应力诱导曲率对4HSiCMOS平带电压和界面态密度的影响
碳化硅（SiC）上的栅氧化膜会严重影响SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的性能。本文作者通过电容 － 电压（C－V）测试研究了应力／应变引起的曲率对栅氧界面态密度（Dit）的影响。外延晶片的曲率通过薄膜应力测量系统进行测试。在干热氧化过程中，压缩／拉伸曲率导致SiO2的正Vfb偏移（负固定电荷），SiO2 ／ SiC的界面态密度增加。另外，文章还发现样品的横光学（TO）声子波数与薄膜的曲率有关，这表明应力主要会影响SiO2 ／ SiC的界面。根据实验结果，本文作者提出“无应力”氧化膜可能是SiC－MOSFET应用的最佳选择。实验选择4英寸SiC全晶片进行，其可以测量由应力引起的曲率。4° 偏角n型4H－SiC（0001）Si面衬底，其上生长为有效载流子密度（Nd－Na）8×10E15cm－3下氮掺杂的（12μm）外延层，可用于制造MOS电容。通过薄膜应力测量系统FLX－2320－S......阅读全文
研究揭示硅基光电极中界面特征对性能的影响
近日，中国科学院大连化学物理研究所李灿院士、副研究员姚婷婷等在光电催化分解水研究方面取得重要进展，以单晶硅光电极为模型，识别了金属—氧化物—半导体（MOS）结构光阳极中制约其性能的关键界面因素，并针对性地引入相关界面调控策略，有效地促进了光生电荷分离提取和利用效率，实现了对光电转化器件的理性设计和优
上海微系统所开发出面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得进展。8月7日，相关研究成果以《面向顶栅结构二维晶体管的单晶金属氧化物栅介质材料》（Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-
李灿：硅基光电极中界面特征对性能的影响
近日，中国科学院大连化学物理研究所李灿院士、副研究员姚婷婷等在光电催化分解水研究方面取得重要进展，以单晶硅光电极为模型，识别了金属—氧化物—半导体（MOS）结构光阳极中制约其性能的关键界面因素，并针对性地引入相关界面调控策略，有效地促进了光生电荷分离提取和利用效率，实现了对光电转化器件的理性设计
电源设计经验之MOS管驱动电路
在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速
同温度时水的密度、粘度及与空气界面上的表面张力界...
同温度时水的密度、粘度及与空气界面上的表面张力界面张力不同温度时水的密度、粘度及与空气界面上的表界面张力表3 不同温度时水的密度、粘度及与空气界面上的表面张力t/℃d/(g•cm-3)η/(10-3Pa•s)γ/(mN•m-1)051011121314151617181920212223242526
科学家开发面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆
8月7日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称上海微系统所）研究员狄增峰团队，在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得突破性进展，相关研究发表于《自然》。硅基集成电路是现代技术进步的基石，但在尺寸缩小方面面临着严峻的挑战。二维半导体材料具有高载流子迁移率和抑制短沟道效
X射线光电子能谱—扫描电镜联用表征技术最新进展
科学技术在不断的蓬勃发展，日新月异的创新不仅改变着我们的生活方式，也推动着样品分析表征领域前所未有的进步与探索。目前，在样品分析表征中，仍然存在着多项挑战： 对样品的全面了解通常需要使用不同的仪器进行分析 扫描电子显微镜（SEM）： 提供高空间分辨的样品表面形貌图像，利用配套的X射线能谱分
科学家开发面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆
