一种运行更快、功耗更少的晶体管
集成电路是由被称作晶体管的半导体装置组成的，这些晶体管已经小到了详尽的电力运作所允许的最小程度，但是现在，聚焦于继续改进这些极小装置——加速它们的运行并降低其功耗——的研究已经找到了一种无需使其缩小就能达到这一效果的新方式。晶体管(这是控制电流流量的电子装置)是高速电脑的主要组成部分，帮助电脑进行范围广泛的计算密集型作业。有2种类型，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管，或称MOSFETs及其变种——浮置栅(FG)的MOSFET ——的使用特别广泛。 MOSFET的作用相当于电信号的一个开启/关闭切换器。在这样一种装置中，当施加电荷时，某个电极——其作用相当于一个栅极——会开放另外2个电极(这两个电极被称作源极和漏极)之间的连接，——且电信号会在这2者之间传导。在没有电荷时，源极和漏极之间的导电性会停止。一个浮动栅 MOSFET类似于一......阅读全文
磁性半导体的定义
磁性半导体（英语：Magnetic semiconductor）是一种同时体现铁磁性（或者类似的效应）和半导体特性的半导体材料。
什么是半导体材料？
半导体材料（semiconductormaterial）是导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料，其电导率在10（U-3）～10（U-9）欧姆/厘米范围内。
半导体的应用介绍
半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。
元素半导体的概念
元素半导体指以单一元素组成的半导体，属于这一材料的有硼、锗、硅、灰锡、锑、硒、碲等，其中以锗、硅、锡研究较早，制备工艺相对成熟。
半导体材料的特性
半导体材料的特性：半导体材料是室温下导电性介于导电材料和绝缘材料之间的一类功能材料。靠电子和空穴两种载流子实现导电，室温时电阻率一般在10-5～107欧·米之间。通常电阻率随温度升高而增大；若掺入活性杂质或用光、射线辐照，可使其电阻率有几个数量级的变化。此外，半导体材料的导电性对外界条件（如热、光、
半导体有什么特性
半导体具有特性有：可掺杂性、热敏性、光敏性、负电阻率温度、可整流性。半导体材料除了用于制造大规模集成电路之外，还可以用于功率器件、光电器件、压力传感器、热电制冷等用途；利用微电子的超微细加工技术，还可以制成MEMS（微机械电子系统），应用在电子、医疗领域。半导体是指导电性能介于导体和绝缘体之间的材料
半导体热电材料
半导体热电材料（英文名：semiconductor thermoelectric material）指具有较大热电效应的半导体材料，亦称温差电材料。它能直接把热能转换成电能，或直接由电能产生致冷作用。 1821年，德国塞贝克（see—beck）在金属中发现温差电效应，仅在测量温度的温差电偶
半导体ATE设备类型
台式或一体化设备(通常带有GPIB或以太网控制) 基于VXI的卡式单元(需要计算机控制/接口和平台) 由PC驱动的便携式设备(通常带有以太网或USB控制) 独立的可编程单元(通常为台式) 自定义机架安装单元，可将各种自定义或购买的组件组合在一起，可能具有自定义接口和互连功能 此外，还有
半导体的发现历史
半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但法拉第发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。 不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接
ITO半导体导电膜
掺锡氧化铟（IndiumTinOxide），一般简称为ITO。因此，它是液晶显示器（LCD）、等离子显示器（PDP）、电致发光显示器（EL/OLED）、触摸屏（TouchPanel）、太阳能电池以及其他电子仪表的透明电极zui常用的薄膜材料。 二、发展 真正进行ITO薄膜的研究工作还是19世纪末，当
新能源技术的EMI分析设计（二）
如果我们采用的IGBT功率器件开关改变电流的通路，可以测量到续流二极管反向恢复特性有高频振荡环流（本体二极管的反向恢复特性！）如果我们将IGBT采用宽禁带半导体SiC器件就可以改善其反向恢复电流的问题，同时提高效率！SiC器件体二极管的1200V／10A反向恢复特性如下：反向恢复电流小不到3A；注意
半导体激光器在半导体激光打标机中的应用
半导体激光器在半导体激光打标机中的应用：半导体激光器因其使用寿命长、激光利用效率高、热能量比YAG激光器小、体积小、性价比高、用电省等一系列优势而成为2010年热卖产品，e网激光生产的国产半导体激光器的出现，加速了以半导体激光器为主要耗材的半导体激光机取代YAG激光打标机市场份额的步伐。
半导体所等关于磁性半导体(Ga,Mn)As的研究获得进展
最近，《纳米快报》杂志报道了中科院半导体研究所超晶格室赵建华研究员和博士生陈林将磁性半导体(Ga,Mn)As居里温度提高到200K的研究成果，此项工作是与杨富华研究组以及美国佛罗里达州立大学Stephan von Molnár教授和熊鹏教授研究组合作完成的。 (Ga,Mn)A
半导体所等在磁性半导体(Ga,Mn)As研究中取得进展
