聚焦离子束的工作原理
液态金属离子源离子源是聚焦离子束系统的心脏，真正的聚焦离子束始于液态金属离子源的出现，液态金属离子源产生的离子具有高亮度、极小的源尺寸等一系列优点，使之成为目前所有聚焦离子束系统的离子源。液态金属离子源是利用液态金属在强电场作用下产生场致离子发射所形成的离子源[1、2]。液态金属离子源的基本结构如图1所示在源制造过程中，将直径0.5mm左右的钨丝经过电化学腐蚀成尖端直径只有5－10μm的钨针，然后将熔融的液态金属粘附在钨针尖上，在外加强电场后，液态金属在电场力作用下形成一个极小的尖端（泰勒锥），液态尖端的电场强度可高达1010V/m。在如此高的电场下，液态表面的金属离子以场蒸发的形式逸出表面，产生离子束流。由于液态金属离子源的发射面积极小，尽管只有几微安的离子电流，但电流密度约可达106A/cm2，亮度约为20μA/sr。聚焦离子束系统聚焦式离子束技术是利用静电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的显微切割技术，目前商用FIB系统的粒子......阅读全文
聚焦离子束的工作原理
液态金属离子源离子源是聚焦离子束系统的心脏，真正的聚焦离子束始于液态金属离子源的出现，液态金属离子源产生的离子具有高亮度、极小的源尺寸等一系列优点，使之成为目前所有聚焦离子束系统的离子源。液态金属离子源是利用液态金属在强电场作用下产生场致离子发射所形成的离子源[1、2]。液态金属离子源的基本结构如图
聚焦离子束的工作原理
液态金属离子源离子源是聚焦离子束系统的心脏，真正的聚焦离子束始于液态金属离子源的出现，液态金属离子源产生的离子具有高亮度、极小的源尺寸等一系列优点，使之成为目前所有聚焦离子束系统的离子源。液态金属离子源是利用液态金属在强电场作用下产生场致离子发射所形成的离子源[1、2]。液态金属离子源的基本结
聚焦离子束的工作原理
液态金属离子源离子源是聚焦离子束系统的心脏，真正的聚焦离子束始于液态金属离子源的出现，液态金属离子源产生的离子具有高亮度、极小的源尺寸等一系列优点，使之成为目前所有聚焦离子束系统的离子源。液态金属离子源是利用液态金属在强电场作用下产生场致离子发射所形成的离子源[1、2]。液态金属离子源的基本结构如图
聚焦离子束系统知多少？
纳米科技是当今国际上的一个热点。纳米测量学在纳米科技中起着信息采集和分析的不可替代的重要作用，纳米加工是纳米尺度制造业的核心，发展纳米测量学和纳米加工的一个重要方法就是电子束，离子束技术。近年来发展起来的聚焦离子束纳米加工系统用高强度聚焦离子束对材料进行纳米加工，结合扫描电子显微镜实时观察，开辟了从
聚焦离子束（FIB）技术介绍
1.引言 随着纳米科技的发展，纳米尺度制造业发展迅速，而纳米加工就是纳米制造业的核心部分，纳米加工的代表性方法就是聚焦离子束。近年来发展起来的聚焦离子束（FIB）技术利用高强度聚焦离子束对材料进行纳米加工，配合扫描电镜（SEM）等高倍数电子显微镜实时观察，成为了纳米级分析、制造的主要方法。目
TEM制样聚焦离子束法
聚焦离子束法适用于半导体器件的线路修复和精确切割。聚焦离子束系统（FIB），利用源自液态金属镓的离子束来制备样品。通过调整束流强度，FIB可以对样品的指定区域进行快速和极精细的加工。其汇聚扫描方式可以是矩形、线形或点状。FIB可以制备供扫描透射电镜观测用的各种材料的薄膜样品。
聚焦离子束技术（FIB）技术应用
聚焦离子束技术（Focused Ion beam，FIB）是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的离子束轰击材料表面，实现材料的剥离、沉积、注入、切割和改性。随着纳米科技的发展，纳米尺度制造业发展迅速，而纳米加工就是纳米制造业的核心部分，纳米加工的代表性方法就是聚焦离子束。近年来发展起来的聚焦离
聚焦离子束加工中的主要缺陷
聚焦离子束(FIB)是一种微纳米加工技术，其基本原理与扫描电子显微镜(SEM)类似，采用离子源发射的离子束经过加速聚焦后作为入射束，高能量的离子与固体表面原子碰撞的过程中可以将固体原子溅射剥离，因此，FIB更多的是被用作直接加工微纳米结构的工具。结合气体注入系统(GIS)，FIB可以辅助进行化学气相
聚焦离子束（FIB）直写技术研究
