清华大学历经10年，光刻机领域《自然》发文
在芯片制造业中，光刻机是必不可少的精密设备——每颗芯片诞生之初，都要经过光刻技术的锻造。也正因为此，与之相关的突破性研究成果备受关注。 2月25日，清华大学的一项科研成果刊登在《自然》上，引起了国内外学术界及产业界的高度关注。《自然》评阅人认为其“展示了一种新的方法论”，“必将引起粒子加速器和同步辐射领域的兴趣”。 这篇题为《稳态微聚束原理的实验演示》的论文，报告了一种新型粒子加速器光源“稳态微聚束”（Steady-state microbunching，SSMB）的首个原理验证实验。由清华大学工程物理系唐传祥教授研究组和亥姆霍兹柏林材料与能源研究中心、德国联邦物理技术研究院合作完成。SSMB原理验证实验示意图（图片来源：《自然》） 《自然》相关评论文章写到“该实验展示了如何结合现有两类主要加速器光源——同步辐射光源及自由电子激光的特性。SSMB光源未来有望应用于EUV（极紫外光源）光刻和角分辨光电子能谱学等领域。” ......阅读全文
光刻机工作原理和组成
光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，不同光刻机的成像比例不同，有5:1，也有4:1。然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图（即芯片）。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准
光刻机的性能指标
光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。 分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。 对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度
光刻机的性能指标
光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。 分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。 对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度
高精度掩膜对准光刻机
高精度掩膜对准光刻机是一种用于农学、生物学、化学、物理学领域的分析仪器，于2017年11月7日启用。 技术指标 支持4英寸晶圆；曝光波长：350-450nm；曝光灯功率：350W；分辨率：优于0.8mm（光刻胶厚度1微米时）；套刻精度：0.5mm；光强均匀度：优于±2％；更换汞灯后及汞灯全寿
光刻机为什么不用x射线
因为x射线具有穿透力，而穿透力产生的折射会浪费大量的能量，致使光刻机效率低下，甚至无法工作，所以不用x射线。
光刻机的定位格栅是什么
时光刻机中的一项核心技术，应用于对半导体衬底进行成像的光刻技术，主要用来确定位置。在目前高端光刻机晶圆台的亚纳米级定位需求中，光栅干涉测量具有较大优势，测量分辨率可达17pm，长期测量稳定性可达0.22nm，采用先进的二维平面光栅可以实现空间六自由度测量，是14nm及以下光刻工艺制程的重要技术路线。
佳能PLA500光刻机共享应用
仪器名称：佳能光刻机仪器编号：80424600产地：日本生产厂家：日本型号：PLA-500出厂日期：198004购置日期：198004所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>光刻工艺放置地点：微电子所新所一楼微纳平台光刻间固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-62781090,1
光刻机水冷机组定时保养知识须知
按时进行光刻机水冷机组的维修保养，而对于很多企业而言，如果光刻机水冷机组缺少必要的保养与维护，意味着光刻机水冷机组后期运行故障率非常高。 在实际运行光刻机水冷机组的时候，为保持光刻机水冷机组运行靠谱与稳定，建议在使用半年时间之后，需要针对光刻机水冷机组进行面面的清洗。尤其对于容易产生积尘污垢的位
新型光刻机提升微纳实用制造水平
中科院光电技术研究所微电子专用设备研发团队，近日自主研制成功紫外纳米压印光刻机。该机器将新型纳米压印高分辨力光刻技术与紫外光刻技术有机结合，成本仅为国外同类设备的1/3，并在同一加工平台上实现了微米到纳米级的跨尺度图形加工，使我国微纳实用制造水平迈上新的台阶。 光刻机是实现微纳图形加工的专用高
MA6双面光刻机共享
仪器名称：MA6双面光刻机仪器编号：00011041产地：德国生产厂家：Karl Suss型号：MA6出厂日期：199907购置日期：200010所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>光刻工艺放置地点：微电子所新所一楼微纳平台光刻间固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-6278
2022年新挑战——光刻机、网络安全......
