高速低功耗新型钪锑碲相变存储材料研究获重要发现
集成电路产业是“十三五”国家战略新兴产业。存储器是集成电路最重要的技术之一，是国家核心竞争力的重要体现。我国作为全球电子产品的制造基地，存储器的自给能力还相对较弱。国外三星、英特尔等大型半导体公司对存储器技术与产品垄断，对我国信息产业发展与信息安全形成重大隐患。发展国内自主知识产权的新型半导体存储技术迫在眉睫。 中国科学院上海微系统与信息技术研究所联合中芯国际集成电路制造有限公司，选择以嵌入式相变存储器（PCRAM）为切入点，在国家重点研发计划纳米科技重点专项、国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”专项、国家自然科学基金、中科院A类战略性先导科技专项、上海市领军人才、上海市科委等项目的资助下，经过十余年的研究，在存储材料筛选、嵌入式器件设计、PCRAM的基础制造技术取得系列重要科技进展。 近期，上海微系统所宋志棠科研团队在新型相变存储材料方面取得重大突破，创新提出一种高速相变材料的设计思路，即以减小非晶相......阅读全文
中国学者提出开发新型能源存储器件新方案
开发兼具机械柔性、高能量密度和优异安全性的微型储能器件，对于当前可穿戴电子器件的发展具有重要意义。其中，相比较于锂电池和微型超级电容器，锌空电池具有高能量密度、环境友好及低成本等优势，但其空气阴极上发生的四电子氧还原反应较为迟缓，导致其功率密度低并影响其循环稳定性，严重限制了其实际应用。
中国科大实现独立量子存储器间的远距离纠缠
中国科学技术大学潘建伟院士及其同事包小辉、张强等，将长寿命冷原子量子存储技术与量子频率转换技术相结合，采用现场光纤在相距直线距离12.5公里的独立量子存储节点间建立纠缠。相关研究成果以编辑推荐的形式发表于《物理评论快报》。量子存储节点分布示意图 中国科大供图量子网络的基本单元是远距离双节点纠缠。通过
我国科研人实现碳纳米管光电传感存储器件
电荷耦合器件（CCD）与电荷存储器件（Memory）作为现代电子系统中两个独立分支分别沿着各自的路径发展，同时具备光电传感和存储功能的碳基原型器件尚未见报道。近日，中国科学院金属研究所（以下简称金属所）沈阳材料科学国家研究中心联合中国科学院苏州纳米技术研究所、吉林大学，于《先进材料》在线发表了题
中国学者提出开发新型能源存储器件新方案
开发兼具机械柔性、高能量密度和优异安全性的微型储能器件，对于当前可穿戴电子器件的发展具有重要意义。其中，相比较于锂电池和微型超级电容器，锌空电池具有高能量密度、环境友好及低成本等优势，但其空气阴极上发生的四电子氧还原反应较为迟缓，导致其功率密度低并影响其循环稳定性，严重限制了其实际应用。
“相变存储芯片关键技术的合作研发”项目通过验收
8月1日，受科技部国际合作司委托，江苏省科技厅组织专家，对中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所程国胜研究员主持的科技部国际科技合作项目“相变存储芯片关键技术的合作研发”进行了验收。 验收专家组由中国电子科技集团公司第58研究所、南京大学、南京工大、中科院上海硅酸盐研究所、复旦大学、上海交大
我国学者在相变存储异质结研究方面取得重要进展
在国家自然科学基金优秀青年科学基金项目（批准号：61622408）、面上项目（批准号：61774123）等资助下，深圳大学材料学院饶峰教授与西安交通大学金属材料强度国家重点实验室张伟教授、美国约翰霍普金斯大学马恩教授等合作，在相变存储材料与器件研究方面取得重要进展。相关成果以“Phase-cha
碲化铌展现下一代存储器材料前景
美国东北大学研究人员验证了溅射技术在制造大面积二维范德华四硫属化物方面的潜在用途。利用这项技术，他们制造并鉴定了一种非常有前途的材料——碲化铌，它具有约447℃（起始温度）的超低熔点。这一成果发表在最近的《先进材料》杂志上。 相变存储器是一种非易失性存储器，它利用相变材料从非晶态（原子
微电子所在阻变存储器研究中取得新进展
近日，中科院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术研究室在阻变存储器研究工作中取得进展，并被美国化学协会ACS Nano杂志在线报道（Controllable Growth of Nanoscale Conductive Filaments in Solid-Electrolyte-Based R
