上海光机所氧化铟锡薄膜光电特性调控技术研究获进展
近期，中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室在调控氧化铟锡（ITO）薄膜光电特性研究中取得进展，利用高效、可选择性的准连续（QCW）激光退火技术对ITO薄膜载流子进行调控，在基本不改变ITO薄膜导电特性的前提下，实现ITO薄膜近红外波段透过率的显著提升。相关研究成果发表在《应用表面科学》（Applied Surface Science）上。 ITO具有较高的载流子浓度，是一种重要的透明导电材料。高载流子浓度使ITO薄膜具有良好导电性的同时，也造成其近红外波段透过率的降低，导致ITO薄膜在近红外波段的透过率和导电性的相互制约较为明显，在一定程度上影响了ITO薄膜在近红外波段液晶光学器件、电致发光器件和等离子传感器等光电器件的研究和应用推广。 鉴于ITO薄膜的导电性和近红外波段的透过与载流子浓度相关，研究团队开展1064nm QCW激光退火技术对ITO薄膜载流子浓度的调控研究。结果表明，在QCW退火可有效降低ITO薄......阅读全文
上海光机所氧化铟锡薄膜光电特性调控技术研究获进展
近期，中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室在调控氧化铟锡（ITO）薄膜光电特性研究中取得进展，利用高效、可选择性的准连续（QCW）激光退火技术对ITO薄膜载流子进行调控，在基本不改变ITO薄膜导电特性的前提下，实现ITO薄膜近红外波段透过率的显著提升。相关研究成果发表在《应用表面科学》
研究人员在氧化铟锡薄膜激光退火技术研究中获进展
近日，中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室在1064nm准连续激光退火氧化铟锡（ITO）薄膜研究中取得新进展，发现准连续激光退火诱导ITO薄膜表面形貌的变化和温升的依赖关系。相关成果发表在《光学材料快报》（Optical Materials Express）上。 ITO是最重要的透明
氮化铟的基本特性
利用金属有机化学气相淀积生长的氮化铟薄膜的光致发光特性，由于氮化铟本身具有很高的背景载流子浓度，费米能级在导带之上，通过能带关系图以及相关公式拟合光致发光图谱可以得到生长的氮化铟的带隙为0.67cV,并且可以计算出相应的载流子浓度为 n = 5.4×10cm，从而找到了一种联系光致发光谱与载流子浓度
全球首款手机用石墨烯电容触摸屏研制成功
1月8日，江南石墨烯研究院对外发布，全球首款手机用石墨烯电容触摸屏在常州研制成功。该成果经上海科学技术情报研究所和厦门大学查新，显示为国内首创，国外尚处于研发和概念机阶段。 现有手机触摸屏的工作层中不可缺少的材料为陶瓷材料氧化铟锡。氧化铟锡的价格高、用量大、易碎、有毒性(与铅的毒性可比)。
我国学者在碳纳米管透明导电薄膜研究方面取得重要进展
在国家自然科学基金项目（项目编号：51625203、51532008、51521091）等的资助下，中国科学院金属研究所成会明、刘畅研究团队在碳纳米管透明导电薄膜研究方面取得突破。研究成果以“Ultrahigh-performance Transparent Conductive Films o
双缝实验首次在时间维度重建
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/4/497882.shtm原始双缝实验艺术图。图片来源：英国《自然》杂志网站科技日报讯 （记者刘霞）英国科学家在3日出版的《自然·物理学》杂志上发表论文指出，他们借助一种能在飞秒（千万亿分之一秒）内改变特性的“
耿宏章团队新型膜让手机屏幕更轻柔
手机触摸屏的奥秘，都在一张薄薄的导电膜上。目前，市场上广泛使用的透明导电薄膜多采用铟锡氧化物(ITO)薄膜，但铟是一种稀有金属，其可开采储量不断减少。碳纳米管(CNT)导电薄膜作为性能更好的替代品，近年来逐渐得到人们的关注。近日，天津工业大学教授耿宏章团队研发出可穿戴用柔性光电薄膜制备技术，将一种简
物理所实现柔性碳纳米薄膜的透明导电协同提升和大面积制备
未来，电子、光电、能源等领域需要大面积柔性透明导电薄膜（TCF）。由于铟是不可再生资源且价格昂贵以及氧化铟锡固有的脆性，现代技术广泛应用的氧化铟锡TCF难以满足科技发展尤其是新一代柔性电子器件的需求。目前，科学家已开发出碳纳米薄膜、金属纳米线、导电高分子等替代氧化铟锡的透明导电材料。其中，碳纳米薄膜
氧化铟的用途和生产方法
用途用作光谱纯试剂和电子元件的材料等。用途主要用于作电池原材料，荧光屏，玻璃，陶瓷，化学试剂等。生产方法1.将高纯金属铟在空气中燃烧或将碳酸铟煅烧生成In2O、InO、In2O3，精细控制还原条件可制得高纯In2O3。也可用喷雾燃烧工艺制得平均粒径为20nm的三氧化二铟陶瓷粉。2.将氢氧化铟灼烧制备
