亚纳米级孔隙三维图像首次获得
据物理学家组织网6月9日（北京时间）报道，美半导体研究公司与康耐尔大学的研究人员开发出一种新的方法，利用电子断层成像技术首次获得了亚纳米级的孔隙三维图像。科学家相信，对于半导体材料亚纳米级结构的深入了解，将会不断提高集成电路的性能，降低电能的消耗。 揭示信息技术进步速度的摩尔定律是由英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔（Gordon Moore）提出来的。其指出当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。 为了不断提高半导体的性能，科学家开始引入低介电常数材料以取代二氧化硅。低介电常数材料通过降低集成电路中使用的介电材料的介电常数，可以降低集成电路的漏电电流，降低导线之间的电容效应，降低集成电路发热等等。低介电常数材料的研究通常是同高分子材料密切相关的，这些材料具有非常复杂的孔隙结构。掌握这些分子水平的孔隙结构，将对未来集成电路的设计产生深远的影响......阅读全文
中广核纳米比亚湖山铀矿进入采矿生产阶段
5月8日，中国广核集团（以下简称中广核）纳米比亚湖山铀矿采矿生产正式开工。纳米比亚总统波汉巴、中国国家原子能机构副主任王毅韧、中国驻纳米比亚大使忻顺康、中广核董事长贺禹等出席了在纳米比亚湖山铀矿现场举办的开工仪式，并见证了重型采矿设备首次启动运行，标志着湖山铀矿正式进入采矿生产阶段。 湖山铀
二维半导体三维集成研究取得新成果
经过数十年发展，半导体工艺制程不断逼近亚纳米物理极限，但传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层互连CMOS逻辑电路，从而获得三维集成技术的突破，是国际半导体领域积极探寻的新路径之一。由于硅基晶体管制备工艺采用单晶硅表面离子注入的方式，较难实现在一层离子注入
科学家发现具明亮基态激子的半导体纳米晶体
件 来自美国海军研究实验室（NRL）和瑞士苏黎世联邦理工学院（ETH）的科学家表示，他们发现了一类具有明亮基态激子的新型半导体纳米晶体。这一发现标志着光电子领域的一项重大进步，可能会彻底改变高效发光器件等技术的发展。相关论文发表于新一期《美国化学学会·纳米》杂志。研究示意图。图片来源：《美国化学学会
科研人员用碳纳米管制成碳基半导体
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/519344.shtm碳纳米管最早发现于20世纪90年代初，因卓越的性能而独树一帜。碳纳米管在导电和导热方面的表现令人惊讶，在研发更快、更小、更高效的电子产品的过程中，一直被认为是硅的潜在替代品。但是，生产
苏州纳米所有机半导体合成与官能化研究取得进展
有机芳香共轭化合物尤其是含氧族元素(如硫、硒等)的杂稠环芳香化合物由于其显著的光电特性而备受研究者重视。二氧杂蒽嵌蒽(PXX)是目前报道的为数不多的含氧族元素的全六元杂芳共轭小分子，其结构中引入了氧桥联结构，极大增加了分子间作用力和分子的环境稳定性，此外，由于氧杂原子是以六元环的方式引入，使分子
科研人员用碳纳米管制成碳基半导体
碳纳米管最早发现于20世纪90年代初，因卓越的性能而独树一帜。碳纳米管在导电和导热方面的表现令人惊讶，在研发更快、更小、更高效的电子产品的过程中，一直被认为是硅的潜在替代品。但是，生产具有特定性能的碳纳米管仍是一项巨大的挑战。某些碳纳米管根据其卷绕方式被归类为金属纳米管，这意味着电子可以以任何能量穿
半导体所谭平恒研究员访问苏州纳米所
7月9日上午，应中国科学院纳米器件与应用重点实验室邀请，中科院半导体研究所谭平恒研究员到中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所进行交流访问，并作了题为Ultra-low-frequency Raman Modes in Two-dimensional Layered Materials 的报告。报告
美用迄今最薄半导体造出新型纳米激光器
美国科学家们利用迄今最纤薄(仅为三个原子厚)的半导体，制造出一种新型纳米激光器，其不仅能效更高，容易制造且可与目前的电子设备兼容。研究人员表示，这一研究成果为最终制造出用光而非电子传输信息的下一代计算设备奠定了坚实的基础。 从医疗到金属切割再到电子产品，激光器都在其中扮演重要角色，但为了满足
真空低温电学测试探针台的功能简介
