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后FinFET时代的技术演进（二）

需要微缩助推器在6T和5T的低单元高度下，向Nanosheet器件的迁移变得最佳，因为在这种情况下，fin的减少会降低传统基于FinFET的单元中的驱动电流。但是，如果不引入结构化微缩助推器（如埋入式电源轨和环绕式接触），就无法将单元高度从6T减小到5T。电源轨为芯片的不同组件提供电源，并且一般由BEOL中Mint和M1层提供。但是，它们在那里占据了很大的空间。在嵌入式电源轨结构中，电源轨埋在芯片的前段，以帮助释放互连的布线资源。此外，它们为采用节距微缩而增加BEOL电阻的技术提供了较低的电阻局部电流分布。BEOL没有电源轨后，可以将标准单元的高度从6T进一步降低到5T。下一步：缩小p和n之间的间距随着走向更小的轨道高度的旅程的继续，单元高度的进一步减小将要求标准单元内nFET和pFET器件之间的间距更小。但是，对于FinFET和Nanosheet而言，工艺限制了这些n和p器件之间的间距。例如，在FinFET架构中，通常在n和p......阅读全文