2018年全球LED芯片市场现状产能向中国转移【组图】
LED外延生长及芯片制造环节在LED产业链中技术含量高，设备投资强度大，同时利润率也相对较高，是典型的资本、技术密集型行业，其技术及发展水平对各国LED产业结构及各公司的市场地位起着决定性影响。近年来，受到下游需求的拉动，LED在背光、照明等领域的渗透率将不断提高。由于产业利润下降，GE、欧司朗、三星等国际LED巨头纷纷退出照明市场，中国将成为LED产业转移的主要承接平台。LED 芯片制造是全产业链的关键环节LED产业链包括LED衬底制作、LED外延生长、LED芯片制造、LED封装和LED应用五个主要环节，其中LED外延生长与LED芯片制造环节是全产业链的关键环节。LED芯片制造环节首先需根据下游产品性能需求进行LED芯片结构和工艺设计，然后通过退火、光刻、刻蚀、金属电极蒸发、合金化和介质膜等工序形成金属电极，通过关键指标测试后再进行磨片、切割、分选和包装。LED芯片制造所涉及的工序精细且繁多，工序流程管理及制造工艺水平将直接影......阅读全文
天瑞仪器：外延式扩张推进－布局全产业链
核心题材：XRF产品性能优良 公司是目前国内能量色散型X射线荧光光谱仪产品序列最多、生产规模最大的化学分析仪器生产厂家之一。公司生产的能量色散型X射线荧光光谱仪系列产品是国内核心技术最多、技术最全面的产品系列。公司全资子公司邦鑫伟业是目前国内唯一能生产波长色散型X射线荧光光谱仪的厂商。公司是国
LED植物生长灯工作原理
谱植物光照灯原理特征与用途研究：光环境是植物生长发育不可缺少的重要物理环境因素之一，通过光质调节，控制植株形态建成是设施栽培领域的一项重要技术；植物生长灯更加具有环保节能的作用，LED植物灯给植物提供光合作用，促进植物生长，减短植物开花结果用的时间，提高生产！LED植物灯，有助缩短植物的生长
2018年全球LED芯片市场现状－产能向中国转移【组图】
LED外延生长及芯片制造环节在LED产业链中技术含量高，设备投资强度大，同时利润率也相对较高，是典型的资本、技术密集型行业，其技术及发展水平对各国LED产业结构及各公司的市场地位起着决定性影响。近年来，受到下游需求的拉动，LED在背光、照明等领域的渗透率将不断提高。由于产业利润下降，GE、欧司朗、三
中国科大在石墨烯超低温可控外延生长研究取得系列进展
近期，微尺度物质科学国家实验室曾长淦教授研究组与张振宇教授研究组及其国内外同行理论与实验互动性合作，在石墨烯超低温可控外延生长研究方面取得了系列进展，研究成果发表在ACS Nano, Physical Review Letters 和Scientific Reports上。 石墨烯，即
科学家开发出石墨烯/蓝宝石外延衬底－促进AlN薄膜生长
深紫外LED可以广泛应用于杀毒、消菌、印刷和通信等领域，国际水俣公约的提出，促使深紫外LED的全面应用更是迫在眉睫，但是商业化深紫外LED不到10%的外量子效率严重限制了深紫外LED的应用。AlN材料质量是深紫外LED的核心因素之一，AlN薄膜主要是通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）的方法异
金相显微镜在LED生产检测中的应用
LED-- ligth emitt ing diode ，发光二极管的英文缩写LED显示屏-- LED panel， 通过一定的控制方式,用于显示文字、文本、图形、图像、动画、行情等各种信息以及电视、录像信号并由LED器件阵列组成的显示屏幕。全彩色LED显示屏-- all-color LED pan
分子束外延（MBE)
分子束外延设备有很多种。但就其主要结构而论是大同小异的。分子束外延的设备较其他外延技术的设备复杂，要包括超高真空系统努森箱及各种分析仪器。从MBE技术的发展过程看，当初主要是为开发以GaAs为中心的Ⅲ-V族化合物半导体，而后是针对Ⅱ-Ⅵ族和Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体，最近正转向针对Si半导体器件的应用
“小米粒”成“小太阳”，照进“寻常百姓家”
■本报记者 胡珉琦 实习生 荆晓青2000年初，正在美国做高级访问学者的李晋闽，在一场光博会上看到一种会发光的“小米粒”。这是一种半导体发光二极管（LED）的雏形，拢在一起可以照明。这让当时身为中国科学院半导体研究所（以下简称半导体所）研究员的他既紧张又兴奋，并且隐隐感觉到，世界将迎来又一场照明革命
中国科大石墨烯外延生长原子尺度的机理研究取得新进展