8月7日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称上海微系统所）研究员狄增峰团队，在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得突破性进展，相关研究发表于《自然》。硅基集成电路是现代技术进步的基石，但在尺寸缩小方面面临着严峻的挑战。二维半导体材料具有高载流子迁移率和抑制短沟道效
CMOS场效应管相关介绍
电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，
ESENSING和ALPHA－MOS联合参加2009－BCEIA展会
ESENSING 和 ALPHA MOS 联合参加2009年11月25日至28日由中国分析测试协会主办的在北京展览馆举行的第十三届北京分析测试学术报告会及展览会(BCEIA)。展位号为3056，3058和3060，欢迎莅临。
臭名昭著的MOS管米勒效应（一）
如下是一个NMOS的开关电路，阶跃信号VG1设置DC电平2V，方波（振幅2V，频率50Hz），T2的开启电压2V，所以MOS管T2会以周期T＝20ms进行开启和截止状态的切换。首先仿真Vgs和Vds的波形，会看到Vgs＝2V的时候有一个小平台，有人会好奇为什么Vgs在上升时会有一个小平台？MOS管V
MOS器件的发展与面临的挑战（一）
随着集成电路工艺制程技术的不断发展，为了提高集成电路的集成度，同时提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不断缩小，MOS器件面临一系列的挑战。例如短沟道效应（Short Channel Effect - SCE），热载流子注入效应（Hot Carrier Inject -
臭名昭著的MOS管米勒效应（二）
那在米勒平台究竟发生了一些什么？以NMOS管来说，在MOS管开启之前，D极电压是大于G极电压的，随着输入电压的增大，Vgs在增大，Cgd存储的电荷同时需要和输入电压进行中和，因为MOS管完全导通时，G极电压是大于D极电压的。所以在米勒平台，是Cgd充电的过程，这时候Vgs变化则很小，当Cgd和Cgs
MOS器件的发展与面临的挑战（二）
1.8HKMG技术当MOS器件的特征尺寸不断缩小45nm及以下时，为了改善短沟道效应，沟道的掺杂浓度不断提高，为了调节阈值电压Vt，栅氧化层的厚度也不断减小到1nm。1nm厚度的SiON栅介质层已不再是理想的绝缘体，栅极与衬底之间将会出现明显的量子隧穿效应，衬底的电子以量子的形式穿过栅介质层进入栅，
我所在水电解制氢低/非Pt催化剂研究上取得新进展
缺乏取代Pt基与低Pt型高性价比析氢催化剂是几十年来困扰水电解制氢的商业化应用的主要因素。目前的难点在于：缺乏同时解决催化剂本征活性，活性位点密度，导电性和稳定性问题的策略。只有当电子导电性，活性位点密度，本征活性和稳定性问题同时得到解决时，低/非Pt催化剂才能实现在HER催化上的真正应用。
研究揭示无机/有机界面三线态能量转移动力学机理
近日，中国科学院大连化学物理研究所光电材料动力学特区研究组研究员吴凯丰团队通过合理构建无机纳米晶-多环芳烃分子模型体系的能级结构，结合超快时间分辨光谱技术，揭示了电荷转移态介导的三线态能量转移（CT-mediated TET）模型，在无机/有机界面三线态能量转移动力学研究方面取得新进展。 近年
物理所揭示二硫化钼嵌锂诱导结构相变的原子机制
层状金属硫化物体系具有多变的原子配位结构和电子结构，电子和声子之间存在很强的相互作用。层间较弱的范德瓦尔斯力使得可以通过嵌入各种功能化的分子和离子来调控材料的性质。二硫化钼（MoS2）及其插层化合物在很多方面具有重要的应用价值，例如制备催化剂、吸附剂、固体电解质、感应器、电致变色显示器以及二次锂
我所揭示硅基光电极中界面特征对性能的影响
近日，我所太阳能研究部（DNL16）李灿院士、姚婷婷副研究员等在光电催化分解水研究方面取得重要进展，以单晶硅光电极为模型，识别了金属—氧化物—半导体（MOS）结构光阳极中制约其性能的关键界面因素，并针对性地引入相关界面调控策略，有效地促进了光生电荷分离提取和利用效率，实现了对光电转化器件的理性设
中国科大在二维器件范德华接触研究中取得进展
