扫描电子显微学中二次电子产生的MonteCarlo模拟

二次电子是扫描电子显微镜中最为基础和常用的信号。同时,实验中所测得的二次电子信号的产生也是最为复杂的。由理论计算来得到二次电子的产额以及能谱,并与实验进行对比分析有助于加深对二次电子产生的理解,进而对实验中如何更有效的得到和利用二次电子有着重要的意义。本文首先简单介绍扫描电子显微镜的原理及目前的发展情况,概述了电子与固体相互作用研究的发展,以及实验中二次电子相关的现象及其原理。(第1章)二次电子产生的与电子在固体中复杂的输运过程紧密相关。理论上,很难通过解析公式得到二次电子的产额以及能谱,因此我们使用Monte Carlo模拟来得到所需要的结果。电子在固体中的输运过程一般可以简化为电子与固体之间一系列的弹性或者非弹性碰撞以及在连续两次碰撞之间电子自由飞行的过程。这两种不同的碰撞可以通过相应的理论来进行描述。弹性碰撞已经有了较为透彻的研究,人们发现Mott弹性散射截面可以较为准确的描述电子在固体中的弹性散射。而对于非弹性散射,Pe......阅读全文

扫描电子显微学中二次电子产生的Monte-Carlo模拟

二次电子是扫描电子显微镜中最为基础和常用的信号。同时,实验中所测得的二次电子信号的产生也是最为复杂的。由理论计算来得到二次电子的产额以及能谱,并与实验进行对比分析有助于加深对二次电子产生的理解,进而对实验中如何更有效的得到和利用二次电子有着重要的意义。本文首先简单介绍扫描电子显微镜的原理及目前的发展

反射电子能量损失能谱学中的Monte-Carlo方法

最近几十年随着纳米材料研究的兴起与发展,材料表面与其所处的环境相互作用所导致的表面性质越来越吸引研究者的目光。一大批专门表征材料表面的分析手段被发明,而对这些表面分析手段的进一步研究,逐渐成为物理领域中的一个重要分支-表面分析科学。在表面分析领域的种种表征手段中,表面电子能谱分析技术应用相当广泛。表

Monte-Carlo方法计算定量俄歇电子能谱分析中的背散射因子

本文通过Monte Carlo方法模拟计算了定量俄歇电子能谱分析(如对Ni的L3VV俄歇电子和Pt的M5N67N67俄歇电子)中的背散射因子。由于计算中结合了相关领域的各种最新进展,因此该新计算可以为定量俄歇电子能谱分析提供更为准确的参数。 

量子与经典方法研究粒子与固体的相互作用

电子显微技术以及电子能谱技术已成为材料表征特别是定量分析的重要工具。作为这些技术的物理基础,电子与固体相互作用的研究对定量解释实验电子显微成像或电子能谱起着至关重要的作用,成为凝聚态物理研究的一个非常重要的研究领域。本论文分别采用经典Monte Carlo方法、波动力学方法和玻姆力学方法,从不同角度

量子与经典方法研究粒子与固体的相互作用

电子显微技术以及电子能谱技术已成为材料表征特别是定量分析的重要工具。作为这些技术的物理基础,电子与固体相互作用的研究对定量解释实验电子显微成像或电子能谱起着至关重要的作用,成为凝聚态物理研究的一个非常重要的研究领域。本论文分别采用经典Monte Carlo方法、波动力学方法和玻姆力学方法,从不同角度

扫描电子显微成像及弹性电子峰谱分析的模拟研究

电子显微和电子能谱分析技术的迅速发展和广泛应用,需要理论方面的研究支持。本文首先简单介绍了扫描电子显微镜等相关探测技术的基本原理和发展趋势,概述了相关的电子与固体相互作用的理论、Monte Carlo模拟计算方法在相关领域的应用。其次,概述了扫描电子显微(SEM)和扫描俄歇电子显微(SAM)成像模拟

如何呈现扫描电镜样品表面的“真实形貌”?

扫描电子显微镜(SEM)是依靠电子束与样品相互作用产生俄歇电子、特征 X 射线和连续谱 X 射线、背散射电子等信号,对样品进行分析研究。 扫描电镜在表征样品时,受诸多参数的影响,不同类型样品应选用合适的参数,才能呈现出样品更真实的表面信息。如在不同的加速电压下,电子束

基于模拟退火法的医用电子加速器6MV-X射线能谱重建

根据测量的中轴百分深度剂量(PDD)以及Monte-Carlo模拟的单能光子PDD,研究基于模拟退火(SA)算法重建医用电子加速器6MV X射线能谱的方法。在优化过程中,选择60个能量间隔,对应不同的相对权重,选择目标函数为重建PDD(即各相对权重与Monte-Carlo模拟单能光子PDD的乘积)与

扫描电镜中二次电子像为什么比背射电子像的分辨率更高

在同一个像素点,主要二次电子取样区相对背散射电子取样区要小很多,因此在相同大小微观区域,可以分割排列更多像素,图像分辨率因此更高!