氧化铟的化学性质
氧化铟（亦称三氧化二铟，In2O3）为白色或黄色粉末，加热转变为红褐色。在氢气或其他还原剂存在下，加热至400～500℃可还原成金属铟或低价铟的氧化物。在高温下分解为低级氧化物。另外，在高温下可与金属铟发生反应，低温灼烧生成的In2O3虽易溶于酸，但经过高Chemicalbook温处理得越完全就越难
我国成功研制单根分散、低接触电阻的单壁碳纳米管
透明导电薄膜是触控屏、平板显示器、光伏电池、有机发光二极管等电子和光电子器件的重要组成部件。氧化铟锡（ITO）是当前应用最为广泛的透明导电薄膜材料，但ITO不具有柔性且铟资源稀缺，难以满足柔性电子器件等的发展需求。单壁碳纳米管（SWCNT）相互搭接形成的二维网络结构具有柔韧、透明、导电等特点，是
分光光度法测定纯锡中的微量铟
一、方法要点将纯锡和铅用酸溶解，加HBr冒烟除锡，加硫酸沉淀PbSO4，试液在pH=4的乙酸-乙酸铵缓冲溶液中，在羧甲基纤维素钠存在下，三价铟与溴邻苯三酚红和氯化十四烷基二甲基苄基铵形成蓝紫色胶束络合物，在分光光度计上用1cm比色皿，波长640nm处测吸光度。二、试剂与仪器(1)溴邻苯三酚红(BPR
氧化亚铜新能源材料研究获进展－提高薄膜光电性能
氧化亚铜（Cu2O）是一种性能优异的半导体材料，它具有2.1eV（590nm）的直接帯隙以及很高的可见光吸收系数，再加上它具有无毒、低价、原料丰富等优点，已成为太阳能转化与利用研究领域的重要材料。理论预计基于Cu2O的太阳能电池效率可达20%，通过掺杂引入合适的中间带（intermediate
常用铁磁半导体介绍
以下是几种铁磁半导体：掺锰的砷化铟和砷化镓（GaMnAs），居里温度在分别在50-100k和100-200k。掺锰的锑化铟，不过在常温下具有铁磁性和锰浓度不到1%。氧化物类半导体：1.掺锰的氧化铟，常温下具有铁磁性。2.氧化锌。3.掺锰的氧化锌。4.掺n型钴的氧化锌。二氧化钛：掺钴的二氧化钛，常温下
新型透明电极材料助推有机光伏技术走向市场
近日，东华大学先进低维材料中心特聘研究员唐正课题组展示了一种全新溶液法制备的透明导电薄膜材料，明确了薄膜的导电机制，并使用该薄膜材料作有机光伏器件的阴极，实现了器件的“免氧化铟锡(ITO) ”发展，为促进有机光伏技术的市场化发展提供了新思路。相关研究成果已发表于《自然—通讯》。 有机光伏器件的透
南开团队研获高效“低铟无银”硅异质结太阳电池
近日，南开大学研究团队在太阳能光伏发电领域取得最新研究成果，成功实现“低铟无银”，在节约制造成本的基础上，让硅异质结（SHJ）太阳电池转换效率接近26%，这是目前已发表的“低铟”SHJ太阳电池研究中的最高效率。相关成果已发表在《自然—能源》。 据了解，晶硅太阳电池在光伏市场中占据了95%以上的
铜铟镓硒薄膜太阳电池的技术特点
铜铟镓硒薄膜太阳电池的特点铜铟镓硒薄膜太阳电池具有生产成本低、污染小、不衰退、弱光性能好等特点，光电转换效率居各种薄膜太阳能电池之首，接近晶体硅太阳电池，而成本则是晶体硅电池的三分之一，被国际上称为“下一时代非常有前途的新型薄膜太阳电池”。此外，铜铟镓硒薄膜太阳电池具有柔和、均匀的黑色外观，是对外观
铜纳米线薄膜可显著降低电子设备成本
据美国物理学家组织网9月27日（北京时间）报道，美国杜克大学的科学家研制出了一种新型纳米结构，其具有降低手机、电子阅读器和iPad等显示器制造成本的潜力，亦能帮助科学家构建可折叠的电子产品并提升太阳能电池的性能，目前已进入商业制造阶段。相关研究报告发表在近期出版的《先进材料》网络版上。 该校的
液晶的光电特性研究
液晶分子的结构具有异方性(Anisotropic)，所以所引起的光电效应就会因为方向不同而有所差异，简单的说也就是液晶分子在介电系数及折射系数等等光电特性都具有异方性，因而我们可以利用这些性质来改变入射光的强度，以便形成灰阶，来应用于显示器组件上。液晶的光电特性，大约有以下几项：1.折射系数(ref
研究揭示氧化铟纳米颗粒表面羟基网络
近日，中科院大连化学物理研究所研究员侯广进团队在高场超快魔角旋转固体核磁共振（NMR）技术应用于材料结构表征研究中取得新进展。该团队借助高场超快1H MAS NMR技术，并结合17O NMR、1H-1H同核、1H-17O异核相关实验，对富羟基的氧化铟（In2O3）表面结构进行了深入分析，并利用高
锂电材料锡基负极材料锡氧化物的介绍
锡的氧化物包括氧化亚锡、氧化锡和其混合物，都具有一定的可逆偖锂能力，偖锂能力比石墨材料高，可达500mAh/g以上，但首次不可逆容量也较大。SnO/SnO2用作负极具有比容量高、放电电位比较低(在0.4~0.6V vs Li/Li+附近)的优点。但其首次不可逆容量损失大、容量衰减较快，放电电位曲