近日，我校合肥微尺度物质科学国家研究中心曾华凌教授、物理学院乔振华教授和化学与材料科学学院邵翔教授在二维电学器件范德华接触研究中取得新进展，展示了一种制备二维电学器件的“全堆叠”技术，优化了二维材料与金属电极之间的界面接触，为二维电学器件的制备提供了一种高效、高质量且高稳定性的普适方法。相关研究成果
高品质表面/界面张力仪－界面张力仪
表面/界面张力仪 ，高品质表面/界面张力仪 ，表面/界面张力仪 型号，表面/界面张力仪 原理，便携式表面/界面张力仪 ，表面/界面张力仪 的专业生产厂家：郑州南北仪器设备有限公司, 表面/界面张力仪 ，张力仪是南北仪器设备有限公司主推的品牌产品之一，历经市场检验，全国！详细优惠价格请咨询：,（廖女士
真密度又名真实密度、骨架密度
真密度（真实密度、骨架密度）：指材料在*密实状态下，单位“固体物质的实际体积（不包括内部空隙，即不包含开孔和闭孔以及颗粒间空隙）”的质量。真密度与密度的概念相同。 公式如下： ρz=m/Vz 公式中 ρz—— 材料的真实密度，kg/ m3 或 g/cm3；
真密度又名真实密度、骨架密度
真密度（真实密度、骨架密度）：指材料在*密实状态下，单位“固体物质的实际体积（不包括内部空隙，即不包含开孔和闭孔以及颗粒间空隙）”的质量。真密度与密度的概念相同。 公式如下： ρz=m/Vz 公式中 ρz—— 材料的真实密度，kg/ m3 或 g/cm3； m—
真密度又名真实密度、骨架密度
真密度（真实密度、骨架密度）：指材料在*密实状态下，单位“固体物质的实际体积（不包括内部空隙，即不包含开孔和闭孔以及颗粒间空隙）”的质量。真密度与密度的概念相同。 公式如下： ρz=m/Vz 公式中 ρz—— 材料的真实密度，kg/ m3 或 g/cm3； m—
全面解析MOS管特性、驱动和应用电路
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 下面是我对MOS及MOS驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，并非原创。包括M
我国找到二维双层扭角过渡金属硫族化合物材料制备新方法
西北工业大学柔性电子研究院教授、博士生导师，中国科学院黄维院士团队王学文教授课题组，提出通过重构成核策略制备双层扭角过渡金属硫族化合物（TB-TMDCs）材料的新方法，实现了其层间扭转角度从0°到120°的制备，相关成果发表在《自然·通讯》上。 TB-TMDCs以其与摩尔超晶格相关的平带结构和
密度的概念－密度仪－密度测定－石油密度
在物理学中，把某种物质单位体积的质量叫做这种物质的密度。 1、某种物质的质量和其体积的比值，即单位体积的某种物质的质量，叫作这种物质密度。符号ρ。单位为千克/米^3。其数学表达式为ρ=m/V。在国际单位制中，质量的主单位是千克，体积的主单位是立方米，于是取1立方米物质的质量作为物质的密度。对于非均
污泥界面仪
污泥界面仪利用可靠的超声波回波检测原理，检测出传感器探头与污泥界面的距离和底面的距离，实现了0-30米污泥厚度变化实时监测和相关工艺过程的控制，污泥界面仪优化了排泥控制和加药控制，防止出水恶化，避免污泥脱氮和分解，优化工艺控制流程。
界面张力仪
仪器简介本仪器是我公司2013年推向市场的最新产品。技术先进、外形美观、功能强大、操作方便、移动灵活。采用嵌入式计算机系统代替PC机。操作、试验、分析、保存完全与PC机一样。具有试验皿试验速度任意设定、液体温度可以测定，采用通用控温仪表控制温度，操作简单灵活。试验时吊片和吊环在液体中的停留时间可以任
界面张力仪
界面张力仪是指两相接触的约几个分子厚度的过渡区，如其中一相为气体，这种界面通常称作为表面。 严格说表面应是液体和固体与其饱和蒸汽之间的界面，但习惯上把液体或固体与空气的界面称为液体或固体的表面。界面是指两相接触的约几个分子厚度的过渡区，如其中一相为气体，这种界面通常称作为表面。 严格说表面应是液体和
界面张力仪
全自动张力仪是一种用物理方法代替化学方法的简单易行的测试仪器，用其可以迅速准确地测出各种液体的表面张力值。在水电部门,可以通过测定表面张力值来加强对绝缘油油质的监督，在石油、化工、科研和教育部门，可以用来测试各种液体的表面张力值，以便分析各种液体，另外也可在教学中使用。 测量技术 ● 铂金板法 ●