第二届全国纳米结构器件研讨会在太原召开
为促进我国纳米结构器件相关领域专家、学者及企业界的交流与合作，提升我国纳米科学技术创新能力，由中国微米纳米技术学会纳米科学技术分会主办，中科院半导体所、国家纳米科学中心、太原理工大学联合承办的“第二届全国纳米结构器件研讨会”于9月26日至29日在山西省太原市举办。 大会主席范守善院士到会讲话，他介绍了本次会议召开的背景，希望通过此次会议推动山西纳米科技的发展，从而带动全国纳米材料与器件的发展。另外，他特别强调过此次会议，让更多从事纳米材料与器件方面的科研人员了解山西，以便在相关科技成果转化过程中能得到山西民间资金的资助，推动山西产业的发展，同时寻求科研人员自身的发展。 国家纳米科学中心副主任朱星教授代表国家纳米中心及纳米科技分会到会讲话，他介绍了中心及纳米科技分会成立的背景、发展及现状，同时欢迎全国纳米科技界同仁与中心进行交流与合作并加盟纳米科技分会，共同推动我国纳米科技的发展。 太原理工大学......阅读全文
《纳米快报》：一维半导体纳米结构光子学
在基金委青年基金、纳米重点项目和国家纳米测试基金及973课题的支持下，湖南大学纳米技术研究中心潘安练、邹炳锁教授等团队成员和北京大学、国家纳米中心以及德国马普研究所合作，在一维半导体纳米结构光子学的研究上取得了重大突破：首次正式提出了半导体一维纳米结构中光子输运的概念，建立光传播的理论模型，并在实验
苏州纳米所阵列无机半导体纳米结构研究获系列进展
无机半导体纳米结构电极在太阳能电池、光解水及能量存储等器件中有着非常广泛的应用。电极的比表面积以及电荷输运能力是决定这些器件性能的关键因素。最近，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员封心建课题组在高性能无机半导体纳米电极的研究中取得了系列新进展。 电极材料的微观结构对其电学性能有着重要
“纳米画笔”勾勒未来低维半导体器件
如今人们的生活节奏在加快，对电子设备的要求也越来越高。各种新款电子设备都在变着法子表明自己功能更强大、体型更轻薄。然而，电子设备的功能越丰富、性能越强大，意味着这些设备单位体积中容纳的电子元件数目越多；体型越小意味着这些电子元件功能单元的体积越来越小。 就像我们每天都使用的手机，它的中央处理
王占国：半导体材料将走向“纳米化”
半导体照明5年后进入千家万户、上百位的密码几秒钟就计算出来、人类进入变幻莫测的量子世界……日前，在中国科技馆数百位参加科学讲坛的听众前，中科院院士、中科院半导体研究所研究员王占国展示了半导体材料的惊人魅力。 半导体是介于导体和绝缘体之间的材料。自1947年12月23日正式发明后，在家电、通
美开发出无缺陷半导体纳米晶体薄膜
据物理学家组织网8月21日(北京时间)报道，美国麻省理工学院的研究人员利用电子束光刻技术和剥离过程开发出无缺陷半导体纳米晶体薄膜。这是一种很有前途的新材料，可广泛应用并开辟潜在的重点研究领域。相关报告发表在近期出版的《纳米快报》杂志网络版上。 半导体纳米晶体的大小决定了它们的电子和光学性质
纳米所在高纯度半导体型碳纳米管分离应用方面获进展
半导体型单壁碳纳米管（s-SWNTs）具有独特的电学、力学和光学特性，被认为是最有希望取代硅延续摩尔定律的半导体材料之一。但是，目前通过常规制备手段所制备的SWNTs均是不同导电属性的SWNTs混合物，极大地阻碍了其优异电子性能的发挥及在诸多高端科技领域里的潜在应用。因此，如何有效地获得高纯度、
苏州纳米所在半导体超晶格研究领域取得进展
超晶格概念自1970年一提出，就被认为是半导体物理领域一个具有里程碑意义的进展，在上世纪80年代和90年代成为半导体物理十分热门的研究领域。超晶格中微带输运和量子阱之间的级联共振隧穿会导致负微分电导效应，这使得超晶格成为一个理想的具有多个自由度的非线性系统。许多与空时非线性效应相关的物理现象都能
王占国院士：半导体材料将走向“纳米化”
半导体照明5年后进入千家万户、上百位的密码几秒钟就计算出来、人类进入变幻莫测的量子世界……日前，在中国科技馆数百位参加科学讲坛的听众前，中科院院士、中科院半导体研究所研究员王占国展示了半导体材料的惊人魅力。 半导体是介于导体和绝缘体之间的材料。自1947年12月23日正式发明后，
为量子计算开路－半导体纳米设备还能这么用