2月15日，中国工程院信息与电子工程学部、中国信息与电子工程科技发展战略研究中心在京发布“中国电子信息工程科技发展十三大挑战（2022）”。发布会由中国工程院院士、信息与电子工程学部主任卢锡城主持。 中国工程院党组成员、副院长陈左宁院士表示，中国工程院作为中国工程科学技术界最高荣誉性、咨询性学
光刻机冷却循环装置常见系统故障
1、回液：对于使用膨胀阀的制冷系统，回液与膨胀阀选型和使用不当密切相关。膨胀阀选型过大、过热度设定太小、感温包安装方法不正确或绝热包扎破损、膨胀阀失灵都可能造成回液。对于使用毛细管的小制冷系统而言，加液量过大会引起回液。蒸发器结霜严重或风扇故障时传热变差，未蒸发的液体会引起回液。温度频繁波动也会引
28纳米光刻机如何生产5纳米芯片
28纳米光刻机作为先进半导体芯片制造中的重要设备之一，其本身的生产工艺无法支持5纳米的芯片生产。但是，通过使用一系列先进的制造技术和调整设备参数等手段，可以将28纳米光刻机用于5纳米芯片生产。主要方法包括以下几个方面：1. 使用多重曝光技术：将同一影像进行多次叠加曝光，在不同的位置形成复杂图形，在提
宽刀雕细活－我国造出新式光刻机
11月29日，中科院光电技术研究所承担的国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收，这是世界上首台用紫外光源实现了22纳米分辨率的光刻机。 光刻机相当于一台投影仪，将精细的线条图案投射于感光平板，光就是一把雕刻刀。但线条精细程度有极限——不能低于光波长的一半。“光太胖，门缝太窄，
MA6双面光刻机共享应用
仪器名称：MA6双面光刻机仪器编号：00011041产地：德国生产厂家：Karl Suss型号：MA6出厂日期：199907购置日期：200010所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>光刻工艺放置地点：微电子所新所一楼微纳平台光刻间固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-6278
极紫外线光刻机和简介和功能
极紫外线光刻机是芯片生产工具，是生产大规模集成电路的核心设备，对芯片工艺有着决定性的影响。小于5纳米的芯片晶圆，只能用EUV光刻机生产。 2018年4月，中芯国际向阿斯麦下单了一台EUV（极紫外线）光刻机，预计将于2019年初交货。 功能 光刻机（又称曝光机）是生产大规模集成电路的核心设备
单面/双面掩模对准光刻机的相关知识
单面/双面掩模对准光刻机支持各种标准光刻工艺，如真空，硬，软接触和接近式曝光模式，可选择背部对准方式。此外，该系统还提供其他功能，包括键合对准和纳米压印光刻（NIL）。EVG610提供快速处理和重新加工，以满足不断变化的用户需求，转换时间不到几分钟。其先进的多用户概念适合初学者到专家级各个阶层用户，
Karl－SussMA6双面光刻机共享应用
仪器名称：MA6双面光刻机仪器编号：00011041产地：德国生产厂家：Karl Suss型号：MA6出厂日期：199907购置日期：200010所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>光刻工艺放置地点：微电子所新所一楼微纳平台光刻间固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-6278
目前我国光刻机的加工精度是多少？
我们日常使用的手机里面的芯片就是光刻机制造出来的，光刻机是芯片制造过程当中一个重要的环节，光刻机直接决定着芯片的质量。而我国作为全球最大的芯片消费国之一，光每年进口的芯片都高达几万亿人民币。 光刻机是芯片制造过程中最重要的一部分，就是我们把想要设计的芯片，用光学技术刻在晶圆上，用光学技术把各种各样
21年来首次！佳能扩产光刻机设备！
据日经新闻报道，佳能计划投资500亿日元提高光刻机产量，将其在日本的半导体制造设备产量翻一番。报道称，佳能将在日本东部栃木县新建一座半导体设备厂，目标将当前产能提高一倍，总投资额超过500亿日元（约3.45亿美元），工厂计划在2023年动工，2025年开始运营。光刻是半导体电路形成不可或缺的核心技术
