新一代光电探测器研发框架获共识
来自全球学术界与工业界的专家团队，在新一期《自然·光子学》杂志上发表一项具有里程碑意义的共识声明，倡议加速研发基于新兴光响应材料的新一代光电探测器，以推动医疗健康、智能家居、农业和制造业等领域的创新应用。该声明同时发布了《基于新兴半导体技术的光电探测器准确评估指南》，为表征、报告和评估新兴光传感技术建立了统一框架。光传感器又称光电探测器，是将光信号转换为电信号的装置。作为众多智能设备的核心部件，其全球市场总值已超过300亿美元，经济意义重大。新兴光电探测器基于有机半导体、钙钛矿、量子点及二维材料等制成，具有超薄、柔性、可拉伸和轻质等特性。这些新一代器件不仅有望降低成本、提升性能，还将开辟前所未有的应用场景。不过，专家团队指出，当前材料与器件结构的快速发展，已超出研究界系统测量与比较性能的能力范围。由于新兴技术具有独特性，新现象与应用层出不穷，缺乏标准化方法将难以辨识真正的技术突破，产业界也难以判断哪些技术具备实际应用价值。此外，......阅读全文
PN结半导体探测器的类型
扩散结(Diffused Junction)型探测器 采用扩散工艺——高温扩散或离子注入 ；材料一般选用P型高阻硅，电阻率为1000；在电极引出时一定要保证为欧姆接触，以防止形成另外的结。 金硅面垒(Surface Barrier)探测器 一般用N型高阻硅，表面蒸金50～100μg/c
超灵敏光电探测器：新颖的复合式分层光电晶体管结构
有效调控和平衡光生载流子的分离、传输与复合对于实现高灵敏光电探测器至关重要。传统的有机光电晶体管大多基于单一的层异质结或体异质结结构，前者中给、受体分别以层状薄膜叠加的形式构成，后者中给、受体材料共混形成光电转换活性层。尽管以上结构提供了较优异的光电探测性能，但是它们都很难同时兼顾光生激子的高效
新研究构筑1024高像素密度光电探测器阵列
4英寸晶圆的图案化Ti3C2Tx薄膜（金属所供图） 在电子和光电器件中，二维过渡金属碳化物和氮化物MXene被公认为具有重要应用潜力。中国科学院金属研究所（以下简称金属所）沈阳材料科学国家研究中心的科研人员与国内多家单位科研团队合作，提出一种具有微米级分辨率的晶圆级MXene薄膜图案化方法，并构筑
新研究构筑1024高像素密度光电探测器阵列
4英寸晶圆的图案化Ti3C2Tx薄膜（金属所供图）在电子和光电器件中，二维过渡金属碳化物和氮化物MXene被公认为具有重要应用潜力。中国科学院金属研究所（以下简称金属所）沈阳材料科学国家研究中心的科研人员与国内多家单位科研团队合作，提出一种具有微米级分辨率的晶圆级MXene薄膜图案化方法，并构筑了1
氮化镓半导体材料光电器件应用介绍
GaN材料系列是一种理想的短波长发光器件材料，GaN及其合金的带隙覆盖了从红色到紫外的光谱范围。自从1991年日本研制出同质结GaN蓝色 LED之后，InGaN/AlGaN双异质结超亮度蓝色LED、InGaN单量子阱GaNLED相继问世。目前，Zcd和6cd单量子阱GaN蓝色和绿色 LED已进入大批
高纯锗(HPGe)半导体探测器的相关介绍
简介 随着锗半导体材料提纯技术的进展，已可直接用超纯锗材料制备辐射探测器。它具有工艺简单、制造周期短和可在室温下保存等优点。用超纯锗材料还便于制成X、γ射线探测器,既可做成很大灵敏体积，又有很薄的死层,可同时用来探测X和γ射线。高纯锗探测器发展很快，有逐渐取代锗。 工作原理 采用高纯度的
PN结半导体探测器的工作原理
多数载流子扩散，空间电荷形成内电场并形成结区。结区内存在着势垒，结区又称为势垒区。势垒区内为耗尽层，无载流子存在，实现高电阻率，远高于本征电阻率 [4] 。 在P-N结上加反向电压，由于结区电阻率很高，电位差几乎都降在结区。 反向电压形成的电场与内电场方向一致。 在外加反向电压时的反向电流
半导体探测器的基本原理和特点
基本原理 半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测器的灵敏体积内产生电子－空穴对，电子－空穴对在外电场的作用下漂移而输出信号 [2] 。 我们把气体探测器中的电子－离子对、闪烁探测器中被 PMT第一打拿极收集的电子 及半导体探测器中的电子－空穴对统称为探测器的信息载流子。产生每个信息载流
做到这些，可提高alphalas－光电探测器的工作效率