真空低温电学测试探针台是一种用于材料科学领域的电子测量仪器，于2019年7月9日启用。 主要功能 低温探针台主要应用于半导体行业、光电行业、集成电路以及封装的测试。 广泛应用于复杂、高速器件的精密电气测量的研发，进行材料的凝聚态物理、磁学、低温物理、半导体物理、自旋电子学、超导材料、显示屏技
国科大等：二维半导体新成果登上Nature
创新方法打破硅基逻辑电路的底层“封印”经过数十年发展，半导体工艺制程已逐渐逼近亚纳米物理极限，传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层互连CMOS逻辑电路以实现三维集成技术的突破，已成为国际半导体领域积极探寻的新方向。由于硅基晶体管的现代工艺采用单晶硅表面离
国科大等：二维半导体新成果登上Nature
经过数十年发展，半导体工艺制程已逐渐逼近亚纳米物理极限，传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层互连CMOS逻辑电路以实现三维集成技术的突破，已成为国际半导体领域积极探寻的新方向。由于硅基晶体管的现代工艺采用单晶硅表面离子注入的方式，难以实现在一层离子注入的
我国成功研发全球首款商用40纳米手机芯片
展讯通信有限公司1月19日在北京发布全球首款商用40纳米手机芯片，这标志着我国在半导体自主研发领域再次取得重大突破。工业和信息化部副部长杨学山表示，这是我国半导体产业具有里程碑意义的事件，是产业上下游形成一个可持续发展产业链的有效探索。 据介绍，40纳米仅为普通A4纸厚度的1750分
清华教授，加盟这所技术大学！
6月7日，“深圳技术大学”发布消息称，2021年，深圳技术大学与企业合作，联合兴办粤港澳大湾区第一所集成电路学院，致力培养湾区产业发展急需的半导体和集成电路高端人才。前不久，这所学院易名为“集成电路与光电芯片学院”，同时升格为学校的一级学院，并将在今年9月迎来首批新生。而世界纳米激光及半导体器件领域
清华教授，加盟这所技术大学！
6月7日，“深圳技术大学”发布消息称，2021年，深圳技术大学与企业合作，联合兴办粤港澳大湾区第一所集成电路学院，致力培养湾区产业发展急需的半导体和集成电路高端人才。前不久，这所学院易名为“集成电路与光电芯片学院”，同时升格为学校的一级学院，并将在今年9月迎来首批新生。而世界纳米激光及半
高质量InAs(Sb)/GaSb核壳异质结纳米线阵列外延生长获进展
一维半导体纳米线凭借其优越、独特的电学、光学、力学等特性，在材料、信息与通讯、能源、生物与医学等重要领域展现出广阔的应用前景。尤其是，基于半导体纳米线的晶体管具有尺寸小、理论截止频率高等优点，为未来在微处理器芯片上实现超大规模集成电路开拓了新的方向。在III-V族半导体材料中，InAs具有小的电
集成电路制造展会|2024上海数/模混合集成电路展览会「上海集成电路展」
展会概况展会名称：2024中国（上海）集成电路产业与应用博览会展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18日-19日展会地点：上海新国际博览中心展会规模：50,000平方米、800家展商、90,000名专业观众 中国集成电路将顺势而为，逆势崛起 “十四五”期间，我国半导体
首个半导体线宽检测国际标准发布
近日，国际标准化组织（ISO）正式发布了微束分析领域中的一项国际标准：“基于测长扫描电镜的关键尺寸评测方法”，该标准由中国科学技术大学物理学院和微尺度物质科学国家研究中心丁泽军团队主导制定，是半导体线宽测量方面的首个国际标准，也是半导体检测领域由中国主导制定的首个国际标准，该标准的发布有助于促进
国际标准化组织正式发布一项微束分析领域国际标准
近日，国际标准化组织（ISO）正式发布了微束分析领域中的一项国际标准：“基于测长扫描电镜的关键尺寸评测方法”，该标准由中国科学技术大学物理学院和微尺度物质科学国家研究中心丁泽军团队主导制定，是半导体线宽测量方面的首个国际标准，也是半导体检测领域由中国主导制定的首个国际标准，该标准的发布有助于促进
中国集成电路展|2024上海国际第三代半导体展览会「点击咨询」
2024中国（上海）国际电子展览会展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际博览中心展会规模：50,000平方米、800家展商、90,000名专业观众 展会介绍： 电子产业是电子信息产业的基础支撑，中国电子元器件的发展过程是从无
「主办方」半导体展/2024深圳国际集成电路终端产品展览会丨官宣
