电子能谱（2）
基本原理物理原理入射电子束和物质作用，可以激发出原子的内层电子形成空穴。外层电子填充空穴向内层跃迁过程中所释放的能量，可能以X光的形式放出，即产生特征X射线，也可能又使核外另一电子激发成为自由电子，这种自由电子就是俄歇电子。俄歇电子和X射线产额入射电子束和物质作用，可以激发出原子的内层电子。外层电子
俄歇电子能谱仪
俄歇电子能谱仪（Auger Electron Spectroscopy，AES），作为一种最广泛使用的分析方法而显露头角。这种方法的优点是：在靠近表面5-20埃范围内化学分析的灵敏度高；数据分析速度快；能探测周期表上He以后的所有元素。虽然最初俄歇电子能谱单纯作为一种研究手段，但现在它已成为常规分析
俄歇电子谱应用方向
1、通过俄歇电子谱研究化学组态：原子“化学环境”指原子的价态或在形成化合物时，与该(元素)原子相结合的其它(元素)原子的电负性等情况。2、定性分析：对于特定的元素及特定的俄歇跃迁过程，其俄歇电子的能量是特征的。由此，可根据俄歇电子的动能来定性分析样品表面物质的元素种类。3、定量分析或半定量分析：俄歇
俄歇电子能谱（3）
俄歇跃迁对于自由原子来说,围绕原子核运转的电子处于一些不连续的"轨道 ”上,这些 “ 轨道 ” 又组成K、L、M、N 等电子壳层。 我们用“ 能级 ”的概念来代表某一轨道上电子能量的大小。由于入射电子的激发，内层 电子被 电离， 留下一个空穴。 此时原子处于激发态， 不稳定。 较高能级上的一
俄歇电子能谱（1）
俄歇电子能谱（Auger electron spectroscopy，简称AES），是一种表面科学和材料科学的分析技术。因此技术主要借由俄歇效应进行分析而命名之。这种效应系产生于受激发的原子的外层电子跳至低能阶所放出的能量被其他外层电子吸收而使后者逃脱离开原子，这一连串事件称为俄歇效应，而逃脱出
俄歇效应发现过程
奥地利科学家Lise Meitner在1920年首先观察到俄歇过程。1925年，Pierre Victor Auger在Wilson云室实验中采用高能X射线来电离气体，并观察到了光电子。对电子的测量分析表明其轨迹与入射光子的频率无关，这表明电子电离的机制是原子内部能量交换或无辐射跃迁；运用基本量子力
平行俄歇电子分析仪
俄歇电子能谱(AES)是目前用于固体最表层原子元素标识的一种方法,对于许多先进电子设备的研发至关重要,而且也广泛应用于从气相化学到纳米结构表征等多个领域。现有AES硬件仍存在着笨重、昂贵、速度慢等问题,而且需要超高真空环境来实现分析功能。英国约克大学研制的分析仪可在一秒钟内捕捉到全部俄歇光谱。
平行俄歇电子分析仪
俄歇电子能谱法(AES)是一种了解固体原子层面特性的方法,这一方法对开发许多最先进的电子设备至关重要,已经成功应用于从气相化学到纳米结构特性的广泛领域。
俄歇电子像的功能介绍
中文名称俄歇电子像英文名称Auger electron image定 义在扫描电子显微镜中，用俄歇电子所成的像。应用学科机械工程（一级学科），光学仪器（二级学科），电子光学仪器-电子光学仪器一般名词（三级学科）
俄歇电子像的功能介绍
中文名称俄歇电子像英文名称Auger electron image定 义在扫描电子显微镜中，用俄歇电子所成的像。应用学科机械工程（一级学科），光学仪器（二级学科），电子光学仪器-电子光学仪器一般名词（三级学科）
俄歇电子能谱的原理
向样品照射电子束后，电子和物质之间产生剧烈的相互作用，如下图（上)所示，各种电子和电磁波被释放出来。由于其中俄歇电子具备各个元素特有的能量，所以如对能谱进行解析，可以鉴定物质表面所存在的元素(定性分析)通过峰强度对比则可以定量测定元素(定量分析)。另外，俄歇电子在物质中非弹性散射情况下前进的距离（平
俄歇电子能谱法（AES）
AES可以用于研究固体表面的能带结构、表面物理化学性质的变化（如表面吸附、脱附以及表面化学反应）；用于材料组分的确定、纯度的检测、材料尤其是薄膜材料的生长等。俄歇电子能谱（Auger Electron Spectrometry，简称AES）是用具有一定能量的电子束(或X射线)激发样品俄歇效应，通过检
俄歇电子能谱仪器构造
