以材料分析观点看英特尔两代14nm制程的演进
半导体大厂英特尔（Intel）创始人之一戈登?摩尔（Gordon Moore）在1965年发表了一篇文章，提出了集成电路上可容纳的晶体管数量，将以每24个月增加一倍的规律发展，这个理论经过数次演变，成为半导体产业界奉为圭臬的“摩尔定律”（Moore’s Law）。为了使微处理器芯片更有效率地发展，英特尔指出，每一次微缩工艺的更新与芯片微结构的升级，其推陈的时机应该错开，因此于2007年提出Tick－Tock（命名源于钟摆声音）的策略模式，其中Tick代表着一代微处理器芯片“工艺”上的更新，包含工艺升级、缩小面积、降低功率消耗；而Tock则是在来年以Tick的芯片工艺基础，更新其微处理器“架构”，例如导入新特性、新指令以及提升整体效能等。然而，这样的模式在2016年被英特尔自己打破，起因于14nm之后工艺微缩难度大幅提高，且工艺技术越来越接近物理极限，在此环境下，英特尔被迫修正提出“工艺、架构、优化”（P．A．O．）的新策......阅读全文
英特尔继续推进摩尔定律：芯片背面供电，突破互连瓶颈
随着背面供电技术的完善和新型2D通道材料的采用，英特尔正致力于继续推进摩尔定律，在2030年前实现在单个封装内集成1万亿个晶体管。 包括PowerVia背面供电技术、用于先进封装的玻璃基板和Foveros Direct技术预计将在2030年前投产。 12月9日，英特尔在IEDM 2023（2
如何在电浆蚀刻制程中控制晶圆的制程均匀度？
为了达成良率与元件效能需求，控制制程变异性，取得可重复的稳定结果是非常重要的。随着技术节点的进展，以及设计规则的改变，业界需要更严格的制程控制。有许多因素会造成变异性，所有的案例一般可归纳为：在晶粒中、晶圆、晶圆到晶圆、以及腔体到腔体。 通常，晶圆变异只能低于整体变异性的三分之一。例如
后FinFET时代的技术演进（三）
Forksheet：性能和面积的改进IMEC的研究人员最近使用TCAD仿真来量化Forksheet架构的预期PPA潜力。所研究的器件针对IMEC的2nm技术节点，采用42nm的接触栅节距和16nm的金属间距的5T标准单元库。拟议的设计包括一些微缩助推器，例如埋入式电源轨和环绕接触。与Nano
后FinFET时代的技术演进（一）
FinFET晶体管架构是当今半导体行业的主力军。但是，随着器件的持续微缩，短沟道效应迫使业界引入新的晶体管架构。在本文中，IMEC的3D混合微缩项目总监Julien Ryckaert勾勒出了向2nm及以下技术节点发展的演进之路。在这条令人振奋的道路上，他介绍了Nanosheet晶体管，For
后FinFET时代的技术演进（二）
需要微缩助推器在6T和5T的低单元高度下，向Nanosheet器件的迁移变得最佳，因为在这种情况下，fin的减少会降低传统基于FinFET的单元中的驱动电流。但是，如果不引入结构化微缩助推器（如埋入式电源轨和环绕式接触），就无法将单元高度从6T减小到5T。电源轨为芯片的不同组件提供电源，并且一般由B
3纳米芯片－可能连苹果都玩不起
卡在2022年的最后几天，台积电兑现了年内量产3nm工艺芯片的承诺。 12月24日，据中国台湾媒体《经济日报》报道，台积电将于下周在南科园区的3nm工厂举办量产暨扩厂典礼。 按照台积电的规划，这座总投资高达6000亿新台币（约合人民币1360亿）的超级工厂，在满产后的月产能将实现6万片12英
美国新的材料表面设计“以冰除霜”
美国弗吉尼亚理工大学一个研究团队日前宣布，开发出世界上首款被动除霜的材料表面设计工艺，其基本原理是“以冰除霜”。 弗吉尼亚理工大学研究人员在铝材表面上制造出许多微型隆起的槽，低温条件下将水注入其中可以形成“冰条纹”。“冰条纹”能吸附附近空气中的水分，使“冰条纹”周边的铝材表面保持干燥，霜就无法
汪群杰：中西分析测试业的“凝胶”两代化学家实业梦
2004年从美国回来的汪群杰，怀揣着创业理想，将公司命名为“Agela”，其中首尾的两个“A”分别代表美国（American）和亚洲（Asia），寓意他从美国回到中国，而“gel”是“凝胶”的意思，是分析纯化的最主要材料。“我希望通过自己多年在分析纯化材料研制开发方面的经验，将美洲和亚洲联系起来
英特尔3D－XPoint内存封装逆向