IBM科学家用12个原子制成世界最小磁存储器
IBM研究中心的科学家成功展示了仅利用12个原子进行计算机信息“0”和“1”的存储，即一个比特位。目前的磁盘驱动器需要动用上百万个原子来存储一个比特位。传统磁盘使用铁磁材料进行数据存储，一个比特位内所有原子的自旋方向相同，用同一磁化方向来表示“0”或“1”。然而，铁磁材料在尺寸方面遇到
多功能存储器芯片的测试系统设计：提高芯片测试效率1
本文提出了一种多功能存储器芯片的测试系统硬件设计与实现，对各种数据位宽的多种存储器芯片（SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等）进行了详细的结口电路设计（如何挂载到NIOSII的总线上），最终解决了不同数据位宽的多种存储器的同平台测试解决方案，并详细地设
中国科学技术大学：实现毫秒级可集成量子存储器
中国科学院院士、中国科学技术大学教授郭光灿团队在可集成量子存储领域取得进展。该团队李传锋、周宗权研究组基于团队原创的无噪声光子回波（NLPE）方案，将可集成量子存储器的存储时间从10微秒级提升至毫秒级，突破了传统光纤延迟线的效率。 光量子存储器是克服信道损耗、构建大尺度量子网络的核心器件。光量
全线性的电流诱导多态自旋轨道耦合磁性存储器件研究
近期，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心研究员罗军课题组与中科院半导体研究所研究员王开友课题组合作，研制出全线性的电流诱导多态自旋轨道耦合（SOT）磁性存储器件，并实现了低能耗、可编辑的突触功能，为基于SOT-MRAM的低功耗存算一体逻辑和神经形态计算提供了一种新方法。 存算一体及
我国团队首次实现独立量子存储器间的远距离纠缠
记者7日从中国科学技术大学获悉，该校潘建伟及其同事包小辉、张强等，将长寿命冷原子量子存储技术与量子频率转换技术相结合，采用现场光纤在相距直线距离12.5公里的独立量子存储节点间建立纠缠。相关研究成果以编辑推荐的形式日前发表在《物理评论快报》上。 量子网络的基本单元是远距离双节点纠缠。通过采用量子存
多功能存储器芯片的测试系统设计：提高芯片测试效率2
硬件电路设计在测试NAND FLASH时，测试时间长达十个小时不等。在此为提高测试效率，增加测试速度，本设计采用两套完全一样且独立的硬件系统构成。可同时最多测试2片NAND FLASH器件。每一个硬件系统由一个微处理器（NIOSII）加一个大容量FPGA及一个存储器测试扩展接口（即ABUS接
研究团队发现铁硅化合物可用作非易失性存储器材料
日本东京大学与理化学研究所、东北大学、原子能研究机构等合作研究，成功地将自然界存储丰富的铁硅化合物应用于不使用电源也能保持记忆的“非挥发性存储”信息记忆技术。研究发现，铁硅化合物的表面与晶体内部不同，具有与磁铁相同性质，可通电。这一成果将有助于电子器件的省电化和高功能化。 以前，铁硅化合物因结
郭光灿院士团队制备出高性能可集成固态量子存储器
中国科学院院士、中国科学技术大学教授郭光灿团队在量子存储领域取得新进展。该团队李传锋、周宗权等人采用飞秒激光微加工技术制备出高保真度的可集成固态量子存储器，并基于自主研制设备首次实现稀土离子的电子自旋及核自旋相干寿命的全面提升。相关成果分别于2月20日和28日发表在物理学期刊Optica和Phy
高速存储器测试系统ADVANTEST－T5833ES－TU1共享
仪器名称：高速存储器测试系统-ADVANTEST T5833ES TU1仪器编号：18508803产地：392生产厂家：Advantest型号：T5833ES出厂日期：购置日期：26-12月-18所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>高精尖放置地点：荷清大厦高精尖一层实验室固定电话：固定手机：150
IBM相变存储技术实现每单元存3比特数据－成本接近闪存
据物理学家组织网报道，IBM苏黎世研发中心的科学家17日宣布，他们在相变存储（PCM）技术领域取得重大突破——首次实现了单个相变存储单元存储3个比特的数据。最新研究有助降低PCM的成本，并有望加快其产业化步伐，最终为物联网时代呈指数级增长的数据提供一种简单且快速的存储方式。 目前的存储器种类包
“高密度存储与磁电子材料关键技术”取得突破
