FinFET凭什么应用于新一代ASIC矿机芯片？
中本聪打造比特币的时候，设计的是使用电脑（包括家用电脑）来挖矿，主要依靠CPU去计算。但是随着比特币等数字货币的价值越来越高，挖矿成为了一个产业，竞争越来越激烈，挖矿难度也不断提升，于是逐渐转移到硬件比拼上来。如2018年7月31日，Innosilicon突然宣布其比特币矿机Terminator系列采用三星最先进的半导体工艺FinFET技术，那么，这项技术为什么可以提供最优的矿机服务器低能耗的半导体工艺方案，来确保ASIC矿机的使用寿命？ASIC矿机是什么？为什么要用ASIC芯片挖矿？比特币挖矿只是进行SHA256哈希值计算，这种计算功能单一，虽然也能CPU计算，但是从成本、效率上考虑并不划算。所以矿机企业专门设计了用于SHA256（或其他算法）计算的ASIC芯片。ASIC全称为：Application Specific Integrated Circuit，是一种专门为某种特定用途设计的电子电路（芯片）。而被用来挖矿的芯片，就......阅读全文
FinFET凭什么应用于新一代ASIC矿机芯片？
中本聪打造比特币的时候，设计的是使用电脑（包括家用电脑）来挖矿，主要依靠CPU去计算。但是随着比特币等数字货币的价值越来越高，挖矿成为了一个产业，竞争越来越激烈，挖矿难度也不断提升，于是逐渐转移到硬件比拼上来。如2018年7月31日，Innosilicon突然宣布其比特币矿机Terminator系列
芯片毁于噪声：FinFET使噪声效应叠加
FinFET技术已经成为工艺尺寸继续减小的主要动力。“在可预见的未来，极低的工作电压与漏电流使得FinFET工艺成为CMOS工艺的标准架构，” ANSYS应用工程高级总监Arvind Shanmugavel说道，“但上述优点是有代价的—电源噪声问题变得突出。一方面，10纳米或7纳米的FinF
博通市值破万亿美元－ASIC芯片成AI新宠？
上周最后一个交易日，博通大涨24%创收盘新高，一举成为除英伟达和台积电以外，全球第三家市值超万亿美元的半导体公司。 究其原因，此前博通发布第四季度财报，其中显示半导体部门营收82.3亿美元，同比增长12%。博通将这一跃升归功于AI基础设施的繁荣，公司表示其今年的AI收入暴增220%至122亿
7纳米之“争”：技术概念尚待厘清
近日，一则内容为“全球首个7纳米（nm）量产芯片在嘉楠耘智诞生”的消息引发了大量关注与热议，文中“领先世界”“弯道超车”等抓人眼球的字眼更是引起半导体行业内人士的质疑。 发布“全球首款7nm量产芯片”的“嘉楠耘智”系一家比特币矿机厂商（全称为“杭州嘉楠耘智信息科技有限公司”），该厂商对其发
7纳米之“争”：技术概念尚待厘清
近日，一则内容为“全球首个7纳米（nm）量产芯片在嘉楠耘智诞生”的消息引发了大量关注与热议，文中“领先世界”“弯道超车”等抓人眼球的字眼更是引起半导体行业内人士的质疑。 《中国科学报》记者了解到，发布“全球首款7nm量产芯片”的“嘉楠耘智”系一家比特币矿机厂商（全称为“杭州嘉楠耘智信息科技有限
2024传感器ASIC展2024上海国际传感器ASIC展
2024中国（上海）国际传感器及应用技术展览会China (Shanghai) International sensor and Application Technology Exhibition2024时间：2024年11月18日-20日 地点：上海新国际博览中心联系人：李主任 手 机：136
后FinFET时代的技术演进（一）
FinFET晶体管架构是当今半导体行业的主力军。但是，随着器件的持续微缩，短沟道效应迫使业界引入新的晶体管架构。在本文中，IMEC的3D混合微缩项目总监Julien Ryckaert勾勒出了向2nm及以下技术节点发展的演进之路。在这条令人振奋的道路上，他介绍了Nanosheet晶体管，For
后FinFET时代的技术演进（二）
需要微缩助推器在6T和5T的低单元高度下，向Nanosheet器件的迁移变得最佳，因为在这种情况下，fin的减少会降低传统基于FinFET的单元中的驱动电流。但是，如果不引入结构化微缩助推器（如埋入式电源轨和环绕式接触），就无法将单元高度从6T减小到5T。电源轨为芯片的不同组件提供电源，并且一般由B