近日，中国科学技术大学教授李震宇研究组与中国科大同行合作，在石墨烯外延生长原子尺度的机理研究方面取得新进展，首次揭示出在不同铜衬底上碳-碳二聚体是石墨烯生长的主要碳供给单元，解释了不同铜衬底上石墨烯生长中由不同的关键原子动力学过程所决定的微观机理，并预测了铜表面石墨烯不同生长形态（分维型或密集型
科学家提出倾斜台阶面外延生长菱方氮化硼单晶方法
常见的六方相氮化硼（hBN）因化学稳定、导热性能好以及表面无悬挂键原子级平整等特点，被视为理想的宽带隙二维介质材料。菱方相氮化硼（rBN）可以保持hBN较多优异性质，并具有非中心对称的ABC堆垛结构，因而具备本征的滑移铁电性和非线性光学性质。rBN是极具应用潜力的功能材料，可以为变革性技术应用如存算
分子束外延（MBE）装置
MBE装置由样品进样室、预处理分析室和牛K窜等组成。窜间用闸扳阀隔开，以确保生长室的超高真空与清洁。 根据MBE系统的几何结构相应地配置真空系统。根据要求，3个室的真空配置的配置泵的系统并非一样： (1)进样室。真空度为1.33 x10-6~1 33 x10-8Pa。在l 33×10-6~1
SiC同质外延厚度分析
钝化层分析 钝化层作为保护层、绝缘层或抗反射层，在半 导体材料中扮演着重要的角色。 VERTEX 系列 光谱仪是分析钝化层的理想工具，它可以实 现快速灵敏的无损分析。 磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)中硼和 磷的定量分析 分析SiN等离子层和Si-O基钝化层 分析超低K层
深圳先进院用溶液法实现复杂氧化物大面积外延薄膜生长
近日，中国科学院深圳先进技术研究院医工所纳米调控与生物力学研究中心在复杂氧化物大面积外延薄膜生长领域取得新进展，相关成果以Large-scale multiferroic complex oxide epitaxy with magnetically switched polarization
高质量InAs(Sb)/GaSb核壳异质结纳米线阵列外延生长获进展
一维半导体纳米线凭借其优越、独特的电学、光学、力学等特性，在材料、信息与通讯、能源、生物与医学等重要领域展现出广阔的应用前景。尤其是，基于半导体纳米线的晶体管具有尺寸小、理论截止频率高等优点，为未来在微处理器芯片上实现超大规模集成电路开拓了新的方向。在III-V族半导体材料中，InAs具有小的电
中国科大合作在二维材料异质外延生长研究中取得新进展
近日，中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室博士后陈伟，与美国田纳西大学、中国科学院物理研究所、北京大学等研究机构的同行合作，揭示了弱的范德瓦尔斯力与强的界面化学键在决定生长过程中二维材料相对于衬底晶格的取向时所起的关键协同作用。相关研究成果于11月10日在线发表在《美国科学院院刊》上，陈
研究发现利用硅烯插层打开外延生长的双层石墨烯能隙
石墨烯因其独特的晶格结构而具有诸多优异性能，但其零能隙特征极大地限制了它在电子学器件上的应用。近年来，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心纳米物理与器件重点实验室研究员、中科院院士高鸿钧带领的研究团队在石墨烯及类石墨烯二维原子晶体材料的制备、物性调控及应用等方面开展研究，取得了一系列
广东半导体照明产业技术研究院签约仪式举行
签约仪式现场 9月30日，中科院半导体研究所与广东省科技厅、广东省工业技术研究院、国家半导体照明工程研发及产业联盟举行共建广东半导体照明产业技术研究院和广东省中科宏微半导体设备有限公司的签约仪式，以推动LED核心技术攻关，构建广东LED产业技术创新重大平台和MOCVD产业化基地。
国内首台48片MOCVD样机研发工作取得重大进展
在中国科学院和广东省共同支持下，由中科院半导体研究所负责研制开发的国内首台48片MOCVD样机取得重大进展。 样机不仅经过了真空、压力、温度、旋转、自动传输等一系列设备性能指标实验考核，还进行了氮化镓以及氮化物LED的外延工艺考核。所外延的氮化物材料分别由山东华光、杭州士兰明芯、武汉迪源、
基于简单的支架的多片4HSiC化学气相沉积同质外延生长
虽然在商用化学气相沉积设备中可以在一次运行中实现多片4H－SiC衬底的同质外延生长，但是必须将晶片装载到可旋转的大型基座上，这导致基座的直径随着数量或者外延晶片总面积的增加而增加。在这项工作中，我们展示了一种简便的方法，通过自制的常规单晶片化学气相沉积设备，在没有大型基座的情况下，在简单的支架上放置
第三代半导体有望写入下月十四五规划－成国产替代希望