alphalas 光电探测器能把光信号转换为电信号，它的原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变。在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段主要用于制导、红外热成像、红外遥感等方面。光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面。
学者综述二维材料光电探测器研究进展
应《物理学报道》（Physics Reports）编辑Daniel Vanmaekelbergh的邀请，松山湖材料实验室研究员林生晃团队于近日在该刊发表长篇综述文章，重点介绍了二维材料在CMOS兼容和硅光子结构中的混合集成技术，以及这些技术在现代通信技术领域的应用。综述文章指出，随着通信技术的飞速发
研究开发出新型可变响应光谱的光电探测器
近日，吉林大学电子科学与工程学院新型光电探测材料与器件团队在光电探测领域取得重要进展，设计出可变响应光谱的光电探测器，相关成果发表于《自然·通讯》。日夜成像技术可以在白天提供彩色可见光图像，并在夜间显示黑白红外图像，在诸如安防监控、机器视觉和自动驾驶等领域具有广泛应用价值。带有拜耳滤光片的传统硅图像
学者综述二维材料光电探测器研究进展
应《物理学报道》（Physics Reports）编辑Daniel Vanmaekelbergh的邀请，松山湖材料实验室研究员林生晃团队于近日在该刊发表长篇综述文章，重点介绍了二维材料在CMOS兼容和硅光子结构中的混合集成技术，以及这些技术在现代通信技术领域的应用。 综述文章指出，随着通信技术
研究开发出新型可变响应光谱的光电探测器
近日，吉林大学电子科学与工程学院新型光电探测材料与器件团队在光电探测领域取得重要进展，设计出可变响应光谱的光电探测器，相关成果发表于《自然·通讯》。日夜成像技术可以在白天提供彩色可见光图像，并在夜间显示黑白红外图像，在诸如安防监控、机器视觉和自动驾驶等领域具有广泛应用价值。带有拜耳滤光片的传统硅图像
超快高敏石墨烯光电探测器在美诞生
美国马里兰大学纳米物理和先进材料中心的研究人员开发出一种新型热电子辐射热测量计，这种红外光敏探测器能广泛应用于生化武器的远距离探测、机场安检扫描仪等安全成像技术领域，并促进对于宇宙结构的研究等。 科学家利用双层石墨烯研发了这款辐射热测量计。石墨烯具有完全零能耗的带隙，因此其能吸收
半导体材料－硫化铂光电特性研究获新突破
记者6月20日从云南大学材料与能源学院获悉，该学院杨鹏、万艳芬团队经过持续研发，解决了类石墨烯材料大面积均匀少层硫化铂的合成及其结构和物理性能的一系列问题，为更丰富的应用场景器件开发提供支持，同时给行将终结的摩尔定律注入新的希望，提供极具潜力的半导体材料。 “微电子技术历经半个多世纪发展，给人
什么是防潮箱，光电半导体防潮箱
一.、防潮箱、光电半导体防潮箱产品主要特性◆温湿度传感器:采用进口等品牌进口温湿度传感器,误差小于±2%RH,高精度高稳定性. 并釆用专用釆集模块设计.。◆ 数显及精度: 釆用业内的高亮度数码整屏显示，且温.湿度单独显示。带有主机工作状态的数码显示。显示稳定，使用寿命长. 湿度设定具有记忆功能，断电
著名半导体光电子学家王圩逝世
1月26日，中科院半导体所发布王圩院士讣告。 以下为讣告全文：讣告 中国共产党优秀党员、中国科学院院士，中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体光电子学家王圩先生因病医治无效，不幸于2023年1月26日18点11分在北京逝世，享年86岁。 王圩院士1937年12月25日生于河北文安，1
CdZnTe半导体探测器X射线能谱响应特性分析
CdZnTe是一种性能优异的高能射线探测材料,在空间科学、核安全以及核医学等众多领域有广泛的应用前景.本文选取了3枚不同等级的CdZnTe探测器,在详细阐述了CdZnTe探测器工作原理的基础上,对比分析了他们的能谱响应曲线和载流子输运特性的关系.重点分析了CdZnTe探测器能量分辨率、电荷收集效率和
半导体的奇妙世界：从光伏应用到半导体材料的光电转化
在科技的浩瀚海洋中，半导体材料扮演着举足轻重的角色。常温下，半导体的电导率介于导体与绝缘体之间，使得它们在各种电子设备中担当着关键的角色。从集成电路、消费电子、通信系统到光伏发电、照明、大功率电源转换等领域，半导体的应用无所不在。 半导体材料，如硅、锗、砷化镓等，具有独特的电学特性，可以在各种