深圳电子元器件展，电子仪器仪表展，深圳电子仪器仪表展，电子元器件展，深圳电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，深圳电子仪器展，电仪器展览会，深圳继电器展，深圳电容器展，深圳连接器展，深圳集成电路展2024中国（深圳）国际半导体与封装设备展览会2024 China (Shenzhen)
复旦团队实现特大规模集成度有机芯片制造
7月4日，复旦大学高分子科学系、聚合物分子工程国家重点实验室研究员魏大程团队设计了一种功能型光刻胶，利用光刻技术，在全画幅尺寸芯片上集成了2700万个有机晶体管并实现了互连，达到特大规模集成度（单片集成器件数量大于221）水平，且高密度阵列可以转移到柔性衬底上，可实现仿生视网膜应用。相关研究发表于《
激光干涉技术打破纳米尺度极限－亚细胞结构观察成现实
光学显微镜自1590年由荷兰詹森父子创制伊始，即成为生命科学最重要的研究工具之一。进入21世纪，借助荧光分子，科学家将光学显微镜的分辨率提高了一个数量级，由约一半光波波长（250 nm）拓展至几十纳米，并兴起了超高分辨荧光成像技术，用于“看到”精细的亚细胞结构和生物大分子定位，相关工作荣膺201
近代物理所在聚合物亚纳米孔道研制方面获进展
核孔膜因其孔径分布均一、孔道高度平行且贯通、孔道尺寸和密度方便可调等优点，已被应用于水处理、药物筛分、分子检测、纳米材料制备等领域。然而，常规的化学蚀刻方法难以获得具有较小孔径（小于4纳米）的核孔膜，使其在离子分离和精准过滤方面受到严重限制。 中国科学院近代物理研究所材料研究中心的科研人员采用
亚纳米尺度物质聚集态及相互作用调控项目指南
物质在不同尺度的聚集状态是决定其性质的关键因素。亚纳米尺度是由原子分子到传统意义纳米尺寸的过渡区域，与高分子链/ DNA直径、团簇及无机晶体晶胞尺寸相当。在该尺度对材料形成进行精准控制并以此为基础系统研究其构效关系，有助于深入理解由原子/分子到聚集态材料的形成过程、性能突变，有望发现若干重要的尺寸效
清华团队首次实现具有亚1纳米栅极长度的晶体管
晶体管是芯片的核心元器件。更小的栅极尺寸可以使得芯片上集成更多的晶体管，并带来性能上的提升。近日，清华大学集成电路学院教授任天令团队在小尺寸晶体管研究方面取得重要进展，首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管，该晶体管具有良好的电学性能。相关成果以“具有亚1纳米栅极长度的垂直硫化钼晶体管”为题，在
科学家探测纳米比亚云朵或解全球变暖谜题
在纳米比亚的沿海地区，一年中连续若干月会有一层烟雾持续在低矮的云层上漂移。这是研究气候科学最棘手问题的最佳地点，这个问题就是烟雾和云层如何发生相互作用，从而影响全球变暖。现在，一项空中研究项目已经在这个“自然实验室”中展开。 来自法国和英国的合作者很早之前就希望可以扩展当地样本检测区域，但该
纳博会检测、分析、研讨，－－怎么能少的了您的身影？
纳博会检测、分析、研讨，怎么能少的了您的身影？ 遥想纳博当年，大会初办了，群情激昂！小纳清晰的记得，2018年第九届纳博会，同期举办的第一届“纳博会分析测试应用研讨会”，得到了Thermo fisher、Bruker、牛津仪器、leical、日立、Zeiss、Tescan、PHI、EDAX等众多知名
石墨烯纳米带制备及其晶体管应用研究进展
在国家自然科学基金项目（批准号：61622404、62074098）等资助下，上海交通大学陈长鑫教授研究组与合作者们在具有光滑边缘的亚十纳米宽度的石墨烯纳米带（GNR）制备及其高性能晶体管应用研究方面取得重要进展。研究成果以“来自被压扁碳纳米管的边缘原子级光滑的亚十纳米石墨烯纳米带（Sub-10
化学所利用半导体纳米线同质结实现光学分波器
光学分波器是纳米光子回路中的关键元件，可以用来连接纳米激光器(J. Am. Chem. Soc., 2011, 133, 7276-7279)、光信号传感器(Adv. Mater., 2012, 24, OP194-199)、检测器 (Adv. Mater., 2012, 24, 474
半导体所在GaAs纳米线结构相变研究方面取得新进展
最近，国际期刊《纳米快报》（Nano Latters）报道了中科院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室赵建华研究员和博士研究生俞学哲关于通过三相线位移（triple phase line shift）调控GaAs纳米线结构相变的研究成果。 作为传统的III-V族半导体，GaAs体材料的稳