我国科学家成功开发人造蓝宝石介质晶圆为低功耗芯片提供技术支撑
经过多年研究攻关，我国科学家成功研制出一种人造蓝宝石作为绝缘介质的晶圆，为开发低功耗芯片提供了重要的技术支撑。这一成果8月7日在国际学术期刊《自然》发表。随着电子设备不断小型化和性能要求的提升，芯片中的晶体管数量持续增加，尺寸日益缩小，同时也带来了新的技术挑战，尤其是在介质材料方面。电子芯片中的介质材料主要起到绝缘的作用，但当传统的介质材料厚度减小到纳米级别时，其绝缘性能会显著下降，导致电流泄漏。这不仅增加了芯片的能耗，还导致发热量上升，影响了设备的稳定性和使用寿命。为了解决这一难题，科研团队开发了一种创新的金属插层氧化技术。中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰介绍，以前的介质材料主要是用非晶的材料来做，我们这次发明主要是发明了晶体的介质材料，通过插层氧化的技术对单晶铝进行氧化，实现了单晶氧化铝作为介质材料，它在1纳米下能够实现非常低的泄漏电流。中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员田子傲介绍，这个氧化铝它就是蓝......阅读全文
晶圆检测显微镜OLYMPUS－MX63L
晶圆检测显微镜OLYMPUS MX63L 进入21世纪以来，电子产品的发展速度日新月异，电子产品被设计的越来越小，功能越来越强大，这离不开高精尖的技术支持，芯片的大小决定了我们的电子产品的大小，薄厚等做工，芯片的都厉不拍晶圆片作为载体俗称硅片。 硅片的发展从4寸到6寸，再到现在的8
为什么晶圆表面需要做金属元素分析？
硅片加工过程中会带来各种金属杂质沾污，进而导致后道器件的失效，轻金属(Na、Mg、Al、K、Ca等)会导致器件击穿电压降低，重金属(Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn等)会导致器件寿命降低。因此，硅片作为器件的原材料，其表面金属含量会直接影响器件的合格率。特定的污染问题可导致半导体器件不同的缺陷
【解决方案】不可思议的晶圆厚度测量
Measuring the Nearly Immeasurable 在柏林费迪南德布劳恩研究所生产的半导体激光和高频放大器晶圆必须达到一个极度精密的层厚度。洁净室工人使用WERTH多传感器坐标测量机监督这个过程。该机配有色差传感器，的无接触捕捉所需的测量元素。 在柏林的费迪南德
晶圆推力测试机半导体推拉力测试机
芯片推拉力测试机具有测试动作迅速、准确、适用面广的特点，被广泛应用于半导体封装、光通讯器材件封装、LED封装、COB/COG工艺测试、研究所材料力学研究、材料可靠性测试等应用领域。能满足包含有：金属、铜线、合金线、铝线、铝带等拉力测试、金球、铜球、锡球、晶圆、芯片、贴片元件等推力测试、锡球、Bump
Newport用于晶圆和掩膜检测的运动控制
Newport用于晶圆和掩膜检测的运动控制 MKS 提供了多种高性能的、适用于晶圆检测工具和其他运动控制应用的空气轴承位移台 , 经验丰富的 MKS/Newport 应用工程师与 OEM 客户合作，为正在开发的半导体制造过程提供专门的自动化运动控制解决方案，下文描述这些系统中用于提高精度和
EVG－510晶圆键合机有哪些特征？
EVG 510-晶圆键合机（晶圆键合机）是一种高度灵活的晶圆键合系统，可以处理从碎片到200 mm的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺，例如阳极，玻璃粉，焊料，共晶，瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化，转换时间不到5分钟。
我国科学家开发出面向新型芯片的绝缘材料
作为组成芯片的基本元件，晶体管的尺寸随着芯片缩小不断接近物理极限，其中发挥着绝缘作用的栅介质材料十分关键。中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队开发出面向二维集成电路的单晶氧化铝栅介质材料——人造蓝宝石，这种材料具有卓越的绝缘性能，即使在厚度仅为1纳米时，也能有效阻止电流泄漏。相关成果
300mm晶圆匀胶显影设备研发成功