扫描电镜分析样品表面的深度是多少

扫描电镜是利用聚焦电子束进行微区样品表面形貌和成分分析,电子从发射源(灯丝)经光路系统最终到达样品表面,电子束直径可到 10 nm 以下,场发射电镜的聚集电子束直径会更小。聚焦电子束到达样品表面会激发出多种物理信号,包括二次电子(SE),背散射电子(BSE),俄歇电子(AE)、特征 X 射线(X-r

扫描电镜-SEM-都产生了哪些电子?

扫描电镜 SEM 都产生了哪些电子?电子与样品的相互作用会产生不同种类的电子、光子或辐射。对于扫描电镜 SEM 来说,用于成像的两类电子分别是背散射电子 (BSE) 和二次电子 (SE)。背散射电子来自于入射电子束,这些电子与样品发生弹性碰撞,其中一部分反弹回来,这就是背散射电子。另一方面,二次电子

扫描电子显微镜的二次电子检测

  最常见的成像模式是收集低能(< 50 eV)二次电子,这些低能二次电子是通过一次电子与样品原子的非弹性散射相互作用从导带或价带发射出来的。由于能量低,这些电子源于样品表面以下几纳米的区域。[27] 采用艾弗哈特-索恩利探测器( Everhart-Thornley detector)可以探测到二次

电子显微学发展简史

最早的显微镜是16世纪末期在荷兰制造出来的。发明者是亚斯·詹森,荷兰眼镜商,或者另一位荷兰科学家汉斯·利珀希,他们用两片透镜制作了简易的显微镜,但并没有用这些仪器做过任何重要的观察。后来有两个人开始在科学上使用显微镜。第一个是意大利科学家伽利略。他通过显微镜观察到一种昆虫后,第一次对它的复眼进行了描

扫描电镜之二次电子

入射电子与样品相互作用后,使样品原子较外层电子(价带或导带电子)电离产生的电子, 称二次电子。二次电子能量比较低,习惯上把能量小于 50eV 电子统称为二次电子。二次电 子能量低,仅在样品表面 5nm-10nm 的深度内才能逸出表面,这是二次电子分辨率高的重 3 要原因之一。凸凹不平的样品表

扫描电镜中的二次电子分析

 如果在样品的上方安装一个环形电子检测器,用于搜集从样品出射的能量在0~E。范围内的电子,可以获得一条类似图的曲线,横坐标为出射电子能量E,纵坐标为电子数量N。曲线最右端E。处是弹性背散射电子峰,仅占一小部分,大部分背散射电子在E。左边I区域,其能量损失小于40%,对于多数中等和高原子序数的样品出射

见证中国电子显微学新时代-记2019电子显微学学术年会

  分析测试百科网讯 2019年10月16日,2019年全国电子显微学学术年会在合肥隆重举行。本届年会主题是“中国电子显微学快速发展的新时代”,共开设了10个精彩分论坛,为中国电镜人带来一场学术盛宴。本次会议共有近1300余人出席、参与。分析测试百科网与中国电子显微镜学会共同为您带来年会精彩报导。北

俄歇电子能谱仪在氧化铜定量分析中的应用

将基体效应修正引入到俄歇电子能谱仪定量分析中,基于Monte Carlo模拟和TPP-2M模型进行了氧化铜样品中各元素背散射因子和非弹性平均自由程的计算,对氧化铜标样在相同条件下重复10次进行俄歇能谱试验。将修正因子引入到氧化铜标样的俄歇定量分析中,基体效应修正后,氧化铜中各元素含量的相对误差大大减

2018年扫描透射电子显微学国际研讨会在京召开

  分析测试百科网讯 2018年5月10日至12日,2018年扫描透射电子显微学国际研讨会在北京召开。本次国际研讨会汇集一批国内外知名的电子显微学专家学者,共同探讨交流球差校正电子显微学研究领域的最新进展。报告内容涵盖最新电镜设备研发进展、新的成像及谱学技术开发、原子尺度结构及电子能量损失谱学分析、

研究提出纳米尺度最优等效超晶胞原子模型算法

近日,西安交通大学电气工程学院新型储能与能量转换纳米材料研究中心肖冰教授课题组提出了基于高熵及多相材料介观尺度原子无序排布特征进行映射的算法来构建底层纳米尺度最优等效超晶胞原子模型的全新逆向结构缩放算法,实现对已有外延建模算法原理性突破。相关研究成果发表于《计算机物理通讯》上。逆向结构映射设缩放计算