俄歇能谱仪包括电子光学系统、电子能量分析器、样品安放系统、离子枪、超高真空系统。以下分别进行介绍。电子光学系统电子光学系统主要由电子激发源（热阴极电子枪）、电子束聚焦（电磁透镜）和偏转系统（偏转线圈）组成。电子光学系统的主要指标是入射电子束能量，束流强度和束直径三个指标。其中AES分析的最小区域基本
俄歇电子能谱仪简介
俄歇电子能谱仪（AugerElectronSpectroscopy，AES），作为一种最广泛使用的分析方法而显露头角。这种方法的优点是：在靠近表面5-20埃范围内化学分析的灵敏度高；数据分析速度快；能探测周期表上He以后的所有元素。虽然最初俄歇电子能谱单纯作为一种研究手段，但现在它已成为常规分析
俄歇电子能谱的特点
①俄歇电子的能量是靶物质所特有的，与入射电子束的能量无关。右图是一些主要的俄歇电子能量。可见对于Z=3-14的元素，最突出的俄歇效应是由KLL跃迁形成的，对Z=14-40的元素是LMM跃迁，对Z=40-79的元素是MNN跃迁。大多数元素和一些化合物的俄歇电子能量可以从手册中查到。②俄歇电子只能从20
俄歇电子能谱仪AES（PHI700Xi）扫描俄歇纳米探针
PHI的700Xi扫描俄歇电子能谱仪(AES) 提供高性能的扫描俄歇电子(AES) 频谱分析，俄歇成像和溅射深度分析的复合材料包括：纳米材料，催化剂，金属和电子设备。维持基于PHI CMA的核心俄歇仪器性能，和响应了用户所要求以提高二次电子（SE）成像性能和高能量分辨率光谱。PHI的同轴镜分析仪（C
俄歇跃迁几率及荧光几率与原子序数的关系
对于Z≤14的元素，采用KLL俄歇电子分析；14
俄歇电子能谱法的简介
中文名称俄歇电子能谱法英文名称Auger electron spectroscopy定 义测量和分析试样产生的俄歇电子的能谱的电子能谱法。应用学科机械工程（一级学科），分析仪器（二级学科），能谱和射线分析仪器-能谱和射线分析仪器分析原理（三级学科）
通过俄歇电子谱研究化学组态
（1）原子“化学环境”指原子的价态或在形成化合物时，与该(元素)原子相结合的其它(元素)原子的电负性等情况如：原子发生电荷转移(如价态变化)引起内层能级变化，从而改变俄歇跃迁能量，导致俄歇峰位移；（2）原子“化学环境”变化，不仅可能引起俄歇峰的位移(称化学位移)，也可能引起其强度的变化，这两种变化的
俄歇电子能谱的物理原理
入射电子束和物质作用,可以激发出原子的内层电子形成空穴。外层电子填充空穴向内层跃迁过程中所释放的能量,可能以X光的形式放出,即产生特征X射线,也可能又使核外另一电子激发成为自由电子,这种自由电子就是俄歇电子。入射电子束和物质作用,可以激发出原子的内层电子。外层电子向内层跃迁过程中所释放的能量,可能以
俄歇电子能谱分析的用途
元素的定性和半定量分析（相对精度30%）；元素的深度分布分析（Ar离子束进行样品表面剥离）；元素的化学价态分析；界面分析
俄歇电子能谱仪的简介
欧杰电子能谱术也称俄歇电子能谱仪（Auger electron spectroscopy，简称AES），是一种表面科学和材料科学的分析技术。因此技术主要借由俄歇效应进行分析而命名之。这种效应系产生于受激发的原子的外层电子跳至低能阶所放出的能量被其他外层电子吸收而使后者逃脱离开原子，这一连串事件称为俄
俄歇电子能谱仪的应用
近年来,俄歇电子能谱仪( AES) 在材料表面化学成分分析、表面元素定性和半定量分析、元素深度分布分析及微区分析方面崭露头角。AES 的优点是,在距表面 0.5 ～ 2nm 范围内, 灵敏度高、分析速度快,能探测周期表上 He 以后的所有元素。最初,俄歇电子能谱仪主要用于研究工作 ,现已成为一种常规
俄歇电子能谱法（AES）介绍
俄歇电子能谱法是用具有一定能量的电子束(或X射线)激发样品俄歇效应，通过检测俄歇电子的能量和强度，从而获得有关材料表面化学成分和结构的信息的方法。利用受激原子俄歇跃迁退激过程发射的俄歇电子对试样微区的表面成分进行的定性定量分析。
俄歇电子能谱分析的依据
俄歇电子的激发方式虽然有多种（如X射线、电子束等），但通常主要采用一次电子激发。因为电子便于产生高束流，容易聚焦和偏转。分析依据：俄歇电子的能量具有特征值，其能量特征主要由原子的种类确定，只依赖于原子的能级结构和俄歇电子发射前它所处的能级位置, 和入射电子的能量无关。测试俄歇电子的能量，可以进行定性