近日，有媒体报道称，权威消息人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。国信证券研报中指出半导体第三代是指半导体材料的变化，从第一代、
科学家发现促进AlN薄膜生长实现深紫外LED的新策略
深紫外LED可以广泛应用于杀毒、消菌、印刷和通信等领域，国际水俣公约的提出，促使深紫外LED的全面应用更是迫在眉睫，但是商业化深紫外LED不到10%的外量子效率严重限制了深紫外LED的应用。AlN材料质量是深紫外LED的核心因素之一，AlN薄膜主要是通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）的方法异
分子束外延要点解析
一、分子束外延 (Molecular Beam Epitaxy，MBE)简介 在超高真空环境下， 使具有一定热能的一种或多种分子 (原子) 束流喷射到晶体衬底 ，在衬底表面发生反应的过程，由于分子在 "飞行"过程中几乎与环境气体无碰撞 ，以分 子束的形式射向衬底 ，进行外延生长， 故此而得名。
分子束外延（MBE）的特点
（1）生长速率极慢，大约1um/小时，相当于每秒生长一个单原子层，因此有利于实现精确控制厚度、结构与成分和形成陡峭的异质结构等。实际上是一种原子级的加工技术，因此MBE特别适于生长超晶格材料。 （2）外延生长的温度低，因此降低了界面上热膨胀引入的晶格失配效应和衬底杂质对外延层的自掺杂扩散影响。
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（一）
全球有40%的能量作为电能被消耗了, 而电能转换最大耗散是半导体功率器件。我国作为世界能源消费大国, 如何在功率电子方面减小能源消耗成了一个关键的技术难题。伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅和氮化镓为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。 早在1893年诺贝尔奖获得者法国化
光谱仪配件LED－|－LED光源
上海闻奕光电科技有限公司生产的LED光源有紫外至近红外各种规格。均为SMA905接口输出，其耦合效率高，光纤耦合输出的光功率约为1~5mw。建议使用光纤：纤芯直径≥600um，数值孔径0.22NA。常规LED光源波长：265~1330nm波段范围内的各种规格。应用范围：广泛应用于高解析度光学、荧光
Mini－LED－－Micro－LED差异解析（三）
2．市场发展分析苹果与Sony抢先布局，瞄准两种极端尺寸应用：苹果：专攻小尺寸 Micro LED 应用，2016 年已实验性点亮了 6 寸 Micro LED 显示器。Sony ：专攻大尺寸的 Micro LED 屏幕，早在 2012 年推出“Crystal LED Display”（像素间距约
Mini－LED－－Micro－LED差异解析（四）
痛点：打线、焊接易错位打线、焊接的操作是通过PR图像技术进行精准定位的。随着技术的发展，Mini LED体积越来越小，对于图像处理能力要求也更高。五、Mini LED制造设备及生产厂商名录芯片制造设备厂商：（信息来源：MIR Databank）封装测试设备厂商：（信息来源：MIR Databank）
Mini－LED－－Micro－LED差异解析（一）
Mini LED和Micro LED被视为新一代显示技术，其市场前景备受看好。Mini LED和Micro LED概念既然如此火热，那么它们到底是什么？两者又有什么区别？MIR 睿工业将带您从研发进展、行业应用、厂商布局、设备痛点等角度，对两者进行分析。一、定义Mini LED定义：Mini LED
Mini－LED－－Micro－LED差异解析（二）
瑞丰光电：● 2020年第一季度报告，瑞丰光电营业收入2．28亿元，同比减少26．01％；归属于上市公司股东的净利润0．07亿元，同比减少56．06％。● 5月，瑞丰光电发布公告拟在浙江义乌投资全彩表面贴装LED（全彩LED）封装扩产项目、MiniLED背光封装生产项目、Micro LED技术研发中
疫情反复－需求低迷，半导体芯片企业如何逆境求生？
9月7日，三星电子分管DS（半导体）部门的社长庆桂显表示，预计芯片销售大幅下滑的局面将持续到明年，“今年下半年看起来很糟糕，到目前为止，似乎并没有显示出明年明显改善的势头”。花旗集团一位分析师则警告称，半导体行业正进入10年来最严重的低迷期，并预测芯片板块可能再下跌25%。那么疫情反复，下游消费不振