TechInsights的研究人员针对采用XPoint技术的英特尔Optane内存之制程、单元结构与材料持续进行深入分析与研究。英特尔(Intel)和美光(Micron)在2015年8月推出了3D XPoint，打造出25年以来的首款新型态内存技术。2016年，英特尔发布采用3D XPoin
芯粒：后摩尔时代下降发挥怎样的作用
前言：芯粒逐渐成为半导体业界的热词之一，它被认为是一种可以延缓摩尔定律失效、放缓工艺进程时间、支撑半导体产业继续发展的有效方案。摩尔定律的演变即便不是IT从业人士，想必也会听说过著名的“摩尔定律”：1965年，英特尔创始人戈登·摩尔提出，在至多十年内，集成电路的集成度会每两年翻一番，后来这个
半导体产业再添生力军－中科仪成功过会北交所IPO
近日，中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司（简称“中科仪”）首次公开发行股票并在北京证券交易所上市的申请获审议通过。这是沈阳集成电路装备产业发展的又一里程碑，也为辽宁半导体设备板块注入了新的资本活力。 中科仪IPO过会，对沈阳半导体产业而言具有重要意义。一方面，它进一步丰富了沈阳半导体装备领域的
能力验证控制程序
一、目的 为了保证检测结果的有效性，规范检测试验中心开展的能力验证和比对试验活动，补充内部质量控制程序中的控制手段，特制定本程序。 二、范围 本程序适用于检测试验中心参加能力验证活动、开展实验室比对。 三、定义 无 四、职责 4.1 技术负责人：根据CNAS的要求，组织制定能力验证和比对试验活动计
免疫治疗60年：两代人的承诺
今天，包括癌症疫苗在内的各种免疫治疗药物和方法已经被公认为是攻克癌症的几个主要手段之一。尽管每个研究人员或临床医生偏重的方法不同，但是已经没有人怀疑免疫治疗的作用。用一句专业术语来说免疫治疗医药已经进入了癌症治疗的主流（“Mainstream”）。但是发展癌症免疫治疗的这段历程却走得十分坎坷。
解析先进半导体制程未来可能面临的挑战及解决办法2
随着线宽的微缩，对于黄光微影与蚀刻的挑战当然不在话下，曝光显影的线宽一致性（Uniformity），光阻材料（Photo Resist，PR）的选择，都将会影响到后续蚀刻的结果。蚀刻后导线的线边缘粗糙度（Line Edge Roughness，LER），与导线蚀刻的临界尺寸（Critic
手机辐射的不同观点
对于“手机辐射会增加患脑部肿瘤的机会”的观 点，有肿瘤专家表示，对于这一结论还没有相关的科学依据。 辽宁省肿瘤医院副院长 、主任医师、神经外科主任朴浩哲表示，胶质瘤是一种常见的颅内肿瘤，与其他颅内肿瘤比较，胶质瘤的发病率并没有特别 的突出。在临床上，有出现接受放射治疗患上胶质瘤的病例，也有实验
3D结构晶体管首次问世－为摩尔定律注入新活力
22纳米制程技术实现突破5月5日，英特尔公司宣布，自50多年前硅晶体管发明以来，3-D结构的晶体管首次问世。该公司推出的三栅极（Tri-Gate）3-D晶体管设计成功实现了22纳米制程技术的突破，从而推翻了摩尔定律即将走到尽头的判断。 据英特尔技术与制造事业部亚洲区发言人柯必杰介绍
酶制剂在黄酒制程中的作用
黄酒生产中添加的酶制剂主要有淀粉酶、糖化酶、蛋白酶等其他酶制剂。现将糖化酶在黄酒生产中的应用作一介绍。一、工艺流程淋饭酒母→麦曲、糖化酶→原料→浸米→淋米→蒸米→摊晾→落缸发酵→喂饭→后发酵→压榨→酒糟。二、主要技术参数采用传统工艺，淋饭酒母，纯种麦曲，大罐发酵。1.糖化酶的使用量。淋饭酒母和喂饭发
宁波材料所就核用碳化硅及核能材料基因组工程发表观点
核能的发展与安全性提升，离不开新型核材料的出现以及对于传统核材料的改进。自2011年福岛核事故以来，人们对反应堆包壳材料提出了事故容错性的迫切需求，即在核安全事故发生后的一段时间内，包壳材料能够保持其结构与功能的完整性，进而为后续的救助与修复工作争取时间。近期，中国科学院宁波材料技术与工程研究所
苹果芯，自给自足
苹果在芯片领域的优势越来越凸显。北京时间3月9日，苹果召开2022年春季新品发布会，除了全新配色的iPhone 13和iPhone 13 Pro、新iPhone SE以及Mac Studio和Studio Display等5款新品外，号称地球最强桌面级处理器的M1 Ultra也备受全球关注。作为M1
