小尺寸、高消光比的低功耗硅光开关研制出炉
硅光集成是指利用CMOS工艺平台，将实现高性能调制、探测、传输和复用等功能的器件集成在同一芯片上，通过规模集成面向片上和片间光互连、高速光通信、集成传感和智能计算等提供性能更优、更具性价比的芯片和组件，其中低功耗、高性能的光开关是硅光集成在上述应用场景中需要的核心器件。 当前，硅光集成开关器件主要采用马赫-曾德干涉仪或微环谐振器的结构设计，这些器件存在如占用空间大、对外界温度敏感，以及需要持续的外部电源来维持开关状态导致高静态功耗等不足，这为高密度的硅光集成带来了额外困难。非易失性相变材料得到关注和研究，例如，研究将Ge2Sb2Te5集成到光子器件中以实现具备可重构功能的硅光器件。然而，普通的Ge2Sb2Te5薄膜在反复相变的过程中结构稳定性较差，消光比被制约在10dB量级。针对这一问题，中国科学院上海微系统与信息技术研究所硅光课题组研究员武爱民团队等提出对Ge2Sb2Te5薄膜进行离散化的结构设计，将支持局域共振的亚波长......阅读全文
我科学家首次研制成功硅基导模量子集成光学芯片
中国科技大学中科院量子信息重点实验室任希锋研究组与浙江大学教授戴道锌合作，首次研制成功硅基导膜量子集成芯片。成果近日发表于《自然—通讯》。 集成光学的器件及系统具有尺寸小、可扩展、功耗低、稳定性高等诸多优点，在经典光学和量子信息领域受到关注。以往集成量子光学芯片研究通常采用偏振自由度或路径自由
目前光子技术的现状
从理论上来说，硅基器件完全没可能在性能上比过III-V。硅光的优势在于cmos厂不用换生产线，所以注定是一个退而求其次的技术。但话说回来，几大fab真的投钱建几条III-V线又有何不可呢。看看avago这几年的崛起和intel的失利。
最快芯片组助力构建下一代无线系统
科技日报北京6月17日电 （记者张梦然）据日本国家信息通信技术研究所和东京工业大学研究人员报道，一种具有56GHz信号链带宽的新型D波段硅互补金属氧化物半导体（CMOS）收发器芯片组，实现了无线最高传输速度640Gbps。该成果于正在美国檀香山举行的2024年IEEE VLSI技术与电路研讨会上发布
最快芯片组助力构建下一代无线系统
据日本国家信息通信技术研究所和东京工业大学研究人员报道，一种具有56GHz信号链带宽的新型D波段硅互补金属氧化物半导体（CMOS）收发器芯片组，实现了无线最高传输速度640Gbps。该成果于正在美国檀香山举行的2024年IEEE VLSI技术与电路研讨会上发布。 为了以更快速度处理不断增加的数
Nature重磅：硅材料的三个重大发现
硅在人们的生产生活中扮演着重要的角色。在1824年，瑞典化学家贝采里乌斯首次制备出硅单质。而这一发现，开启了硅元素的探索之路。随后，晶体硅、有机硅材料也相继被研发出来。直至今日，硅材料也是现代科技中的一个重要组成部分。硅在空气中具有良好的化学稳定性，其高温下的性质则与铝类似，会在表面处形成一层致密的
5G毫米波无线电射频技术概述
业界普遍认为，混合波束赋形（例如图 1 所示）将是工作在微波和毫米波频率的 5G 系统的首选架构。这种架构综合运用数字(MIMO) 和模拟波束赋形来克服高路径损耗并提高频谱效率。如图 1 所示，m 个数据流的组合分割到 n 条 RF 路径上以形成自由空间中的波束，故天线元件总数为乘
多晶硅价格反弹不改行业颓势－光伏巨头纷纷预警
情况下，价格持续上涨是小概率事件，行业在2013年还可能继续下行。 内外巨头业绩报忧 由于全球多晶硅供应过剩以及销往中国的产品可能面临征收关税的威胁，赫姆洛克此次将对其在田纳西州和密歇根州工厂裁员400人左右。作为全球三大多晶硅生产商之一，赫姆洛克是美国道康宁公司、
