简介离子源离子束的主要参数
①离子束流强 即能够获得的有用离子束的等效电流强度，用电流单位A或mA表示。 ②有用离子百分比 即有用离子束占总离子束的百分比。一般来说，离子源给出的总离子束包括单电荷离子、多电荷离子、各种分子离子和杂质元素离子等的离子束。 ③能散度 由于离子的热运动和引出地点的不同，使得离子源给出的离子束的能量对要求的单一能量有一定离散，一般希望能散度尽量小，在高精度的离子束应用中尤其是这样。 ④束的聚焦性能 以离子束的截面和张角表示。聚焦不好的离子束在传输过程中会使离子大量丢失。获得良好聚焦特性的离子束的最终障碍是束中离子之间的静电排斥力，为了克服这一障碍，应尽早使离子获得较高能量。 ⑤离子源的效率 以离子束形式引出的工作物质占总消耗的工作物质的比例。 ⑥工作寿命 离子源一次安装以后使用的时间。......阅读全文
漫谈离子源
样品的离子化是进行质谱分析的重要步骤，如何高效地进行离子化对质谱仪的灵敏度、分辨率等有着重要的影响。 离子源是对样品进行电离的场所，离子源的主要功能是把中性的原子（或分子）电离成离子，并形成具有一定能量的离子束。不同的质谱仪根据分析用途的不同配备有不同的离子源，这些离子源由于电离方式不同，具有不同的
聚焦离子束（FIB）技术介绍
1.引言 随着纳米科技的发展，纳米尺度制造业发展迅速，而纳米加工就是纳米制造业的核心部分，纳米加工的代表性方法就是聚焦离子束。近年来发展起来的聚焦离子束（FIB）技术利用高强度聚焦离子束对材料进行纳米加工，配合扫描电镜（SEM）等高倍数电子显微镜实时观察，成为了纳米级分析、制造的主要方法。目
Zeiss－FIB聚焦离子束－共享
仪器名称：聚焦离子束 Zeiss FIB仪器编号：16005806产地：德国生产厂家：蔡司型号：Auriga出厂日期：201506购置日期：201603所属单位：材料学院>材料中心 >电镜中心放置地点：主楼东配楼11-112固定电话：固定手机：固定email：联系人：王永力（010-62773015
SECRALII超导离子源为重离子加速器稳定供束超过1000小时
2018年12月11日至2019年1月24日，中国科学院近代物理研究所新投入运行的全超导ECR离子源SECRAL-II（图1）为兰州重离子加速器HIRFL-CSR上核物理实验提供了高流强高电荷态86Kr25+离子束，SECRAL-II本次供束不间断连续稳定运行时间超过1000小时（图2），展示了
质谱仪离子源的维护
离子源的维护离子源的维护主要是离子源的清洗。这里以目前较为常用的ESI离子源为例，简单阐述其清洗要点，ESI离子源的清洗非常重要一般情况下，每隔几天就需对离子源进行一次清洗。各个仪器厂家的ESI离子源虽然存在一定差别，但清洗的方法却大同小异。首先是离子源的拆卸，每个仪器厂商的离子源耦合到质谱上的方式
质谱仪离子源的清洗
1、降低接口温度、离子源温度、四极杆温度（以四极杆质谱仪为例），关闭质谱仪电源。 2、打开卸压阀，缓慢卸压到常压。 3、打开离子源舱门（此步骤开始最好佩带口罩以及不掉毛手套）。 4、使用专用工具按照拆卸步骤将离子源整体取出放置在的清洗台面。 5、使用专用工具将离子源各部件一一拆开，分
离子源加热的问题
现象： 今天我更换5975的离子源，换上一个清洗过的离子源，刚开始抽真空时便嗅到一股强烈的塑料烧焦的味道从MSD中传出，打开instrument control界面时发现离子源温度显示为511摄氏度随后离子源报错。放真空后重新安装离子源后，再抽真空又能嗅到强烈的焦味，检查真空状态时仍显示离
液质联用的离子束接口介绍
离子束接口（ particle-beam interface,PB ） 是从单分散 气溶胶界面（monodisperse aerosol generating interface for chromatography, MAGIC）发展来的。该接口将液相色谱的流动相在 常压下借助气动雾化产生气溶
聚焦离子束加工中的主要缺陷
聚焦离子束(FIB)是一种微纳米加工技术，其基本原理与扫描电子显微镜(SEM)类似，采用离子源发射的离子束经过加速聚焦后作为入射束，高能量的离子与固体表面原子碰撞的过程中可以将固体原子溅射剥离，因此，FIB更多的是被用作直接加工微纳米结构的工具。结合气体注入系统(GIS)，FIB可以辅助进行化学气相
