IBM相变存储技术实现每单元存3比特数据成本接近闪存
据物理学家组织网报道，IBM苏黎世研发中心的科学家17日宣布，他们在相变存储（PCM）技术领域取得重大突破——首次实现了单个相变存储单元存储3个比特的数据。最新研究有助降低PCM的成本，并有望加快其产业化步伐，最终为物联网时代呈指数级增长的数据提供一种简单且快速的存储方式。 目前的存储器种类包括最常见的动态随机存取存储器（DRAM）、硬盘以及闪存等。过去几年，PCM作为一种潜在的通用存储技术，因拥有良好的读写速度、耐用性以及非易失性等优势，成为存储产业的“后起之秀”。PCM在断电时不会像DRAM那样丢失数据，能承受至少1000万次写循环，而闪存仅能耐受3000次写循环。但由于现有内存技术的经济效益远高于新的替代技术，相变存储技术目前尚未在市场上蓬勃发展。 PCM材料拥有非结晶态和结晶态两个稳定的状态。为了在PCM的单元内存储“0”和“1”，先要向其施加一个高的或中等电流，“0”被编入非结晶态，“1”则被编入结晶态或者相反......阅读全文
IBM研发出最新多位相变存储器
据美国物理学家组织网近日报道，IBM的科学家演示了最新的多位相变存储器，其每个存储格都能长时间可靠地存储多个字节的数据。最新技术让人们朝成本更低、速度更快、更耐用的存储技术前进了一大步，可广泛应用于包括手机在内的消费电子设备、云存储以及对性能要求更高的企业数据存储中。 相变存
IBM相变存储技术实现每单元存3比特数据－成本接近闪存
据物理学家组织网报道，IBM苏黎世研发中心的科学家17日宣布，他们在相变存储（PCM）技术领域取得重大突破——首次实现了单个相变存储单元存储3个比特的数据。最新研究有助降低PCM的成本，并有望加快其产业化步伐，最终为物联网时代呈指数级增长的数据提供一种简单且快速的存储方式。 目前的存储器种类包
新型相变材料实现高速低功耗相变存储
最新一期《科学》杂志发表了中国科学家在相变存储领域的重大突破：中科院上海微系统与信息技术研究所宋志棠团队研发出一种全新高速低功耗相变材料——钪锑碲合金（ScSbTe），用其制成的相变存储单元实现了700皮秒内（0.7纳秒）的高速可逆擦写操作，操作能耗比现有国际量产锗锑碲合金（GeSbTe）降低了
国产55纳米相变存储芯片
11月28日，宁波时代全芯科技有限公司在宁波现场发布了自主研发的55纳米相变存储芯片。这一成果的发布，使该公司成为继韩国三星、美国美光之后，世界上第三家、中国第一家拥有相变存储技术自主知识产权的企业，业内人士认为这将有利于打破存储器芯片生产技术被国外公司垄断的局面。 目前静态随机存储技术、
新型相变材料突破存储速度极限数据
模拟显示了在600皮秒内的晶核扩展，新相变材料迅速实现多晶态与玻璃态两种相态之间的转换。 图片来自《科学》杂志官网 据《科学》杂志官网14日报道，中国科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员饶峰和同事研发出一种全新的相变材料——钪锑碲合金，可在不到1纳秒内实现多晶态与玻璃态两种相态之间的转换
“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过验收
12月20日，国家“十一五”863计划新材料领域“相变随机存储器存储材料及关键技术”重点课题通过科技部组织的验收。科技部高技术研究中心材料处处长史冬梅，以及清华大学潘峰教授、南京大学刘治国教授、华东师范大学孙卓教授、中科院上海技术物理所陆卫研究员、吉林师范大学杨景海教授等验收专家出席了会议。课题
纳米限制结构相变存储器成功开发
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究团队基于12英寸集成工艺，开发出纳米限制结构相变存储器。该团队通过优化器件集成工艺，在12英寸晶圆上制备出嵌入式纳米加热电极，实现了超过1.0×1011次的器件循环擦写次数，较传统器件结构提升了1000倍，刷新了蘑菇型结构相变存储器的循环擦写纪录。科研人
国产相变存储器开启产业化应用
潜心相变存储器研究15年，中科院上海微系统所研究院宋志棠团队在130纳米技术节点相变存储器技术研发取得重大突破。近4年来，通过和珠海艾派克微电子有限公司产学研用协同合作开发的打印机用相变存储器芯片，实现了产业化销售。截至今年6月，该芯片已销售1600万颗。这是记者从6月28日上海微系统所举行的成
863项目“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过检查