投资7千万元－国内首个光电探测器研发平台开建
航展期间记者获悉，中航工业航电系统公司与电子科技大学将共同投资7000万元，联合建设“光电探测集成器件及应用实验室”，建设国内第一个全状态光电探测器研发平台。 根据协议，中航工业洛阳电光设备研究所以3500万元现金投资，建设非制冷红外探测器封装测试线，与电子科技大学已建成的6英寸ME
可调谐红外双波段光电探测器，助力多光谱探测发展
红外双波段光电探测器是重要的多光谱探测器件，特别是近红外/短波红外区域，相较于可见光有更强的穿透能力，相较于中波红外可以以较低的损耗识别冷背景的物体，因此广泛应用于民用和军事领域。当前红外双波段探测器主要面临光谱不可调谐，器件结构复杂而不易与读出集成电路相结合的挑战。 据麦姆斯咨询报道，近日，
光电导探测器灵敏度与工作偏置电压是否有关
有关。在光照度一定时，光电导探测器灵敏度随工作偏置电压的增大而增大；两者是有相互关联的，因此在实际应用中，可以在光电导探测器的最大额定功率内适当提高工作偏置电压，以得到较大的探测灵敏度。
光电探测器的输出功率值与光强度的关系
光强度等于单位面积的光功率。光强度=单位时间单位面积通过的光能量（即光功率）能量与频率成正比是他们的强度之和，光电探测器的输出功率值与光强度的关系是光强度等于单位面积的光功率。光电探测器的原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变。光电探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。
铁电局域场增强纳米线光电探测器研究获进展
近日，中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室胡伟达研究员、武汉大学物理学院廖蕾教授等研究人员在铁电局域场增强纳米线光电探测器研究取得进展，相关成果以“When Nanowires Meet Ultrahigh Ferroelectric Field -High-Performan
几种半导体材料的光电子能谱研究
ZnO薄膜的光电子能谱研究表明:1)对某些条件下生长的薄膜,光致发光谱中存在的绿光发光峰来源于薄膜中介于Vo和Oi中间价态的氧;2)对首次利用溅射夹层GaAs方法制备的As掺杂的ZnO薄膜,O2下退火比较容易控制As的价态,有利于形成p型掺杂。首次采用ErF3到Alq3中的方法制作了1.53μm电发
半导体材料硫化铂光电特性的相关研究获进展
记者6月20日从云南大学材料与能源学院获悉，该学院杨鹏、万艳芬团队经过持续研发，解决了类石墨烯材料大面积均匀少层硫化铂的合成及其结构和物理性能的一系列问题，为更丰富的应用场景器件开发提供支持，同时给行将终结的摩尔定律注入新的希望，提供极具潜力的半导体材料。 “微电子技术历经半个多世纪发展，给人
异质结在半导体光电子器件中有哪些作用
半导体异质结构一般是由两层以上不同材料所组成，它们各具不同的能带隙。这些材料可以是GaAs之类的化合物，也可以是Si-Ge之类的半导体合金。按异质结中两种材料导带和价带的对准情况可以把异质结分为Ⅰ型异质结和Ⅱ型异质结两种，两种异质结的能带结构异质结图册，I型异质结的能带结构是嵌套式对准的,窄带材料的
alphalas－光电探测器有哪些让人意想不到的功能？
alphalas 光电探测器有哪些让人意想不到的功能？ alphalas 光电探测器是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等。在红外波段主要用于红外热成像、红外遥感等方面。它
alphalas－光电探测器有哪些让人意想不到的功能？
alphalas 光电探测器是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等。在红外波段主要用于红外热成像、红外遥感等方面。它的门类众多，一般按照探测器上产生的物理效应，分成光子探测器和
光电探测器前置放大器会放大暗电流吗
暗电流的产生： 光电管在没有受到光照时,也会产生电流,称为暗电流。它是由阴极在常温下的热电子发射形成的热电流和封闭在暗盒里的光电管在外加电压下因管子阴极和阳极间绝缘电阻漏电而产生的漏电流两部分组成。