日本理化学研究所（理研）近日宣布，利用由广泛用于工业领域的天然硅制成的半导体纳米设备，实现了具有量子计算所必需的高精度的“量子比特”(qubit)。由于可以使用现有的半导体集成化技术安装量子比特元件，因此，这次的成果将是实现大规模量子计算机的重要一步。 本次研究中使用的样本的电子显微镜
纳米所与索尼联合研发半导体材料与器件
6月23日下午，中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所与索尼公司半导体材料与器件合作项目启动签约仪式在苏州纳米所举行。研究所所长杨辉代表苏州纳米所与索尼公司高级副总裁熊谷签订合作协议，同时，索尼公司将向苏州纳米所提供分子束外延（MBE）装置的免费使用权。中科院副院长施尔畏，苏州工业园
半导体所在锑化物纳米线研究中取得系列进展
III-V族半导体纳米线凭借其独特的准一维结构和物理特性在纳米晶体管、纳米传感器和纳米光电探测器等方面有着重要潜在应用，是当前国际研究的热点。特别是，三元合金InAsSb纳米线除了具有超高的载流子迁移率和极小的有效质量外，其可调的带隙以及电、光学性能使其成为红外探测器的理想材料。目前，国际上广泛
天大首次用物理方法取得纳米级别半导体材料
4年前实验室人员的一个疏忽，却导致了一个意外发现，最终成就了一个世界首创的工艺。最近，天津大学材料学院量子点材料与器件研究组开发出了环保高效的单分散量子点合成新工艺，成果发表在《Nature Communications》(《自然通信》)杂志上，这是世界上首次报道用物理方法合成单分
科学家用半导体纳米微管控制神经突生长
在该项研究中，科学家设计出各种尺寸和形状的微管，其大小刚好够单个神经突进入，但又不会让整个神经细胞嵌入微管，然后他们将小鼠神经细胞覆盖在微管周围，并观察这些细胞会如何反应。结果研究人员发现，神经细胞开始将树突伸入微管中，仿佛在探路一般。其中有些树突会顺着微管的轮廓生长，这也意味着神经细胞可按一定结构
韩国三星首次研发5纳米半导体工艺
韩国《中央日报》发布消息称，三星电子已成功研发出5纳米(nm)半导体工艺，并于4月中正式量产首个利用极紫外光刻(EUV)的7纳米芯片。对于新一代半导体的精密工艺问题，三星电子与各企业间的技术较量也日趋激烈。 三星电子宣布成功开发的5纳米精密工艺采用了比现有的ArF更优越的EUV技术。与ArF工
挪威研制最新半导体新材料砷化镓纳米线
挪威科技大学的研究人员近日成功开发出一种新型半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”，并申请了技术ZL，该复合材料基于石墨烯，具有优异的光电性能，在未来半导体产品市场上将极具竞争性，这种新材料被认作有望改变半导体工业新型设备系统的基础。该项技术成果刊登在美国科学杂志纳米快报上。 以Helge W
俄学者发现空气对纳米电子半导体有致命影响
俄罗斯托木斯克理工大学发布消息称，该校与德国、委内瑞拉的科学家最近证实了二维半导体硒化镓在空气中的易损性，该重要发现有助于制造硒化镓基超导纳米电子产品。研究结果发表在《Semiconductor Science and Technology》(IF 2.305, Q2)杂志上。 现代材料学中
高导性碳纳米管可转换为半导体
据英国皇家化学学会网站18日报道，美国科学家开发出一种简单、可行的碳纳米管混合物的净化方式。其可借助紫外线和空气中的氧生成净化的半导性纳米管，这对发展下一代计算机芯片具有非凡价值。相关文章发表于近期的《纳米快报》网络版。 由于碳纳米管具有独特的形状和电子性能，极有希望成为未来电子元件制造的
复合半导体纳米线成功整合在硅晶圆上
据美国物理学家组织网11月9日报道，美国科学家开发出一种新技术，首次成功地将复合半导体纳米线整合在硅晶圆上，攻克了用这种半导体制造太阳能电池会遇到的晶格错位这一关键挑战。他们表示，这些细小的纳米线有望带来优质高效且廉价的太阳能电池和其他电子设备。相关研究发表在《纳米快报》杂志上。 III—
木材衍生的纳米纤维素纸半导体制成
日本研究人员开发出一种纳米纤维素纸半导体，其展现了3D结构的纳米—微米—宏观跨尺度可设计性以及电性能的广泛可调性。研究结果日前发表在美国化学学会核心期刊《ACS纳米》上。 具有3D网络结构的半导体纳米材料拥有高表面积和大量孔隙，使其非常适合涉及吸附、分离和传感的应用。然而，同时控制电气特性、创
美用迄今最薄半导体造出新型纳米激光器