研究提出纳米尺度最优等效超晶胞原子模型算法

近日,西安交通大学电气工程学院新型储能与能量转换纳米材料研究中心肖冰教授课题组提出了基于高熵及多相材料介观尺度原子无序排布特征进行映射的算法来构建底层纳米尺度最优等效超晶胞原子模型的全新逆向结构缩放算法,实现对已有外延建模算法原理性突破。相关研究成果发表于《计算机物理通讯》上。逆向结构映射设缩放计算

二次电子像的二次电子成像

   二次电子像主要是反映样品表面10nm左右的形貌特征,像的衬度是形貌衬度,衬度的形成主要取于样品表面相对于入射电子束的倾角。如果样品表面光滑平整(无形貌特征),则不形成衬度;而对于表面有一定形貌的样品,其形貌可看成由许多不同倾斜程度的面构成的凸尖、台阶、凹坑等细节组成,这些细节的不同部位发射的二

电子探针仪的二次电子及二次电子像介绍

  入射电子与样品相互作用后,使样品原子较外层电子(价带或导带电子)电离产生的电子,称二次电子。二次电子能量比较低,习惯上把能量小于50 eV电子统称为二次电子,仅在样品表面5 nm-10 nm的深度内才能逸出表面,这是二次电子分辨率高的重要原因之一。  当入射电子与样品相互作用时,入射电子与核外电

扫描电子显微镜的二次成像原理

扫描电子显微镜的制造依据是电子与物质的相互作用。扫描电镜从原理上讲就是利用聚焦得非常细的高能电子束在试样上扫描,激发出各种物理信息。通过对这些信息的接受、放大和显示成像,获得测试试样表面形貌的观察。当一束极细的高能入射电子轰击扫描样品表面时,被激发的区域将产生二次电子、俄歇电子、特征x射线和连续谱X

电子轰击二次电子像的概念

中文名称电子轰击二次电子像英文名称electron bombardment secondary electron image定  义在发射电子显微镜中,电子轰击样品激发的二次电子所成的像。应用学科机械工程(一级学科),光学仪器(二级学科),电子光学仪器-电子光学仪器一般名词(三级学科)

第六次华北五省市电子显微学研讨会通知

第六次华北五省市电子显微学研讨会及第八届全国实验室协作服务交流会通知  为促进分析测试实验室面向社会开放服务,加强实验室之间的资源共享与协作,提高实验室(其中包括非常重要的电子显微镜实验室)管理和应用水平,华北五省市电子显微镜学会

优质扫描电子像的获得

优质扫描电子像的获得 前提    这里只讨论扫描电镜是处于正常工作状态下如何改善扫描电子像的质量。所谓扫描电镜处在正常工作状态下是指:①镜筒足够清洁;②电子将系统的安装和调节无误;③镜筒各部分准确合轴对中,使能进行高倍(十万倍左右)聚焦;④电噪音足够小。图像所要求的最低分辨率的确定   仪器工作状态

俄歇电子的产生和俄歇电子跃迁过程

一定能量的电子束轰击固体样品表面,将样品内原子的内层电子击出,使原子处于高能的激发态。外层电子跃迁到内层的电子空位,同时以两种方式释放能量:发射特征X射线;或引起另一外层电子电离,使其以特征能量射出固体样品表面,此即俄歇电子。俄歇跃迁的方式不同,产生的俄歇电子能量不同。上图所示俄歇跃迁所产生的俄歇电

电子衍射花样怎样产生的

电子透射过晶体(或非晶体)后发生衍射,形成一定的衍射谱(花样)。

合肥研究院提出下层原子散射表面电子扫描隧道显微学证据

  一直以来,人们对下层原子与表面电子态之间的关系缺乏认识,因而导致了一系列的争议。近期,中国科学院强磁场科学中心陆轻铀教授课题组提出了一种“集体干涉”理论模型,通过引入层间作用因子,能够定量地揭示它们之间的关联。相关研究以《下层原子散射表面电子的扫描隧道显微学证据》(Scanning tunnel

电子显微学研究发现固态物质新结构

  中国科学院金属研究所研究员陈春林与日本东京大学教授Yuichi Ikuhara、重庆大学副教授尹德强等人合作,在陶瓷材料中发现了区别于晶体、准晶体和非晶体的固态物质新结构一维有序结构(或称为一维有序晶体)。  固态物质按其微观结构的对称性可分为三大类:晶体、准晶体和非晶体。晶体具有旋转对称性和平