访《科学》论文作者：横空出世的半浮栅晶体管
8月9日出版的《科学》(Science)杂志刊发了复旦大学微电子学院张卫课题组最新科研论文，该课题组提出并实现了一种新型的微电子基础器件：半浮栅晶体管(SFGT，Semi-Floating-Gate Transistor)。这是我国科学家在该顶级学术期刊上发表的第一篇微电子器件领域的原创性成果，标志着我国在全球尖端集成电路技术创新链中获得重大突破。 集成电路产业获突破 经过十余年的发展，当前我国集成电路产业销售收入从2001年的199亿元，提高到2011年的1572亿元，占全球集成电路市场的比重提高到9.8%、销售收入年均增长23.7%。 但是必须正视的是，我国集成电路产业的发展依然存在不少问题。工业和信息化部电子信息司司长丁文武曾撰文指出，我国产品自主供应不足，持续创新能力亟待加强，产业对外依存度高。 尽管我国在自主知识产权集成电路技术上取得了长足进步，但集成电路的核心技术基本上依然由国外公司拥......阅读全文
基于摩擦电子学晶体管阵列的主动式触觉传感系统研发
如今，大规模触觉传感系统基于电阻、电容、压电等各种物理传感机制，广泛地应用于柔性电子器件、人机交互和健康监测等领域。2014年，中国科学院北京纳米能源与系统研究所首次提出了摩擦电子学这一新的研究领域，利用接触起电产生的静电势作为门极信号来调控半导体中电传输与转化特性，实现了各种人机交互式功能器件
半导体功率器件可靠性水基清洗分析
导读：目前5G通讯和新能源汽车正进行得如火如荼，而功率器件及半导体芯片正是其核心元器件。如何确保功率器件和半导体芯片的品质和高可靠性？一、什么是半导体：半导体是指同时具有容易导电的“导体”和不导电的“绝缘体”两方面特性的物质。能够实现交流电转为直流电—“整流”、增大电信号—“增幅”、导通或者阻断电—
2024上海电子电路展览会|2024电子电路展「官网」
展会名称：2024中国（上海）国际电子电路展览会英文名称：China (shanghai) International Electronic Circuits Exhibition 2024参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978展会地点：上海新国际博览中心
我科学家开发出面向低功耗芯片的绝缘材料
中国科学院上海微系统与信息技术研究所狄增峰研究员团队研发出面向二维集成电路的单晶氧化铝栅介质材料——人造蓝宝石。这种材料具有卓越的绝缘性能，未来可用于开发低功耗芯片。相关成果7日发表在国际学术期刊《自然》上。二维集成电路采用厚度仅为1个或几个原子层的二维半导体材料构建，是下一代集成电路芯片的理想沟道
微电子所垂直纳米环栅器件研究获进展
与目前主流的FinFET器件相比，纳米环栅器件（GAA）在可微缩性、高性能和低功耗方面更具优势，被认为是下一代集成电路关键核心技术。其中，垂直纳米环栅器件（VGAA）由于在垂直方向上具有更多的集成自由度，可增加栅极和源漏的设计空间，减少器件所占面积，更易实现多层器件间的垂直堆叠并通过全新的布线方
时间确定电子电路展/2024深圳国际电子电路展会4月举办
展会名称：2024中国（深圳）国际电子电路展览会英文名称：China (shenzhen) International Electronic Circuits Exhibition 2024参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978展会地点：深圳会展中心（福田
迄今速度最快能耗最低二维晶体管问世
北京大学电子学院彭练矛教授-邱晨光研究员课题组日前制备出10纳米超短沟道弹道二维硒化铟晶体管，首次使得二维晶体管实际性能超过Intel商用10纳米节点的硅基鳍型晶体管，并将二维晶体管的工作电压降到0.5V，这也是世界上迄今速度最快能耗最低的二维半导体晶体管。该研究成果以《二维硒化铟弹道晶体管》为
超越硅极限二维晶体管诞生
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/4/497868.shtm“在弹道输运晶体管中，电子像子弹一样穿过沟道没有受到碰撞，能量没有被散射损失掉，所以弹道率越高的器件，能量利用效率更高。”近日，北京大学电子学院研究员邱晨光向《中国科学报》解释。随着硅
