美开发厚度为单原子直径的半导体薄膜
美国北卡州立大学研究人员22日表示，他们开发出制造高质量原子量级半导体薄膜(薄膜厚度仅为单原子直径)的新技术。材料科学和工程助理教授曹林友(音译)说，新技术能将现有半导体技术的规模缩小到原子量级，包括激光器、发光二极管和计算机芯片等。 研究人员研究的材料是硫化钼，它是一种价格低廉的半导体材料，电子和光学特性与目前半导体工业界所用的材料相似。然而，硫化钼又与其他半导体材料有所不同，因为它能以单原子分层生长形成单层薄膜，同时薄膜不会失去原有的材料特性。 在新技术中，研究人员将硫粉和氯化钼粉放置于炉内，并将温度逐步升高到850摄氏度，此时两种粉末出现蒸发(汽化)并发生化学反应形成硫化钼。继续保持高温，硫化钼能沉积到基片上，形成薄薄的硫化钼膜。 曹林友表示，他们成功的关键是寻找到了新的硫化钼生长机理，即自限制生长，通过控制高温炉中分压和蒸汽压来精确地控制硫化钼层的厚度。 分压代表悬浮在空气中的原子或分子聚集成......阅读全文
二硫化钼薄膜可大幅提高海水淡化效率
美国伊利诺伊州立大学研究人员在《自然·通讯》杂志上发表论文称，他们发现二硫化钼高能材料可更高效地去除海水中的盐分，通过计算机模拟各种薄膜的海水淡化效率并进行对比后发现，二硫化钼薄膜的效率最高，比石墨烯膜还要高出70%。 据物理学家组织网报道，这种材料只有一个纳米厚，布满了纳米孔，能够渗漏大量
二硫化钼薄膜可大幅提高海水淡化效率
美国伊利诺伊州立大学研究人员在《自然·通讯》杂志上发表论文称，他们发现二硫化钼高能材料可更高效地去除海水中的盐分，通过计算机模拟各种薄膜的海水淡化效率并进行对比后发现，二硫化钼薄膜的效率最高，比石墨烯膜还要高出70%。 据物理学家组织网报道，这种材料只有一个纳米厚，布满了纳米孔，能够渗漏大
拉伸二硫化钼晶体造出能隙可变半导体
这张放大1万倍的图片显示，一个电子器件上雕刻出了高低不平的“山峰”和“山谷”，铺在上面的二硫化钼经过拉伸后，形成了一种拥有可变能隙的人工晶体。 近日，美国斯坦福大学一科研团队首次通过拉伸二硫化钼的晶体点阵，“扯”出能隙可以变化的半导体。利用这种半导体，科学家有望制造出能够吸收更多光能的太阳能
兰州化物所二硫化钼/类金刚石碳复合薄膜研究取得进展
随着航空航天、先进核能等领域的迅速发展，其机械运动部件服役工况也愈加多变、复杂、苛刻，对表面润滑与防护薄膜材料抗辐照、多特性等方面提出愈来愈高的要求，致使传统过渡金属二硫化物薄膜（TMD）及类金刚石碳膜（DLC）等单一组分的润滑薄膜材料面临严峻挑战。 中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重
原子氧辐照环境下二硫化钼润滑薄膜失效机理研究获进展
低地球轨道距地面200至700 Km，是对地观测卫星、气象卫星、空间站等航天器运行区域，在此区间内大多数空间飞行器运动部件选用固体润滑材料，其中二硫化钼（MoS2）使用最为广泛。在低地球轨道内，大气残余气体中氧分子在紫外光作用下发生光致解离，产生原子态氧并长时间在轨稳定存在，原子氧与轨道内高速飞
美开发厚度为单原子直径的半导体薄膜
美国北卡州立大学研究人员22日表示，他们开发出制造高质量原子量级半导体薄膜(薄膜厚度仅为单原子直径)的新技术。材料科学和工程助理教授曹林友(音译)说，新技术能将现有半导体技术的规模缩小到原子量级，包括激光器、发光二极管和计算机芯片等。 研究人员研究的材料是硫化钼，它是一种价格低廉的半导体材
二硫化钼薄膜可大幅提高海水淡化效率－比石墨烯膜高出70％
美国伊利诺伊州立大学研究人员在《自然·通讯》杂志上发表论文称，他们发现二硫化钼高能材料可更高效地去除海水中的盐分，通过计算机模拟各种薄膜的海水淡化效率并进行对比后发现，二硫化钼薄膜的效率最高，比石墨烯膜还要高出70%。 据物理学家组织网报道，这种材料只有一个纳米厚，布满了纳米孔，能够渗漏大量的
半导体所等证实单层二硫化钼谷圆偏振光吸收性质
《自然—通讯》（Nature Communications）最近发表了北京大学国际量子材料科学中心(冯济研究员和王恩哥教授为通讯作者)与中国科学院物理研究所和半导体研究所合作的文章Valley-selective circular dichroism of monolayer m