离子源的作用是什么，试述几种常见离子源的原理
离子源的作用是什么，试述几种常见离子源的原理利用稀薄气体中的高频放电现象使气体电离，一般用来产生低电荷态正离子，有时也从中引出负离子，作为负离子源使用。在高频电场中，自由电子与气体中的原子(或分子)碰撞，并使之电离。带电粒子倍增的结果，形成无极放电，产生大量等离子体。高频离子源的放电管一般用派勒克斯
地学实验室及仪器扫盲（1）离子探针实验室
实验设备 名称：二次离子探针质谱仪（SIMS） 仪器描述：法国Cameca公司生产的IMS 1280是国际最新型的二次离子质谱仪。仪器同时装备有气体双等离子体源和铯离子源两个离子源，而且不同离子源的切换非常方便；具有先进的离子透镜系统，具有较高的离子传输效率；在应用过程中，离子束直径可以降至数
中国科学家孙良亭获首届瑞查得杰勒奖
在美国芝加哥日前举行的第18届国际电子回旋共振（ECR）离子源会议上，中国科学院近代物理研究所副研究员孙良亭因其在全永磁ECR离子源技术方面的杰出贡献，获得首届“瑞查得杰勒奖”。 ECR离子源是产生高电荷态强流离子束最有效的装置，在加速器、核物理、原子物理、表面物理及半导体工业等领域有很广泛的应用。
可控硅的主要参数
平均值 额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。峰值电压 1、 反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。 2、 控制极触发电流Ig1 、触
可控硅的主要参数
电流 额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。耐压 反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。触发电流 控制极触发电流（IGT)，俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为
激光粉尘仪的主要参数
测定时间:采样标准时间为1分钟,设有0.1、1分钟及任意设定采样时间;重复性误差:±2%;测量精度: ±10%存 贮:可循环存储99组数据;定时采样:可设定测量时间及采样次数输出接口:PC机通讯接口(RS232)及打印机输出接口环境温度:0℃～40℃(储存温度-20℃～60℃)电 源:交直流两用,配
电感器的主要参数
主要参数 电感的主要参数有电感量、允许偏差、品质因数、分布电容及额定电流等。 电感量 电感量也称自感系数，是表示电感器产生自感应能力的一个物理量。 电感器电感量的大小，主要取决于线圈的圈数（匝数）、绕制方式、有无磁心及磁心的材料等等。通常，线圈圈数越多、绕制的线圈越密集，电感量就越大。有
熔断器的主要参数
熔断器按其结构形式有插入式、螺旋式、有填料密封管式、无填料密封管式等，品种规格很多。在控制系统中经常选用螺旋式熔断器，它有明显的分断指示和不用任何工具就可取下或更换熔体等优点。近推出的新产品中RL6、RL7系列可以取代老产品RL1、RL2系列；RLS2系列是快速熔断器，用以保护半导体硅整流元件及
可控硅的主要参数
电流 额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。耐压 反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。触发电流 控制极触发电流（IGT)，俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为
切片机的主要参数
1、切片机锯切试件直径：φ50 、φ75 、φ1002、锯切试件长度：大于40mm3、主轴转数：2300r/min4、电机额定功率：2.2KW 电压380V5、锯片直径：φ400 mm6、外形尺寸：900×460×830mm锯切试件长度： 47.5-205mm7、整机质量：150Kg1、手柄开关 2
“人造太阳”首获兆瓦级强流离子束