先进的半导体工艺：FinFET简介
FinFET简介 FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor；FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。闸长已可小于25奈米。该项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明教授。Fin是鱼鳍的意思，FinFET命名根据晶体管的形状
后FinFET时代的技术演进（三）
Forksheet：性能和面积的改进IMEC的研究人员最近使用TCAD仿真来量化Forksheet架构的预期PPA潜力。所研究的器件针对IMEC的2nm技术节点，采用42nm的接触栅节距和16nm的金属间距的5T标准单元库。拟议的设计包括一些微缩助推器，例如埋入式电源轨和环绕接触。与Nano
除了低功耗与低成本－FDSOI还有什么优势？（二）
沈磊表示，与FinFET工艺相比，FD-SOI工艺所需掩膜版更少，费用更节省，出片也更快。设计方案从体硅工艺迁移也更简便快捷。 IBS 首席执行官Handel Jones则比较了16/14纳米FinFET与14纳米FD SOI的晶圆成本与单位晶体管成本，根据他的计算，14纳米FD-SO
电磁感应灯的芯片技术
电磁感应灯是用磁环耦合将灯点亮，没有灯丝，灯管寿命长，光衰小，咸涩指数高，功率范围大的先进光源，有许多优点。电磁感应灯的灯管必须工作在200~300KHZ的高频状态下，这对电磁感应灯的电子镇流器要求相当苛刻。复杂的功能需求，只有宏源电磁感应灯芯片才能满足。性能优良可靠的电子镇流器线路，必须依靠芯片技
美研制出迄今最小三维晶体管－效率更高－尺寸仅2.5纳米
美国研究人员研制出一种新的三维晶体管，尺寸不到当今最小商业晶体管的一半。他们为此开发了一种新颖的微加工技术，可以逐个原子地修改半导体材料。 为了跟上“摩尔定律”的步伐，研究人员一直在寻找将尽可能多的晶体管塞入微芯片的方法。最新的趋势是垂直竖立的鳍式三维晶体管，其尺寸约为7纳米，比人类头发还要薄
锚链矿链拉力试验机试验方法
锚链矿链拉力试验机试验方法锚链矿链拉力试验机采用机架整体钢板焊接框架结构，单出杆双作用活塞缸施加试验力，液压自动夹紧试样，负荷传感器测力，根据试样规格长度可有级调整拉伸空间，计算机屏幕显示试验力及试验曲线，按试验方法的要求自动处理试验数据，本机为煤电企业、煤矿机械设备、安全生产检验所、技术监督等行业
锚链矿链拉力试验机试验方法
锚链矿链拉力试验机采用机架整体钢板焊接框架结构，单出杆双作用活塞缸施加试验力，液压自动夹紧试样，负荷传感器测力，根据试样规格长度可有级调整拉伸空间，计算机屏幕显示试验力及试验曲线，按试验方法的要求自动处理试验数据，本机为煤电企业、煤矿机械设备、安全生产检验所、技术监督等行业的理想检验设备,适用于电线
漫谈半导体工艺节点（一）
近来，GlobalFoundries宣布将会推进7nm FinFET工艺，引发了行业对工艺节点、光刻等技术的探讨。本文是来自SemiEngineering 2014年的一篇报道，带领大家了解7nm工艺及以后的半导体业界的发展方向。（由于推测是2014年的，事实上可能有点过时，希望
LEC在IC设计中有哪些重要意义？
＂ASIC芯片是用于供专门应用的集成电路（ASIC，Application SpecificIntegrated Circuit）芯片技术，在集成电路界被认为是一种为专门目的而设计的集成电路。ASIC芯片技术发展迅速，目前ASIC芯片间的转发性能通常可达到1Gbs甚至更高，于是给交换
漫谈半导体工艺节点（三）
Brand指出，环形栅极场效应管并没有想象中那么不稳定，它其实非常实用，你甚至可以把它当做FinFET的改良版。实际上它只是在沟道上增加了几个面。Brand不确定环形栅极场效应管是否能在7nm实现，或者在5nm实现，这一切都取决于业界的进展。更决定于公司在降低栅极长度上是否足够激进。
如何利用参考设计解决TypeC开发过程中的疑难杂症？2