9月6日，由中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠研究员主持承担的863计划重点课题项目“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过中期检查。 国家集成电路研发中心主任赵宇航、国家科技部高技术研究中心处长史冬梅、材料处办公室张芳以及中科院半导体所副所长陈弘达、中科院光
院企合作突破相变存储器关键技术
今天，记者从中科院上海微系统与信息技术研究所获悉，该所联合中芯国际集成电路制造（上海）有限公司开展的相变存储器（PCRAM）研究，在130纳米技术节点相变存储器技术方面取得重大突破。近四年来，合作双方与珠海艾派克微电子有限公司合作开发的打印机用PCRAM芯片取得工程应用突破，实现了产业化销售。
我国学者在相变存储异质结研究方面取得重要进展
在国家自然科学基金优秀青年科学基金项目（批准号：61622408）、面上项目（批准号：61774123）等资助下，深圳大学材料学院饶峰教授与西安交通大学金属材料强度国家重点实验室张伟教授、美国约翰霍普金斯大学马恩教授等合作，在相变存储材料与器件研究方面取得重要进展。相关成果以“Phase-cha
“相变存储芯片关键技术的合作研发”项目通过验收
8月1日，受科技部国际合作司委托，江苏省科技厅组织专家，对中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所程国胜研究员主持的科技部国际科技合作项目“相变存储芯片关键技术的合作研发”进行了验收。 验收专家组由中国电子科技集团公司第58研究所、南京大学、南京工大、中科院上海硅酸盐研究所、复旦大学、上海交大
IBM科学家用12个原子制成世界最小磁存储器
IBM研究中心的科学家成功展示了仅利用12个原子进行计算机信息“0”和“1”的存储，即一个比特位。目前的磁盘驱动器需要动用上百万个原子来存储一个比特位。传统磁盘使用铁磁材料进行数据存储，一个比特位内所有原子的自旋方向相同，用同一磁化方向来表示“0”或“1”。然而，铁磁材料在尺寸方面遇到
“半导体相变存储器”等三个项目结题验收
上海市科学技术委员会、中国科学院前沿科学与教育局： 重大科学研究计划“半导体相变存储器”等3个项目（项目清单见附件）实施期满，根据《国家重点基础研究发展计划管理办法》的要求，应进行结题验收。结题验收工作分为课题验收和项目验收两个阶段。课题验收由项目首席科学家会同项目依托部门组织，于10月20日
高速低功耗新型钪锑碲相变存储材料研究获重要发现
集成电路产业是“十三五”国家战略新兴产业。存储器是集成电路最重要的技术之一，是国家核心竞争力的重要体现。我国作为全球电子产品的制造基地，存储器的自给能力还相对较弱。国外三星、英特尔等大型半导体公司对存储器技术与产品垄断，对我国信息产业发展与信息安全形成重大隐患。发展国内自主知识产权的新型半导体存
研究获重要发现高速低功耗新型钪锑碲相变存储材料
集成电路产业是“十三五”国家战略新兴产业。存储器是集成电路最重要的技术之一，是国家核心竞争力的重要体现。我国作为全球电子产品的制造基地，存储器的自给能力还相对较弱。国外三星、英特尔等大型半导体公司对存储器技术与产品垄断，对我国信息产业发展与信息安全形成重大隐患。发展国内自主知识产权的新型半导体
具存储与处理功能的人造神经元问世
据物理学家组织网日前报道，IBM公司的科学家使用相变材料，制造出了能存储和处理数据的随机脉冲神经元。科研人员表示，这种神经元集群与人造突触等纳米计算元件联合，或是制造可用于认知计算领域的下一代超密集神经形态计算系统的关键，这一系统可用于认知计算领域。 研究负责人埃万杰洛斯·埃莱夫特里乌说：“十
具有极限操作速度的相变存储器研制方面取得新进展
当今，电脑系统采用层次化存储架构：缓存、内存和闪存。离CPU越近，对存储器存储速度需求越高，如内存的速度为纳秒级别，而缓存则需要皮秒级别。作为下一代存储器的有力竞争者，相变存储器的速度决定了其应用领域，而相变存储器速度主要由相变材料的结晶速度（写速度）所决定。研究表明，相变存储器的热稳定性越差，
模拟芯片大幅削减AI模型运行能耗
模拟计算机芯片运行人工智能（AI）语音识别模型的效率是传统芯片的14倍，有可能为AI研究中巨大且不断增长的能源消耗以及全球范围内通用数字芯片短缺问题提供解决方案。 这一新产品由IBM Research开发，概述这项工作的论文发表于《自然》。研究人员声称，模拟芯片可以减少人工智能发展的障碍。