“芯片法案”配合限令，14nm一下半导体禁运！
8月9日消息，据外媒报道，半导体设备大厂科磊 (KLA) 执行长Rick Wallace 证实，已收到美国政府限制出口中国大陆14nm以下先进制程半导体设备的备忘录！Wallace指出，科磊在中国的营收占总营收29%，对新限制措施很担心。近日，科磊公布其截至2022年6月30日的2022财年第四财季
【分享】FIB－聚焦离子束分析
FIB介绍聚焦离子束技术（Focused Ion beam，FIB）是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的离子束轰击材料表面，实现材料的剥离、沉积、注入、切割和改性。随着纳米科技的发展，纳米尺度制造业发展迅速，而纳米加工就是纳米制造业的核心部分，纳米加工的代表性方法就是聚焦离子束。近年来发展起来的聚
粒度分析报告怎么看
1、测试报告由6部分组成：表头、样品信息及测试信息、分析结果、图形、数据表、表尾。2、量程：即测试范围，在软件的数据模板中选定。3、分散介质：用于分散被测样品的介质。被测物质与分散介质不能发生化学反应，也不能在其中溶解。4、分散剂：能够改变颗粒与液体之间的界面状态，促进颗粒充分分散的化学物质。5、光
BET分析结果怎么看
先做一个N2吸附测试，得到吸附等温线；然后用不同的计算模型分析表面积和孔径分布； 2）比表面积可以看BET数据或langmuir数据，大部分人喜欢用BET数据； 3）孔径分布可以参考DFT、HK或BJH数据，这个由材料的孔径确定。
血细胞分析怎么看
血细胞分析是一种通过一些仪器的检测对红细胞、白细胞等进行分析的技术，而其发展离不开库尔特兄弟的库尔特原理，因此大量血细胞分析仪在各国的实验室里发挥着作用。常用的设备为半自动或全自动生化检测仪。血细胞分析仪是医院临床检验应用非常广泛的仪器之一，随着计算机技术的日新月异的发展，血细胞分析的技术也从三分类
电子产品无Pb制程的工艺可靠性问题分析（一）
一、概述随着电子信息产业的日新月异，微细间距器件发展起来，组装密度越来越高，诞生了新型SMT、MCM技术，如图1所示。图1 微电子学芯片封装技术的发展现在微电子器件中的焊点越来越小，但其所承载的力学、电学和热力学负荷却越来越重，对可靠性的要求也日益增高。电子封装中广泛采用的SMT封装技术及新型的芯片
电子产品无Pb制程的工艺可靠性问题分析（五）
这个过程可能包含以下一些步骤：① 确定可靠性要求——希望的设计寿命及在设计寿命结束之后的可接受的失效概率；② 确定负载条件——由于功率耗散原因，要考虑使用环境（如IPC－SM－785）和热梯度，这些参数可能会发生变化，并产生大量的小型循环；③ 确定／选择组装的结构——元器件和基板的选择，材料特性（如
电子产品无Pb制程的工艺可靠性问题分析（四）
（6）元器件引脚电镀和引脚材料的接合（1）引脚材料：Cu。焊盘类型为SMD，安装传统SnPb电镀元器件引脚和无Pb的SnBi电镀元器件，采用传统Sn37Pb钎料或无Pb的SAC305钎料的焊点可靠性、温度循环试验的结果，如图8所示。图8引脚材料为Cu的焊点温度循环试验的威布尔分布无Pb产品和无Pb钎
电子产品无Pb制程的工艺可靠性问题分析（三）
2．元器件影响元器件可靠性的因素如下。（1）高温影响。某些元器件，如塑料封装的元器件、电解电容器等，受高的焊接温度的影响程度要超过其他因素。（2）Sn晶须的影响。Sn晶须是长寿命的高端产品中精细间距元器件更加需要关注的另一个问题。无Pb钎料合金均属高Sn合金，长Sn晶须的概率比SnPb高得多。通过限
电子产品无Pb制程的工艺可靠性问题分析（二）
三、电子产品无Pb制程工艺可靠性理解电子产品无Pb制程是怎样影响到产品性能和工艺控制的，这是其执行的核心内容。从富Pb材料切换到无Pb材料时，失效模式和效果分析（FMEA）是有差异的。从机械角度看，典型的无Pb材料要比含Pb高的材料硬。硬度对插座设计、电气接触（阻抗和接触电阻）及整个焊点均有影响。不
英特尔CEO证实将把两款处理器最关键CPU芯片块首度交给台积电生产
英特尔CEO帕特·基辛格证实，英特尔将把两款处理器最关键的CPU芯片块首度交给台积电生产。据悉，相关订单将采用台积电3纳米生产，为双方未来在2纳米制程的合作埋下伏笔。