现代半导体制造业迅速发展，对产品的质量要求越来越高，对相关的微分析技术的要求也越来越高。除了IC 制造以外，纳米结构在新元件上应用越来越多，特别是纳米光子和纳米光学。聚焦离子束（Focused Ion Beam，FIB）系统是在常规离子束和聚焦电子束系统研究的基础上发展起来的，除具有扫描电子显微镜具
聚焦离子束法制备冷冻含水超薄切片
低温电子断层成像三维重构（cryo-ET）技术是发展结构生物学和细胞生物学重要的研究手段。该技术可以得到更真实的接近天然状态的细胞内部高分辨率的三维结构以及蛋白质大分子定位及相互作用的信息，是蛋白质组学研究的重要辅助手段被成为“可视化蛋白质组学”（Visual Approach to Prote
聚焦离子束在ITO表面缺陷的应用
1. 引言失效样品为手机显示屏，具体失效位置在前端IC位置，失效现象是ITO出现出现腐蚀导致显示异常，如下图所示，需具体分析失效的原因。 图1.ITO表面缺陷SEM观察图 2. 试验与结果 图2.失效位置截面观察图图3.正常位置截面观察图图4.失效位置EDS测试谱图图图5.正常位置EDS测试谱图图
聚焦离子束显微镜FIB都有哪些功能？
聚焦离子束显微镜FIB主要用途: 芯片的电路修补、断面切割、透射电镜样品制备。聚焦离子束显微镜FIB应用范围: 1.定点切割 2.穿透式电子显微镜试片 3.IC线路修补和布局验证 4.制程上异常观察分析 5.晶相特性观察分析 6.故障位置定位用被动电压反差分析。在各类应用中，以线路修补和布局验证这一
聚焦离子束显微镜的基本功能
1. 定点切割(Precisional Cutting)-利用离子的物理碰撞来达到切割之目的。 广泛应用于集成电路(IC)和LCD的Cross Section加工和分析。 2. 选择性的材料蒸镀(Selective Deposition)-以离子束的能量分解有机金属蒸气或气相绝缘材料，在局部区
聚焦离子束显微镜(FIB)机台和测试方法简介
工作原理聚焦离子束显微镜(FIB)的利用镓(Ga)金属作为离子源，再加上负电场 (Extractor) 牵引尖端细小的镓原子，而导出镓离子束再以电透镜聚焦，经过一连串可变孔径光阑，决定离子束的大小，再经过二次聚焦以很小的束斑轰击样品表面，利用物理碰撞来进行特定图案的加工，一般单粒子束的FIB(Sin
聚焦离子束（FIB）原理及其在失效分析中的应用
随着集成电路技术的不断发展，其芯片的特征尺寸变得越来越小，器件的结构越来越复杂，与之相应的芯片工艺诊断、失效分析、器件微细加工也变得越来越困难，传统的分析手段已经难以满足集成电路器件向深亚微米级、纳米级技术发展的需要。FIB技术的出现实现了超大规模集成电路在失效分析对失效部位的精密定位，是大规模集成
聚焦离子束技术使电镜分析从二维走向三维
人类对于微观世界的认知有着漫长的历史。自300年前第一台显微镜问世以来，人们便开启了探索微观世界的大门。随着科学技术的发展，光学显微镜、透射电子显微镜和扫描电镜逐渐作为工具被人们熟知，并且，应科学发展的需求，各项技术均在不断的创新与发展。如今，作为材料分析的重要工具，电镜技术已广泛应用于材料、化工、
估计600万！东北大学本级采购聚焦离子束扫描电镜
近日，东北大学本级发布《东北大学本级聚焦离子束扫描电镜（进口）公开招标公告》，预计花费6000000.00元采购聚焦离子束扫描电镜（进口）。详细信息如下： 一、项目基本情况 项目编号：DDZK202303 项目名称：聚焦离子束扫描电镜（进口） 预算金额：600.0000000 万元（人民币）
1300万！厦门大学采购聚焦离子束扫描电子显微镜
项目概况 厦门大学化学化工学院聚焦离子束扫描电子显微镜 招标项目的潜在投标人应在网页免费下载：https://ztbzx.xmu.edu.cn/info/1172/23883.htm获取招标文件，并于2023年12月20日 09点00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编
聚焦离子束在LiNbO_3及KTP等晶体上的亚微米刻蚀研究
正聚焦离子束(focused ion beam,简写FIB)是一个微纳加工和观察分析设备。在强电场下金属离子溢出液态离子源,形成束流,经光圈限束、加速、聚焦、象散校正、偏转,打到样品指定点上。利用其溅射效应,FIB可用于样品表面亚微米尺寸的刻蚀,控制其扫描路径可以在无掩模下刻蚀任意正聚焦离子