超薄二硫化钼强力挑战石墨烯
英国南安普敦大学的一组研究人员开发出一种石墨烯的替代材料。除了与石墨烯一样具备极佳的导电性能和超强的硬度外，该材料还具备发光特性，目前已经能够实现超过1000平方毫米的大面积生产，有望成为石墨烯有力的挑战者。相关论文发表在最新一期《纳米尺度》杂志上。 石墨烯，这种由碳原子组成的单层材料，由于具
物理所实现多层MoS2外延晶圆推动二维半导体的器件应用
以二硫化钼为代表的二维半导体材料，因其极限的物理厚度、极佳的柔性/透明性，是解决当前晶体管微缩瓶颈及构筑速度更快、功耗更低、柔性透明等新型半导体芯片的一类新材料。近年来，国际上已在单层二硫化钼的晶圆制备及大面积器件构筑方面不断突破，在晶圆质量和器件性能方面逐渐逼近极限。例如，中国科学院物理研究所
微型二硫化钼致动器“力大无穷”
美国研究人员开发出一种微型装置，可拉动自身165倍的重量。这种能像肌肉一样工作、将电能转化为机械能的新型致动器具有广阔的应用前景，未来有望在机电系统和机器人系统中大展拳脚。相关研究成果8月30日发表在《自然》杂志上。 这个超级微型“大力士”叫做“反串行连接生物形态驱动装置”，由美国罗格斯大学新
锂电池材料二硫化钼的介绍
二硫化钼（或moly）是由钼和硫组成的无机化合物。其化学式为MoS₂。该化合物被归类为过渡金属二硫化合物。它是一种银黑色固体，以矿物辉钼矿的形式存在，辉钼矿是钼的主要矿石。MoS₂相对不活跃。它不受稀酸和氧的影响。在外观和感觉上，二硫化钼类似于石墨。因其低摩擦和稳健性，它被广泛用作干润滑剂。大部
锂电材料二硫化钼的机械性能
二硫化钼由于其层状结构和低摩擦系数，作为润滑材料表现优异。当剪切应力施加到材料上时，层间滑动耗散能量。在不同的环境中已经进行了大量的工作来表征二硫化钼的摩擦系数和剪切强度。二硫化钼的剪切强度随着摩擦系数的增加而增加。这种特性被称为超级润滑性。在环境条件下，二硫化钼的摩擦系数确定为0.150，相应
关于锂电材料二硫化钼防御的作用
二硫化钼在某些情况下用作添加剂润滑脂和干膜润滑剂以提高压力和温度公差，并在基底磨损或迁移后对预期的应用点提供二次润滑。用二硫化钼润滑脂强化的润滑脂有许多好处：非常适合难以到达的区域、减少磨损和磨损、降低运营成本、持久耐用、操作员友好型、环保意识、适用接头和活动部件、防锈、出色的表面渗透性。
关于二硫化钼的优缺点的介绍
1、彻底地消灭了漏油，干净利索，大大的促进了文明生产。 2、能节省大量的润滑油脂。 3、改善运行技术状况，延长检修周期，减轻了维修工人的劳动强度，节约劳动力。 4、由于二硫化钼的摩擦系数低，摩擦设备间产生的摩擦阻力小，可以节约电力消耗，根据兄弟单位的测定可节约电力为12% 5、能减小机械
科技突破！具有千个晶体管的二维半导体问世
据最新一期《自然-电子学》报道，瑞士洛桑联邦理工学院研究人员提出了一种基于二硫化钼的内存处理器，专用于数据处理中的基本运算之一：向量矩阵乘法。这种操作在数字信号处理和人工智能模型的实现中无处不在，其效率的提高可为整个信息通信行业节约大量的能源。 新处理器将1024个元件组合到一个一平方厘米的芯
具有千个晶体管的二维半导体问世！重新定义数据处理的能源效率
据最新一期《自然·电子学》报道，瑞士洛桑联邦理工学院研究人员提出了一种基于二硫化钼的内存处理器，专用于数据处理中的基本运算之一：向量矩阵乘法。这种操作在数字信号处理和人工智能模型的实现中无处不在，其效率的提高可为整个信息通信行业节约大量的能源。 新处理器将1024个元件组合到一个一平方厘米的芯
单层二硫化钼低功耗柔性集成电路研究
柔性电子是新兴技术，在信息、能源、生物医疗等领域具有广阔的应用前景。其中，柔性集成电路可用于便携式、可穿戴、可植入式的电子产品中，对器件的低功耗提出了极高的技术需求。相对于传统半导体材料，单层二硫化钼二维半导体具有原子级厚度、合适的带隙且兼具刚性（面内）和柔性（面外），是备受瞩目的柔性集成电路沟
科学家突破单层二硫化钼8英寸晶圆外延技术
近日，我国科学家在科技部重点研发计划、国家自然科学基金委等项目的支持下，突破单层二硫化钼8英寸晶圆外延技术。相关成果发表于《先进材料》（Advanced Materials）。由松山湖材料实验室、中国科学院物理研究所、北京大学、华南师范大学组成的联合研究团队在松山湖材料实验室研究员张广宇的指导下，基