接触式光刻机在涂胶工艺上有哪些特殊之处？
2020年11月25日 17:23 来源: 岱美仪器技术服务（上海）有限公司 >>进入该公司展台分享： 作为光刻工艺中zuì重要设备之一，接触式光刻机一次次革命性的突破，使大模集成电路制造技术飞速向前发展。了解提高接触式光刻机性能的关键技术以及了解下一代光刻技术的发展情况是十分重要的。
光刻机冷却循环水装置常见故障知识说明
1、制冷压缩机内无敲击声，压缩机正常运转，膨胀阀开度调节合适，运转中只有压缩机吸、排气声，不产生敲击或其它不正常声响。 2、压缩机各摩擦部位温度正常，无激热现象。压缩机各摩擦部位、轴承与轴颈接触良好，润滑正常，不产生超过环境温度。 3、曲轴箱油面处在正常位置，一般压缩机曲轴箱正常油面应在视油镜
光刻机为什么一定用紫外线
光刻机采用激光将图形刻印在半导体上，但光是电磁波，不同的光线具有不同的波长。如果需要刻印的图形非常微小，而采用的光线波长较大，则刻不出想要的图形。就像你不能用拖把（书写痕迹粗大）在田字格本上写毛笔字（笔划细小）。现在的芯片集成度越来越高，最高端的芯片工艺已经到了2nm级别。而可见光波长在780nm（
清华和镭测共同开发双折射双频激光干涉仪实现批量生产
日前，记者从清华大学精密仪器系获悉，该系教授张书练课题组进行原理研究并由北京镭测科技有限公司开发生产的双折射双频激光干涉仪具有优良的可靠性和先进的技术指标，其中，双折射双频激光干涉仪的分辨率达到1纳米(十亿分之一米)，线性测量长度范围0~70米，非线性误差小于1纳米，测量速度超过2米。 双频
光电所研制出实用深紫外光刻机
近日，中国科学院光电技术研究所微电子专用设备研发团队研制成功波长254nm的实用深紫外光刻机（Mask aligner），光刻分辨力达到500nm。 Mask aligner因使用方便、效率高、成本低，一直是使用面最广、使用数量最多的一种光刻设备。在现有的微纳加工工艺中，光刻所采用的波段是决定
荷兰光刻机巨头阿斯麦官宣董事新任命
荷兰光刻机巨头阿斯麦（ASML）的监事会周四宣布，拟任命现任公司首席商务官和管理委员会成员Christophe Fouquet为下一任总裁兼CEO。 该任命需要在明年4月24日召开的年度股东大会上获得批准。届时，阿斯麦现任首席执行官Peter Wennink和首席技术官Martin van d
工业光刻机冷却系统冷水机开机停机事项
一、光刻机冷却系统冷水机的使用注意事项： 1）光刻机冷却系统冷水机组的正常开、停机须严格按照光刻机冷却系统冷水机厂家提供的操作说明书的步聚进行操作。 2）机组在运行过程中，应及时、正确地做好参数的记录工作，如出现报警停机，应及时通知相关人员对机组进行检查，如无法排除故障，可以直接与光刻机冷却系
光刻机用低温冷水机组故障原因与排除
光刻机用低温冷水机组操作者可对设备运行过程中的相关故障以及解决办法做一定的了解，以便更好的使用光刻机用低温冷水机组，那么其故障原因是怎么样的呢？ 1、制冷剂泄漏： 系统中制冷剂泄漏后制冷量不足，吸、排气压力低，蒸发器不挂霜或挂角少量的浮霜，若调大膨胀阀孔，吸气压力仍无大变化，停机后系统内平衡压
清华大学最新Nature文章
来自清华大学生命科学学院、中科院植物研究所的研究人员首次报道了线粒体II型NADH脱氢酶的晶体结构，相关论文 “Structural insight into the type-II mitochondrial NADH dehydrogenases”公布在10月21日的《自然》(Nat
地方高校，签约清华大学
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/518304.shtm2月28日，辽宁工业大学与清华大学“智能绿色车辆与交通全国重点实验室” 签订合作意向书，签订仪式在清华大学举行。辽宁省教育厅党组书记、厅长王庆东，辽宁省工信厅党组书记、厅长胡异冲，清华