4月14日，“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项“300mm晶圆匀胶显影设备研发”任务圆满完成，突破了193nm光刻工艺超薄胶膜均匀涂敷等多项关键核心技术，成功研制出具有自主知识产权的300mm晶圆匀胶显影设备考核测试机和上线示范应用机，并在项目实施期间销售5台匀胶显影设备。
复合半导体纳米线成功整合在硅晶圆上
据美国物理学家组织网11月9日报道，美国科学家开发出一种新技术，首次成功地将复合半导体纳米线整合在硅晶圆上，攻克了用这种半导体制造太阳能电池会遇到的晶格错位这一关键挑战。他们表示，这些细小的纳米线有望带来优质高效且廉价的太阳能电池和其他电子设备。相关研究发表在《纳米快报》杂志上。 III—
天大新成果填补微型LED晶圆无损测试技术空白
近日，天津大学精密测试技术及仪器全国重点实验室、精仪学院感知科学与工程系黄显团队打破微型LED晶圆测试瓶颈，实现了微型LED晶圆高通量无损测试，研究成果于6月13日在电气领域期刊《自然-电子学》刊发。 据介绍，微型LED被广泛认为是下一代高端显示技术的核心元件，然而，其高密度、微米级的结构特征
单晶炉：半导体晶圆制造的头道工序设备
半导体设备在整个半导体行业中扮演着重要的支撑角色。由于半导体制造工艺的复杂性，不同的工序需要不同的设备。从流程工序的分类来看，半导体设备主要可以分为晶圆制造设备（前道工序）和封装测试设备（后道工序）等。本文是半导体设备专题栏目的第一篇文章，主要介绍晶圆制造的头道工序设备——单晶炉。直拉式单晶硅生长炉
晶圆接触角测量仪的应用场合
晶圆接触角测量仪采用专用的CCD数字摄像机，配倍高分辨率变焦式显微镜和高亮度LED背景光源系统，搭配三维样品台，可进行工作台上下、前后等方向移动。实现微量进样及上下、左右精密移动。同时还设计了伸缩杆结构工作台，能适应在不同用户材料厚度加大的场合。晶圆接触角测量仪的应用场合： 1、液体在固
单晶炉：半导体－晶圆制造的头道工序设备
半导体设备对整个半导体行业起着重要的支撑作用。因半导体制造工艺复杂，各个环节需要的设备也不同，从流程工序分类来看，半导体设备主要可分为晶圆制造设备（前道工序）、封装测试设备（后道工序）等。本文是半导体设备专题栏目的第 1 篇文章，介绍晶圆制造的头道工序设备——单晶炉。直拉式单晶硅生长炉是一种高效率制
晶圆接触角测量仪的应用场合
晶圆接触角测量仪采用专用的CCD数字摄像机，配倍高分辨率变焦式显微镜和高亮度LED背景光源系统，搭配三维样品台，可进行工作台上下、前后等方向移动。实现微量进样及上下、左右精密移动。同时还设计了伸缩杆结构工作台，能适应在不同用户材料厚度加大的场合。晶圆接触角测量仪的应用场合：1、液体在固体表面的接触角
超平整石墨烯晶圆转移与集成光电器件
石墨烯等二维材料的载流子迁移率高、光-物质相互作用强、物性调控能力优，在高带宽光电子器件领域具有重要的科学价值和广阔的应用前景。当前，发展与主流半导体硅工艺兼容的二维材料集成技术受到业内广泛关注，其中首要的挑战是将二维材料从其生长基底高效转移到目标晶圆衬底上。然而，传统的高分子辅助转移技术通常会
单晶炉：半导体－晶圆制造的头道工序设备
半导体设备对整个半导体行业起着重要的支撑作用。因半导体制造工艺复杂，各个环节需要的设备也不同，从流程工序分类来看，半导体设备主要可分为晶圆制造设备（前道工序）、封装测试设备（后道工序）等。本文是半导体设备专题栏目的第 1 篇文章，介绍晶圆制造的头道工序设备——单晶炉。直拉式单晶硅生长炉是一种高效率制
晶圆产能遭遇瓶颈－比亚迪半导体本次上市宣告终止
近日，比亚迪公告称终止推进子公司比亚迪半导体本次分拆上市事项，后者拟开展大规模晶圆产能投资建设，以应对车规级功率半导体模块产能瓶颈。11月15日，比亚迪董事会审议通过《关于终止分拆所属子公司比亚迪半导体股份有限公司至创业板上市的议案》，宣布终止推进比亚迪半导体此次分拆上市事项，并撤回相关上市申请文件
何为晶圆级处理器？其性能有多大提升？
用整个硅片来制造处理器似乎是一个奇怪的想法，但一项新的研究表明，晶圆级芯片可以比同等的多芯片模块MCM的性能好一个数量级，同时提供更好的能效。晶圆级集成（WSI）的概念相当简单：不是制造一个装满芯片的晶圆，而是将它们分开，然后将它们重新连接在一起，放在多芯片模块或封装的印刷电路板（PCB）上