研究发展出单层二硫化钼低功耗柔性集成电路
柔性电子是新兴技术，在信息、能源、生物医疗等领域具有广阔的应用前景。其中，柔性集成电路可用于便携式、可穿戴、可植入式的电子产品中，对器件的低功耗提出了极高的技术需求。相对于传统半导体材料，单层二硫化钼二维半导体具有原子级厚度、合适的带隙且兼具刚性（面内）和柔性（面外），是备受瞩目的柔性集成电路沟
英国牛津仪器公司开发二硫化钼生长工艺
据报道，英国牛津仪器公司利用其纳米实验室纳米级生长系统，启动了二硫化钼生长工艺研究。 单层硫化钼是一种直接带隙半导体材料，在光电领域具有广泛的应用，如发光二级光、光伏电池、光探测器、生物传感器等，而多层二硫化钼是一种非直接带隙半导体，有望用于未来的数字电子技术。 牛津仪器公司表示，该公司已经
解决二硫化钼身子骨单薄的问题
二硫化钼的超薄结构强度高、重量轻、柔韧性好，这些特性使其适用于很多应用领域，如高性能挠性电子。不过此超薄半导体材料与光的相互作用微弱，限制了这一材料在发光和光吸收应用领域的发展。 “问题是这些材料只有单层厚，” Koray Aydin说，他是麦考密克工程学院（McCormick School
二硫化钼超高压下具超导性
记者日前从中科院合肥物质科学研究院获悉，该院固体物理研究所与强磁场科学中心联合科研团队，在超高压条件下首次在一种新的材料——二硫化钼中观测到了超导现象。相关研究成果被选为编辑推荐文章，日前刊登在国际物理类顶尖期刊《物理评论快报》上。 科研人员在自主搭建的高压综合测试平台上，利用金刚石对顶砧产生
简述锂电材料二硫化钼的化学反应
二硫化钼在空气中是稳定的，只能被侵蚀性试剂侵蚀。加热时与氧气发生反应，形成三氧化钼: 2 MoS2+ 7 O2→ 2 MoO3+ 4 SO2 氯气在高温下与二硫化钼反应，形成五氯化钼: 2 MoS2+ 7 Cl2→ 2 MoCl5+ 2 S2Cl2
锂电池材料二硫化钼的制备原理
辉钼精矿用盐酸和氢氟酸在直接蒸汽加热下，反复搅拌处理，用热水洗涤、离心、干燥、粉碎，可制得。钼酸铵溶液中通入硫化氢气体，生成硫代钼酸铵。加盐酸转变为三硫化钼沉淀，后离心、洗涤、干燥、粉碎。最后加热至950 °C脱硫可制得。
简述锂电池材料二硫化钼的用途
二硫化钼是重要的固体润滑剂，特别适用于高温高压下。它还有抗磁性，可用作线性光电导体和显示P型或N型导电性能的半导体，具有整流和换能的作用。二硫化钼还可用作复杂烃类脱氢的催化剂。 它也被誉为“高级固体润滑油王”。二硫化钼是由天然钼精矿粉经化学提纯后改变分子结构而制成的固体粉剂。本品色黑稍带银灰色
关于锂电池材料二硫化钼的介绍
二硫化钼是一种无机物，化学式为MoS2，是辉钼矿的主要成分。黑色固体粉末，有金属光泽。熔点2375℃，密度4.80g/cm³（14℃），莫氏硬度1.0～1.5。 辉钼矿的主要成分。黑色固体粉末，有金属光泽。化学式MoS2，熔点2375℃，密度4.80g/cm3（14℃），莫氏硬度1.0～1.5
电子级二维半导体与柔性电子器件研究新进展
在半导体器件不断小型化和柔性化的趋势下，以二硫化钼（MoS2）等过渡金属硫属化合物（TMDC）为代表的二维半导体材料显示出独特优势，具有超薄厚度（单原子层或少原子层）和优异的电学、光学、机械性能及多自由度可调控性，使其在未来更轻、更薄、更快、更灵敏的电子学器件中具有优势。然而，现阶段以器件应用为
用二硫化钼铁电场效应实现高响应度光电探测
近日，西安交通大学电信学部电子学院教授任巍、牛刚团队利用基于二硫化钼沟道和外延铁电HZO薄膜栅介质的光电晶体管实现了高响应度光电探测，相关研究成果发表在Advanced Functional Materials上。该研究利用优化的具有背栅结构和肖特基对650nm波长光电响应进行了实验验证并实现良好的
方便地制备单层二硫化钼/二硫化钨量子点作为细胞成...
方便地制备单层二硫化钼/二硫化钨量子点作为细胞成像荧光探针和高效的析氢反应催化剂具有片层状结构的过渡金属二硫化物近年来被发现许多奇异的性质并引起了人们极大的研究兴趣。通常情况下烷基锂插层剥离的方法是化学法玻璃二硫化钼/二硫化钨纳米片层中最常见也是剥离效果最好的方法，它是通过烷基锂的插层进入二硫化钼/