本记者从中科院合肥物质研究院了解到，我国新一代“人造太阳”实验装置EAST中性束注入系统（NBI）测试台近日在进行大功率离子束引出实验过程中，首次成功获得兆瓦级强流离子束。 负责这项研究工作的研究员胡纯栋介绍，EAST中性束注入系统（NBI）测试台在实验过程中，成功获得束能量50千伏，束
TEM制样聚焦离子束法
聚焦离子束法适用于半导体器件的线路修复和精确切割。聚焦离子束系统（FIB），利用源自液态金属镓的离子束来制备样品。通过调整束流强度，FIB可以对样品的指定区域进行快速和极精细的加工。其汇聚扫描方式可以是矩形、线形或点状。FIB可以制备供扫描透射电镜观测用的各种材料的薄膜样品。
聚焦离子束技术（FIB）技术应用
聚焦离子束技术（Focused Ion beam，FIB）是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的离子束轰击材料表面，实现材料的剥离、沉积、注入、切割和改性。随着纳米科技的发展，纳米尺度制造业发展迅速，而纳米加工就是纳米制造业的核心部分，纳米加工的代表性方法就是聚焦离子束。近年来发展起来的聚焦离
Zeiss－FIB聚焦离子束共享应用
仪器名称：聚焦离子束 Zeiss FIB仪器编号：16005806产地：德国生产厂家：蔡司型号：Auriga出厂日期：201506购置日期：201603所属单位：材料学院>材料中心 >电镜中心放置地点：主楼东配楼11-112固定电话：固定手机：固定email：联系人：王永力（010-62773015
什么是离子源
离子源是使中性原子或分子电离，并从中引出离子束流的装置。它是各种类型的离子加速器、质谱仪、电磁同位素分离器、离子注入机、离子束刻蚀装置、离子推进器以及受控聚变装置中的中性束注入器等设备的不可缺少的部件。
离子源如何清洗
离子源的清洗方法为：对金属的清洗和非金属部件的清洗。对金属部件来说，首先用棉签湿水后沾上专门的氧化铝粉（菲林跟有配）来摩擦金属部件。注意不要让氧化铝粉干燥！氧化铝粉洗完后，用水浸泡金属部件，然后超声15分钟，然后把水倒掉，用丙酮浸泡，再超声15分钟，烘干就可。对于非金属部件，就免掉吵声这一步骤。离子
常用离子源详解
电子轰击电离（Electron Impact Ionization, EI）质谱中最常用的离子源，一般为70 eV的电子束，远大于大多数有机化合物的电离电位（7~15 eV），会使相当多的分子离子进一步裂解，产生广义的碎片离子。优点：1）结构简单，稳定，电离效率高，易于实现；2）质谱图再现性好，便于
离子注入机的结构组成
离子注入机由5部分组成：离子源、离子引出和质量分析器、加速管、扫描系统、工艺腔。 1、离子源 离子注入机利用离子源中灯丝产生的热电子在电场的作用下轰击气体分子，使之电离。待注入的杂质源如果是气态，便可以直接引入到离子源的电场中，如果是固态，则还需加热蒸发，变为气相后引入到这个电场中。气相的杂
原位电性能测试
聚焦离子束(Focused Ion beam, FIB)的系统是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的显微切割仪器。目前商用系统的离子束为液相金属离子源，金属材质为镓(Ga)，因为镓元素具有低熔点、低蒸气压及良好的抗氧化力；典型的离子束显微镜包括液相金属离子源、电透镜、扫描电极、二次粒子侦测器、5
聚焦离子束在ITO表面缺陷的应用
1. 引言失效样品为手机显示屏，具体失效位置在前端IC位置，失效现象是ITO出现出现腐蚀导致显示异常，如下图所示，需具体分析失效的原因。 图1.ITO表面缺陷SEM观察图 2. 试验与结果 图2.失效位置截面观察图图3.正常位置截面观察图图4.失效位置EDS测试谱图图图5.正常位置EDS测试谱图图
叙述离子源的应用介绍
① 离子掺杂与离子束改性 从20世纪60年代开始，人们将一定量的硼、磷或其他元素的离子注入到半导体材料中，形成掺杂。掺杂的深度可用改变离子的能量来控制；掺杂的浓度可通过积分离子流强度来控制。离子注入方法的重复性、可靠性比扩散法好。离子注入掺杂在半导体大规模集成电路的生产中已成为重要环节，用离子