《纳米快报》：美科学家开发出宽度5纳米忆阻器
上世纪60年代，英特尔公司创始人之一戈登·摩尔提出了著名的摩尔定律：集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。然而，芯片的进一步小型化遇到越来越多的技术局限。在传统硅芯片技术上所能取得的进步受到物理法则和资金的限制也越来越严重，有人以为看到了集成电路技
美科学家开发出宽度5纳米忆阻器
上世纪60年代，英特尔公司创始人之一戈登·摩尔提出了著名的摩尔定律：集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。然而，芯片的进一步小型化遇到越来越多的技术局限。在传统硅芯片技术上所能取得的进步受到物理法则和资金的限制也越来越严重，有人以为看到了集成电
IBM发现可为芯片充电的新分子技术
据物理学家组织网3月22日(北京时间)报道，IBM公司21日宣布了一项在分子层级的材料科学突破，从而为新型非易失性内存和逻辑芯片的研发铺平了道路。 与传统的半导体充电方式不同的是，IBM科学家发现了一种使用微细离子电流给芯片充电的新方法。这种带电分子流能够模拟人脑运行的“事件驱动”的方式。
2019－IEDM：IBM和Leti（二）
Leti在我的Leti访谈中，我们讨论了他们与IBM的合作论文，“ Imaging， Modeling and Engineering of Strainin Gate－All－Around Nanosheet Transistors ”。在这项工作中，他们再次专注于纳米片／纳米线，他们
2019－IEDM：IBM和Leti（一）
IBM和Leti在今年IEDM上分别发表了若干篇论文，其中包括一篇合作的Nanosheet论文。我有机会采访到与IBM高级逻辑与内存技术总监卜惠明和IBM高级工程师Veeraraghavan Basker，之后又分别采访了Leti advanced CMOS实验室负责人Francois Andr
模拟AI芯片将语音识别能效提升14倍
美国IBM研究实验室的科学家报告了一种能效为传统数字计算机芯片14倍的人工智能（AI）模拟芯片。这一芯片在语音识别上的效率超过了通用处理器，该技术或能打破当前AI开发中因对算力性能和效率的需求而遇到的瓶颈。相关研究近日发表于《自然》。 随着AI技术的崛起，对能源和资源的需求也随之上升。在语音识
模拟AI芯片将语音识别能效提升14倍
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/8/507362.shtm美国IBM研究实验室的科学家报告了一种能效为传统数字计算机芯片14倍的人工智能（AI）模拟芯片。这一芯片在语音识别上的效率超过了通用处理器，该技术或能打破当前AI开发中因对算力性能和效
单相变压器和三相变压器的区别
1、定义不同单相变压器：变压器利用电磁感应的原理来改变交流电压的装置，主要构件是初级线圈、次级线圈和铁心（磁芯）。在电器设备和无线电路中，常用作升降电压、匹配阻抗，安全隔离等。三相变压器：为了输入不同的电压，输入绕组也可以用多个绕组以适应不同的输入电压。同时为了输出不同的电压也可以用多个绕组。三个
InSync－Software携手IBM提高食品安全
InSync Software, Inc.宣布，该公司已经与IBM签署了一项原始设备制造商(OEM)协议，使其能够将IBM开放技术整合进其特有的射频识别(RFID)和感测器驱动食品安全和资产管理产品。作为其面向全球客户的食品安全解决方案的一部分，InSync将提供IBM的InfoSphere T
IBM用原子打造世界最小电影
又一个新“人”加入了电影行业，并一举夺走“世界最小演员”称号。美国国际商用机器公司（IBM）5月1日宣布，该公司利用宇宙中的微小粒子——原子，塑造了一个男孩形象，制作了一部世界上最小的电影，并已获得吉尼斯世界纪录认证。 这部电影是动画片，名为《男孩和他的原子》，描绘了一个男孩与原子一
AI模拟芯片能效达传统芯片14倍
《自然》23日发表的研究报道了一种能效为传统数字计算机芯片14倍的人工智能（AI）模拟芯片。这一由IBM研究实验室开发的芯片在语音识别上的效率超过了通用处理器。该技术或能突破当前AI开发中因算力性能不足和效率不高而遇到的瓶颈。随着AI技术的崛起，对能源和资源的需求也随之上升。在语音识别领域，软件升级