聚焦离子束显微镜在芯片设计及加工过程中的应用介绍
1.IC芯片电路修改用FIB对芯片电路进行物理修改可使芯片设计者对芯片问题处作针对性的测试,以便更快更准确的验证设计方案。 若芯片部份区域有问题,可通过FIB对此区域隔离或改正此区域功能,以便找到问题的症结。FIB还能在最终产品量产之前提供部分样片和工程片,利用这些样片能加速终端产品的上市时间。利用
泰斯肯中标吉林大学聚焦离子束电镜光谱制样联用系统
分析测试百科网讯 近日，吉林大学聚焦离子束电镜光谱制样联用系统（JLU-ZC19100）招标采购项目评标工作已结束，功能扩展性要求投标产品可扩展安装飞行二次质谱仪（TOF-SIMS）或拉曼光谱单元（需提供证明文件及至少两名国内用户）。此次采购共计1套，中标品牌：TESCAN SOLARIS，中标
聚焦离子束技术可为客户解决的产品质量问题及注意事项
可为客户解决的产品质量问题：（1）在IC生产工艺中，发现微区电路蚀刻有错误，可利用FIB的切割，断开原来的电路，再使用定区域喷金，搭接到其他电路上，实现电路修改，最高精度可达5nm。（2）产品表面存在微纳米级缺陷，如异物、腐蚀、氧化等问题，需观察缺陷与基材的界面情况，利用FIB就可以准确定位切割，制
物理所基于聚焦离子束技术构建三维纳米结构研究获进展
作为信息社会进步基础的微电子器件与电路的发展历程突出表现为小型化、高密度和多功能化的趋势。当平面器件的发展遇到技术与理论上的瓶颈时，三维立体器件与电路成为必然的发展方向。三维器件与电路不仅体积小、集成度高, 更重要的是三维结构的引入使之具有更优越的性能、更新颖的效应，以及更广泛的功能。因此，
加速离子束的装置
从离子源获得的离子束的能量一般从几百电子伏到几万电子伏。因为用高引出电压方式获得较高能量的离子束受到击穿的限制，所以必须使离子在电场和磁场中加速,这类装置叫做加速器(见粒子加速器) 使用各种加速器可以使离子获得很高的能量（如几百吉电子伏），也可以使离子减速，以获得能量较低的（如几十电子伏）但流强
离子束切割抛光仪
离子束切割抛光仪是一种用于材料科学领域的工艺试验仪器，于2018年5月23日启用。 技术指标 抛光角度: +10° 到 -10° ，每个离子枪可独立调节 离子束能量: 100 V 到 8.0 kV 离子束流密度: 10 mA/cm2 峰值 抛光速度: 300 μm/h（8.0 kV条件下对于
离子源的应用离子束
离子源是用以获得离子束的装置。我们知道，在各类离子源中，用得最多的是等离子体离子源，即用电场将离子从一团等离子体中引出来。这类离子源的主要参数由等离子体的密度、温度和引出系统的质量决定。属于这类离子源的有:潘宁放电型离子源射频离子源、微波离子源、双等离子体源、富立曼离子源等。另一类使用较多的离子
液质联用的离子束接口介绍
离子束接口（ particle-beam interface,PB ） 是从单分散 气溶胶界面（monodisperse aerosol generating interface for chromatography, MAGIC）发展来的。该接口将液相色谱的流动相在 常压下借助气动雾化产生气溶
简介离子源离子束的主要参数
①离子束流强 即能够获得的有用离子束的等效电流强度，用电流单位A或mA表示。 ②有用离子百分比 即有用离子束占总离子束的百分比。一般来说，离子源给出的总离子束包括单电荷离子、多电荷离子、各种分子离子和杂质元素离子等的离子束。 ③能散度 由于离子的热运动和引出地点的不同，使得离子源给出的
原位电性能测试
聚焦离子束(Focused Ion beam, FIB)的系统是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的显微切割仪器。目前商用系统的离子束为液相金属离子源，金属材质为镓(Ga)，因为镓元素具有低熔点、低蒸气压及良好的抗氧化力；典型的离子束显微镜包括液相金属离子源、电透镜、扫描电极、二次粒子侦测器、5
芯片反向技术干货：FIB芯片电路修改（一）
在各类应用中，以线路修补和布局验证这一类的工作具有最大经济效益，局部的线路修改可省略重作光罩和初次试作的研发成本，这样的运作模式对缩短研发到量产的时程绝对有效，同时节省大量研发费用。封装后的芯片，经测试需将两条线路连接进行功能测试，此时可利用聚焦离子束系统将器件上层的钝化层打开，露出需要