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室赵建华团队及合作者美国佛罗里达州立大学教授熊鹏等在有机自组装分子单层对磁性半导体(Ga,Mn)As薄膜磁性调控研究方面取得新进展，相关成果发表在Advanced Materials（2015，27，8043–8050，DOI: 10.1002/ad
半导体所等在半导体材料“异构外延”研究中获进展
半导体产业经过长期发展，已进入“后摩尔时代”，“超越摩尔定律”迎来了高潮，未来半导体产业的发展需跳出原有框架寻求新的路径。面对这些机遇和挑战，宽禁带先进半导体等基础材料的制备也在孕育突破，新材料、新工艺和异构集成等将成为后摩尔时代的重要技术路线（图1）。 近期，中国科学院半导体研究所照明研发中
半导体设备展2024年深圳国际半导体设备展会官网
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2024深圳半导体设备展会丨4月9深圳半导体展
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全国官宣/2024年深圳半导体展会、半导体显示技术展会
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半导体展会——2024深圳国际半导体展览会「官网」《入口》
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时间+地点+门票+2024深圳国际半导体展最新半导体设备展
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半导体所HgTe半导体量子点研究取得新进展
近年来，拓扑绝缘体材料以其独特的物性吸引了科学界广泛的研究关注。这类材料内部是绝缘体，而在边界或/和表面则显示出金属的特性。这种独特的性质无法按照传统的材料分类方法来区分。其能带结构由Z2拓扑不变量来刻画。目前人们注意力集中在拓扑绝缘体块材的制备和输运性质研究方面。相对而言，拓扑绝缘体纳米结构的
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2024中国汽车半导体大会（深圳国际半导体展）
2024中国汽车半导体大会（深圳国际半导体展）时间：2024年6月26-28日 地点：深圳国际会展中心前言：面对中国汽车半导体市场份额低、进口依赖性过大，特别是高端汽车半导体主控芯 片、高级传感器件等。随着智能汽车、智能电动时代的到来，中国汽车半导体国产化全 面提速；“中国汽车半导体大会暨展示
半导体展丨2024中国第六届深圳国际半导体展览会「半导体展」
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备受看好的氧化镓材料是什么来头？－（二）
行业的领先厂商 既然这个材料拥有这么领先的性能，自然在全球也有不少的公司投入其中。首先看日本方面，据半导体行业观察了解，京都大学投资的Flosfia、NICT和田村制作所投资的Novel Crystal是最领先的Ga2O3供应商。 相关资料显示，Flosfia成立于20
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（三）
SiC的高压肖特基二极管应该是在几年内在轨道交通中得到引用。而开关管的应用需要更长的系统评估。中车和国网在这方面的持续投入研发为SiC功率器件研究打下了深厚的基础，是国家第三代半导体器件发展的中坚力量。 现在大家讲第三代半导体产业往往关注于电力电子器件和射频器件的市场，其实第三代半导体
第三代半导体有望写入下月十四五规划－成国产替代希望
近日，有媒体报道称，权威消息人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。国信证券研报中指出半导体第三代是指半导体材料的变化，从第一代、
半导体器件有哪些分类
现在被称作半导体器件的种类如下所示。按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类，一般来说这些还会被再分成小类。此外，IC除了在制造技术上的分类以外，还有以应用领域、设计方法等进行分类，最近虽然不常用，但还有按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类
我国学者在高能效新型晶体管研究领域取得重要进展
在国家自然科学基金创新研究群体项目（项目编号：61621061）等资助下，北京大学电子学系、纳米器件物理与化学教育部重点实验室张志勇教授团队与彭练矛教授团队合作，在高能效新型晶体管研究领域取得重要进展。研究成果以“Dirac-source Field-effect Transistors
我国科研人员为氧化镓晶体管找到新结构方案
26日，记者从中国科学技术大学获悉，该校微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台，分别采用氧气氛围退火和氮离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。相关研究成果日前分别在线发表于《应用物理通信》《IEEE电子设备通信》上。 作为新一代功率半导体材料，氧化镓的p型掺杂目前