迄今速度最快能耗最低二维晶体管问世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/3/497096.shtm 本报北京3月26日电（记者晋浩天）北京大学电子学院彭练矛教授-邱晨光研究员课题组日前制备出10纳米超短沟道弹道二维硒化铟晶体管，首次使得二维晶体管实际性能超过Intel商用10纳
二硫化钼摩擦离子电子学晶体管研究获进展
两种不同材料接触分离可产生静电荷并引发一个摩擦静电场，该摩擦电场可以驱动自由电子在外部负载流通，得到脉冲输出信号。一方面，摩擦纳米发电机 (TENG) 就是利用了这种脉冲信号实现了将外部环境机械能转换成电能，近期在许多领域实现了许多突破性进展，包括从多种机械运动获取能源、自驱动机械感应系统、高灵
我国科学家在超低功耗集成电路晶体管领域取得突破
集成电路的发展目标已经由提升性能和集成度转变为降低功耗，其最有效的方法即降低工作电压。目前，互补金属氧化物半导体（CMOS）集成电路（14/10纳米技术节点）工作电压已经降低到了0.7V，而金属氧化物半导体场效应晶体管中亚阈值摆幅（60毫伏/量级）的热激发限制导致其工作电压不能低于0.64V。因
从一种新的切入角度来看三极管工作原理（三）
4、集电极电流Ic的形成： 如图C，发射结加上正偏电压导通后，在外加电压的作用下，发射区的多数载流子——电子就会很容易地被大量发射进入基区。这些载流子一旦进入基区，它们在基区（P区）的性质仍然属于少数载流子的性质。如前所述，少数载流子很容易反向穿过处于反偏状态的PN结，所以，这些载流子
展商报名!/电子电路展会2024年深圳国际电子电路展会官网
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场效应管的特点
与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。 （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）； （2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。 （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好； （4）它组成的放大电路的电
塑料基底晶体管在美研制成功
晶体管中的电介质栅被换成一种双层分子材料 晶体管制造一般是用玻璃作基底材料，这有利于在多变的环境下保持稳定，从而保证用电设备所需的电流。据美国物理学家组织网1月27日报道，美国佐治亚理工大学研究人员最近开发出一种双层界面新型晶体管，性能极为稳定，还能在可控的环境中，以低于150摄氏
化学所在有机场效应晶体管研究方面取得系列进展
有机场效应晶体管（OFET）由于在大面积、低成本和柔性化有机电子产品方面的潜在应用前景而备受学术界和工业界的关注，成为有机电子学中的研究前沿领域之一。目前，尽管OFET的性能已经初步满足实用化要求，但仍然存在性能低、稳定性差和与有机电子学相配套的低成本溶液法加工技术亟待开发等问题
有关半波整流电路的实验相关介绍
实验目的 (1) 掌握单结晶体管触发电路的调试步骤和方法。 (2) 掌握单相半波可控整流电路在电阻负载及电阻电感性负载时的工作。 (3) 了解续流二极管的作用。 实验线路及原理 单结晶体管触发电路的工作原理及线路图已在 1-3 节中作过介绍。将 DJK03 挂件上的单结晶体管触发电路的
木质晶体管让电子器件长在树上
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/4/499338.shtm ?由轻木制成的木制晶体管。图片来源：Van Chinh Tran一种由导电木材制成的电气开关，可能成为未来嵌入活树和其他植物中的电子设备的基石。相关研究成果近日发表于美国
新型生物纳米电子晶体管构建成功
据美国物理学家组织网5月13日报道，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室的科学家建造了可由三磷酸腺苷（ATP）驱动和控制的生物纳米电子混合晶体管。他们称，新型晶体管是首个整合的生物电子系统，其将为义肢等电子修复设备与人体的融合提供重要途径。相关研究发布在近期出版的《纳米快报》（
我国科学家开发出面向新型芯片的绝缘材料