美国科学家们利用迄今最纤薄(仅为三个原子厚)的半导体，制造出一种新型纳米激光器，其不仅能效更高，容易制造且可与目前的电子设备兼容。研究人员表示，这一研究成果为最终制造出用光而非电子传输信息的下一代计算设备奠定了坚实的基础。 从医疗到金属切割再到电子产品，激光器都在其中扮演重要角色，但为了满足
科学家发现具明亮基态激子的半导体纳米晶体
件 来自美国海军研究实验室（NRL）和瑞士苏黎世联邦理工学院（ETH）的科学家表示，他们发现了一类具有明亮基态激子的新型半导体纳米晶体。这一发现标志着光电子领域的一项重大进步，可能会彻底改变高效发光器件等技术的发展。相关论文发表于新一期《美国化学学会·纳米》杂志。研究示意图。图片来源：《美国化学学会
科研人员用碳纳米管制成碳基半导体
碳纳米管最早发现于20世纪90年代初，因卓越的性能而独树一帜。碳纳米管在导电和导热方面的表现令人惊讶，在研发更快、更小、更高效的电子产品的过程中，一直被认为是硅的潜在替代品。但是，生产具有特定性能的碳纳米管仍是一项巨大的挑战。某些碳纳米管根据其卷绕方式被归类为金属纳米管，这意味着电子可以以任何能量穿
苏州纳米所有机半导体合成与官能化研究取得进展
有机芳香共轭化合物尤其是含氧族元素(如硫、硒等)的杂稠环芳香化合物由于其显著的光电特性而备受研究者重视。二氧杂蒽嵌蒽(PXX)是目前报道的为数不多的含氧族元素的全六元杂芳共轭小分子，其结构中引入了氧桥联结构，极大增加了分子间作用力和分子的环境稳定性，此外，由于氧杂原子是以六元环的方式引入，使分子
科研人员用碳纳米管制成碳基半导体
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/519344.shtm碳纳米管最早发现于20世纪90年代初，因卓越的性能而独树一帜。碳纳米管在导电和导热方面的表现令人惊讶，在研发更快、更小、更高效的电子产品的过程中，一直被认为是硅的潜在替代品。但是，生产
半导体所谭平恒研究员访问苏州纳米所
7月9日上午，应中国科学院纳米器件与应用重点实验室邀请，中科院半导体研究所谭平恒研究员到中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所进行交流访问，并作了题为Ultra-low-frequency Raman Modes in Two-dimensional Layered Materials 的报告。报告
化学所利用半导体纳米线同质结实现光学分波器
光学分波器是纳米光子回路中的关键元件，可以用来连接纳米激光器(J. Am. Chem. Soc., 2011, 133, 7276-7279)、光信号传感器(Adv. Mater., 2012, 24, OP194-199)、检测器 (Adv. Mater., 2012, 24, 474
俄学者新发现空气对纳米电子半导体有致命影响
俄罗斯托木斯克理工大学发布消息称，该校与德国、委内瑞拉的科学家最近证实了二维半导体硒化镓在空气中的易损性，该重要发现有助于制造硒化镓基超导纳米电子产品。研究结果发表在《Semiconductor Science and Technology》(IF 2.305, Q2)杂志上。 现代材料学
半导体所在GaAs纳米线结构相变研究方面取得新进展
最近，国际期刊《纳米快报》（Nano Latters）报道了中科院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室赵建华研究员和博士研究生俞学哲关于通过三相线位移（triple phase line shift）调控GaAs纳米线结构相变的研究成果。 作为传统的III-V族半导体，GaAs体材料的稳
半导体光催化纳米材料的形貌及晶面效应研究获进展
在中国科学院“百人计划”项目支持下，中国科学院兰州化学物理研究所能源与环境纳米催化材料课题组在半导体光催化材料形貌及晶面设计合成研究领域取得新进展。 该研究工作利用银氨络离子([Ag(NH3)2]+)为前驱体，通过合理控制Ag+离子释放速率制备出具有单晶结构的Ag3PO4亚微米
一杯水中的纳米世界：低维半导体的绿色合成研究
以石墨烯、MXene、h-BN等为代表的二维纳米材料在光电子领域广为流行，一方面得益于尺度效应赋予它们的独特性能，另一方面可以归功于这些层状结构材料易于合成，甚至可以通过机械剥离的方法快速获得。在二维材料兴起的背后，传统光电功能材料，如金属氧化物半导体，本应同享盛誉，但是由于它们通常以三维晶体结