阻变存储器、相变存储器、磁存储器、高灵敏度磁传感器和隔离耦合器件等是具有良好应用前景的新型存储和磁电子技术，在移动通信、个人电脑、数码相机、电子标签等领域具有广阔的市场价值。“十二五”期间，863计划新材料技术领域支持了 “高密度存储与磁电子材料关键技术”主题项目。近日，科技部高新司在北京组织专
科学家研究发现“相变材料”能在0.5纳秒内快速切换
英国剑桥大学、新加坡数据存储研究所与新加坡技术和设计大学的科学家经过研究发现，用可以在不同电状态间快速来回切换的相变材料替代硅，他们有望研制出信息处理速度快1000倍且更小、更环保的计算机。研究发表在最新一期的美国《国家科学院学报》上。 据美国《大众科学》网站近日报道，研究人员表示，这种基于硫
我国科学家在铁电隧道结存储器研究中获进展
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中国科大实现世界最高保真度的固态量子存储器
近日，中国科学技术大学郭光灿院士领导的中科院量子信息重点实验室李传锋研究组，在固态系统中实现了目前世界上最高保真度的量子存储器，保真度高达99.9%。研究成果发表在5月11日出版的美国《物理评论快报》上，并被美国物理学会网站Physics Synopsis栏目作为亮点报道。
刘明院士团队三种新型存储器件取得突破性进展
近日，2019国际电子器件大会（IEDM）在美国旧金山召开。会上，微电子所刘明院士科研团队展示了新型存储器件（选通管、可编程二极管）、负电容晶体管紧缩模型、类脑神经元器件电路的最新研究成果。 在存储器件方面，刘明团队提出了一种基于HZO铁电薄膜极性反转调制的电场可编程二极管及1T2D结构的电压
微电子所在阻变存储器研发与平台建设方面取得进展
日前，中科院微电子研究所在阻变存储器与大生产CMOS工艺集成研究上取得进展。 阻变存储器（RRAM）是近些年兴起的新型不挥发存储技术，具有单元尺寸小、速度快、功耗低、工艺及器件结构简单和可嵌入功能强等优点，是国际上公认的32nm节点以下主流存储器技术的有力竞争者之一。微电子所纳
我国科学家在阻变存储器集成应用研究获进展
中国科学院微电子研究所刘明团队在1Mb 28nm嵌入式阻变存储器测试芯片以及8层堆叠的高密度三维阻变存储器阵列研究方面取得新进展。（a）28nm RRAM 1Mb芯片版图；（b）28nm RRAM单元TEM界面图8层堆叠RRAM截面图 以RRAM和MRAM为代表的新型存储器被认为是28nm及后
微电子所在阻变存储器微观机制研究中取得系列进展
日前，中科院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术研究室（三室）在阻变存储器微观机制研究中取得系列进展。 阻变随机存储器(RRAM)具有结构简单、高速、低功耗、易于3D集成等优势，是下一代高密度非易失性存储器的有力竞争者之一。然而，阻变机制的不清晰阻碍了RRAM的快速发展。从最基
蚕丝蛋白注入－让新型的光响应性阻变存储器可降解
高等研究院周晔研究员以蚕丝蛋白为材料主体，水溶性碳量子点为光调控单元，并结合简易的三明治器件结构，构筑了一种新型的光响应性阻变存储器。 该存储器展现出存储窗口大（106）、耐受性好、稳定性好（106 s）等优点。同时，在紫外光照射条件下，存储器的开启电压会显著下降（1.2 V），见图1。图1.
科学家研发出新的植入式瞬态可溶蚕丝蛋白存储器
日前，记者从中国科学院上海微系统与信息技术研究所获悉，该所研究员陶虎团队开发出了用于多模态信息存储加密的植入式瞬态可溶蚕丝蛋白存储器，相关成果于4月8日发表在国际期刊《先进材料》上。瞬态可溶存储器是柔性电子与可植入器件中的重要组成部分和信息存储媒介，器件在实现可控降解的同时，还需具备稳定的存储和加密
中科院金属所研发出新型门可调阻变存储器
近期，中国科学院金属研究所（以下简称金属所）沈阳材料科学国家研究中心与国内多家单位合作，研究团队通过设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装，首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。相关研究成果11
技术原理类似纠缠“装配线”－首个可编程光学量子存储器
德国帕德博恩大学和乌尔姆大学研究人员合作，开发出首个可编程光学量子存储器。新技术的工作原理类似于纠缠“装配线”，其中纠缠的光子对会按顺序创建并与存储的光子结合。该研究作为“编辑推荐”发表在最新一期《物理评论快报》杂志上。 今年，诺贝尔物理学奖颁发给在量子纠缠实验方面具有重要贡献的3名科学家。量子纠