作为组成芯片的基本元件，晶体管的尺寸随着芯片缩小不断接近物理极限，其中发挥着绝缘作用的栅介质材料十分关键。中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队开发出面向二维集成电路的单晶氧化铝栅介质材料——人造蓝宝石，这种材料具有卓越的绝缘性能，即使在厚度仅为1纳米时，也能有效阻止电流泄漏。相关成果
宁波材料所在无结薄膜晶体管领域取得重要进展
最近，国外科研人员报道了一种新型的无结纳米线晶体管(Nature Nanotechnology. 5, 225 (2010)）。这种晶体管源极和漏极与沟道区之间没有结的存在。相比传统的结型晶体管，无结晶体管的源极、漏极与沟道共用一根重掺杂的硅纳米线，从而大大简化了传统器件的制备工
彭练矛院士：没有芯片，就没有中国未来的现代化
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/11/511473.shtm当前，云、大数据、人工智能、个性化医疗和健康监控领域，未来数字化和智慧化的发展，都离不开芯片。毫不夸张地说，芯片就是现代技术的驱动力，中国未来如果没有芯片，就没有中国未来的现代化。集
我国科研人员为氧化镓晶体管找到新结构方案
26日，记者从中国科学技术大学获悉，该校微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台，分别采用氧气氛围退火和氮离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。相关研究成果日前分别在线发表于《应用物理通信》《IEEE电子设备通信》上。 作为新一代功率半导体材料，氧化镓的p型掺杂目前
单芯片三维集成有了创新低温工艺
三维集成是通过在垂直方向上将多个独立的芯片或功能层堆叠在一起的器件系统，能够实现逻辑、存储和传感等功能的垂直集成和协同工作，是后摩尔时代的重要技术路线。目前，商用的三维集成主要是通过封装技术将多芯片或者多芯粒垂直堆叠和互联。单芯片三维集成则是直接在同一芯片内部垂直集成多个器件层。通过将每一器件层直接
单芯片三维集成有了创新低温工艺
三维集成是通过在垂直方向上将多个独立的芯片或功能层堆叠在一起的器件系统，能够实现逻辑、存储和传感等功能的垂直集成和协同工作，是后摩尔时代的重要技术路线。 目前，商用的三维集成主要是通过封装技术将多芯片或者多芯粒垂直堆叠和互联。单芯片三维集成则是直接在同一芯片内部垂直集成多个器件层。通过将每一器
捕获原子充当晶体管，新型纳米光子电路显示量子网络潜力
美国普渡大学团队将碱金属原子（铯）捕获在集成光子电路中，可充当光子（光的最小能量单位）的晶体管。这些被“捉”到的原子，首次展示了冷原子集成纳米光子电路构建量子网络的潜力。研究成果发表在最新一期《物理评论X》上。新开发的技术利用激光冷却并捕获了集成纳米光子电路中的原子。光在一条细小的光子“线”（比人类
北大在Nature上演“帽子戏法”！
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/3/496781.shtm 3月22日晚间，Nature官网发布多篇论文 北京大学三项成果同时在线发表 上演“帽子戏法” 生命科学学院肖俊宇研究员研究组 发表成果 《FcμR受体对免疫球
北大在Nature上演“帽子戏法”！
3月22日晚间，Nature官网发布多篇论文 北京大学三项成果同时在线发表 上演“帽子戏法” 生命科学学院肖俊宇研究员研究组 发表成果 《FcμR受体对免疫球蛋白IgM的识别》 化学与分子工程学院彭海琳教授课题组 发表成果 《外延高κ栅氧化物集成型二维鳍式晶体管》 电子学院彭练
英特尔芯片将首次采用三维晶体管
据英国广播公司（BBC）5月4日报道，美国英特尔公司4日表示，该公司已研发出可大规模生产的三栅（Tri-Gate）三维结构晶体管，配备了新晶体管的芯片在能耗大幅降低的同时，性能也得到了改进。分析人士指出，这是集成电路问世后计算机领域最重要的转变。 英特尔当天还展示了名为“常
一篇文章说清半导体制程发展史（三）
第三个问题，技术节点的缩小过程中，晶体管的设计是怎样发展的。首先要搞清楚，晶体管设计的思路是什么。主要的无非两点：第一提升开关响应度，第二降低漏电流。为了讲清楚这个问题，最好的方法是看图。晶体管物理的图，基本上搞清楚一张就足够了，就是漏电流-栅电压的关系图，比如下面这种：横轴代表栅电压，纵轴