2025深圳13届国际晶圆级封装展「半导体展会」
官网」2025深圳13届国际半导体技术展「半导体展会」展会时间：2025年4月9日-11日论坛时间：2025年4月9日-11日举办地点深圳福田会展中心 (深圳市福田中心区福华三路)展会规模： 面积10万平米，展商1800余家，展位3600多个，观众近10万人次展会报名：136 （李先生）中间四位数：
2024深圳国际晶圆级封装展览会「时间+地点+介绍」
深圳电子元器件展，电子仪器仪表展，深圳电子仪器仪表展，电子元器件展，深圳电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，深圳电子仪器展，电仪器展览会，深圳继电器展，深圳电容器展，深圳连接器展，深圳集成电路展2024中国（深圳）国际半导体与封装设备展览会2024 China (Shenzhen)
上海华力申请晶圆电镜扫描图像轮廓提取专利
2024年12月9日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“晶圆电镜扫描图像轮廓的提取方法及系统”的专利，公开号CN 119090907 A，申请日期为2024年11月。 专利摘要显示，本发明提供了一种晶圆电镜扫描图像轮廓的提取方法及系统，属于半导体领域。该晶圆
什么是合成蓝宝石
随着科技的进步，越来越多的合成材料应用于工业中。天然宝石稀有且价格昂贵的特点也催使了合成技术用于宝石的合成。蓝宝石常见的合成方法包括焰熔法、水热法、助熔剂法、晶体提拉法等等。今天小吉带大家瞅瞅蓝宝石的合成原理以及鉴别特征~焰熔法合成刚玉原石 by GIA1.焰熔法1.1合成原理纯净氧化铝（Al2O3
我科学家开发出面向低功耗芯片的绝缘材料
中国科学院上海微系统与信息技术研究所狄增峰研究员团队研发出面向二维集成电路的单晶氧化铝栅介质材料——人造蓝宝石。这种材料具有卓越的绝缘性能，未来可用于开发低功耗芯片。相关成果7日发表在国际学术期刊《自然》上。二维集成电路采用厚度仅为1个或几个原子层的二维半导体材料构建，是下一代集成电路芯片的理想沟道
华中科大发表光学晶圆缺陷检测领域系统综述
受SCIE期刊《极端制造》极端制造编辑部邀请，华中科技大学教授刘世元团队近日在该刊上发表了《10nm及以下技术节点晶圆缺陷光学检测》的综述文章，对过去十年中与光学晶圆缺陷检测技术有关的新兴研究内容进行了全面回顾。 随着智能终端、无线通信与网络基础设施、智能驾驶、云计算、智慧医疗等产业的蓬勃发展
半导体乍暖还寒－降价潮席卷晶圆代工厂
半导体晶圆代工降价潮开始从二线厂向一线蔓延，从成熟制程向先进制程扩散。 台积电7nm制程降价，降幅5%-10%左右，以缓解产能利用率下滑的状况。 此前曾有消息指出，台积电明年将针对部分成熟制程恢复价格折让，折让幅度在2%左右，但当时代工价格并未调降，价格折让主要是在光罩费用折抵，本次的7nm
华中科大发表光学晶圆缺陷检测领域系统综述
受SCIE期刊《极端制造》极端制造编辑部邀请，华中科技大学教授刘世元团队近日在该刊上发表了《10nm及以下技术节点晶圆缺陷光学检测》的综述文章，对过去十年中与光学晶圆缺陷检测技术有关的新兴研究内容进行了全面回顾。 随着智能终端、无线通信与网络基础设施、智能驾驶、云计算、
2024硅晶圆及IC封装载板展上海。展会日期:2024
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
新款晶圆问世|硅基化合物光电集成技术大突破
据中国光谷消息，全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在九峰山实验室下线。此项成果使用8寸SOI硅光晶圆键合8寸铌酸锂晶圆，单片集成光电收发功能，为目前全球硅基化合物光电集成最先进技术。近年来，由于5G通信、大数据、人工智能等行业的强力驱动，光子集成技术得到极大关注。公开资料显示，光子集成的概念类可
华中科大发表光学晶圆缺陷检测领域系统综述
受SCIE期刊《极端制造》极端制造编辑部邀请，华中科技大学教授刘世元团队近日在该刊上发表了《10nm及以下技术节点晶圆缺陷光学检测》的综述文章，对过去十年中与光学晶圆缺陷检测技术有关的新兴研究内容进行了全面回顾。 随着智能终端、无线通信与网络基础设施、智能驾驶、云计算、