“多年以后我们写半导体发展史的话，28纳米节点一定是浓墨重彩的一笔，它背后有很多的故事。”在2016 FD-SOI论坛上，复旦微电子总工程师沈磊如是说。的确，28纳米以后逻辑工艺开始分岔：立体工艺FinFET由于获得英特尔与台积电的主推成为主流，14/16纳米都已量产，10纳米工艺也
除了低功耗与低成本－FDSOI还有什么优势？（一）
“多年以后我们写半导体发展史的话，28纳米节点一定是浓墨重彩的一笔，它背后有很多的故事。”在2016 FD-SOI论坛上，复旦微电子总工程师沈磊如是说。的确，28纳米以后逻辑工艺开始分岔：立体工艺FinFET由于获得英特尔与台积电的主推成为主流，14/16纳米都已量产，10纳米工艺也
棒磨机和球磨机排矿形式的异同点
球磨机可以分为溢流型和格子型球磨机，而棒磨机的分类则为溢流型棒磨机和开口型棒磨机。在球磨机中，常用的有格子型球磨机和溢流型球磨机（命名来源于不同的排矿部构造）；而棒磨机因为不用格子板排矿，只有溢流型和开口型两种，排矿端中轴的直径比同规格球磨机一般要大。
IBM宣布用最新工艺制造5纳米芯片
IBM日前在日本京都宣布，该公司研究团队在晶体管的制造上取得了巨大的突破——在一个指甲大小的芯片上，从集成200亿个7纳米晶体管飞跃到了300亿个5纳米晶体管。据美国电气和电子工程师协会（IEEE）《光谱》杂志6日报道，这一出色表现有望挽救濒临极限的摩尔定律，使电子元件继续朝着更小、更经济的方向
北京国际半导体展会－－2024年北京国际半导体展会举办时间
2024第二十一届中国国际半导体博览会（IC China）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）（IC China）自2003年起已连续成功举办二十届，是我国半
2024北京开发印刷电路板展|2024第21届北京半导体展览会
2024第二十一届中国国际半导体博览会（IC China）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）（IC China）自2003年起已连续成功举办二十届，是我国半
2024北京半导体材料展|2024第21届北京半导体展览会
2024第二十一届中国国际半导体博览会（IC China）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）（IC China）自2003年起已连续成功举办二十届，是我国半
2024北京硅片及硅基材料展|2024第21届北京半导体展览会
2024第二十一届中国国际半导体博览会（IC China）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）（IC China）自2003年起已连续成功举办二十届，是我国半
2024北京硅晶片展|2024第21届北京半导体展览会
2024第二十一届中国国际半导体博览会（IC China）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）（IC China）自2003年起已连续成功举办二十届，是我国半
2024北京单晶硅展|2024第21届北京半导体展览会
2024第二十一届中国国际半导体博览会（IC China）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）（IC China）自2003年起已连续成功举办二十届，是我国半
2024北京半导体设备及智能装备展|2024第21届北京半导体展览会
2024第二十一届中国国际半导体博览会（IC China）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）（IC China）自2003年起已连续成功举办二十届，是我国半
2024北京扩散设备展|2024第21届北京半导体展览会
2024第二十一届中国国际半导体博览会（IC China）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）（IC China）自2003年起已连续成功举办二十届，是我国半