北京碳纳米管集成电路研制取得重大进展
碳纳米管器件和集成电路因速度、功耗等方面优势，被认为是未来最有可能替代现有硅基集成电路，延续摩尔定理的信息器件技术之一。经过近20年的研究，碳纳米管电子学在器件物理、器件制备和优化、简单集成电路和系统演示方面取得长足进展。 然而，受限于材料和加工工艺问题，碳纳米管晶体管的制备规模、成品率和均匀
怎样检测硅铁的硅含量
检测硅铁的硅含量最简单的方法是：重量法测定硅铁中硅含量。在重量法测定硅含量中，又具体分为三种方法，即：1、 高氯酸脱水重量法测定硅量；2、 盐酸脱水重量法测定硅量；3、 挥硅减量重量法。硅铁的硅含量的测定方法有多种。用以测定硅铁合金中硅测定的化学分析方法主要有重量法和氟硅酸钾容量法。现代仪器分析中，
日本推出13300万像素CMOS传感器
Japan Broadcasting Corporation公司宣布研制了一款分辨率为13300万像素的CMOS传感器。这款小工具可以成为是一款专业的摄像机，支持 8K Super Hi Vision格式，同时又具有娇小的外形。 Super Hi Vision的每一帧由330万像素
工业相机的种类及CCD、CMOS相机简介
工业相机（亦称作“机器视觉相机”）由两大基本部件组成：图像感光芯片和数字化的数据接口。 图像感光芯片由数十万至数百万个像素组成。像素把光线的强度转换为电压输出。 这些像素的电压被以灰度值的形式输出，所有像素放在一起就形成了图像，发送给计算机。数据接口主要有USB 2.0、1394和千兆以太网
凝胶成像CCD介绍和与CMOS的区别
每个公司生产的凝胶成像从结构上看都是差不多的，都可以用于DNA/RNA/蛋白质等凝胶电泳不同染色（如EB、考马氏亮蓝、银染）等非化学发光成像检测分析，主要区分看凝胶成像的灵敏度与分辩率，要想拍出的图像质量好主要是取决于CCD的尺寸、像素，还有成像的一个软件功能。关于CCD的介绍：一：CCD是Char
凝胶成像CCD介绍和与CMOS的区别
每个公司生产的凝胶成像从结构上看都是差不多的，都可以用于DNA/RNA/蛋白质等凝胶电泳不同染色（如EB、考马氏亮蓝、银染）等非化学发光成像检测分析，主要区分看凝胶成像的灵敏度与分辩率，要想拍出的图像质量好主要是取决于CCD的尺寸、像素，还有成像的一个软件功能。 关于CCD的介绍：
半导体的3D时代（一）
每年在SPIE高级光刻会议召开之前的星期日，尼康都会举行其Litho Vision研讨会。我有幸连续第三年受邀发言，不幸的是，由于新冠肺炎的影响，该活动不得不取消。但是到活动宣布取消时，我已经完成了演讲文稿，所以在此分享。概述我演讲的题目是“ Economics in the 3D Era”。在
我国科学家研发全球首颗二维硅基混合架构闪存芯片
大数据与人工智能时代对数据存取性能提出极致要求，而目前速度最快的存储器为易失性存储器，速度为1-30纳秒，断电后数据会丢失。传统闪存不会轻易丢失数据，但工作效率落后于芯片算力10万倍以上。记者从复旦大学获悉，该校集成芯片与系统全国重点实验室、集成电路与微纳电子创新学院周鹏-刘春森团队率先研发出全球首
超均匀无序波导和近红外硅光子学器件
近日，来自美国和英国的一个联合研究小组的研究人员们推出了超均匀无序平台实现近红外(NIR)光子设备来创建、探测和操纵光。 他们在一个绝缘体上的硅(SOI)平台上建造了这个装置，以演示在一个不受晶体对称性约束的灵活的硅集成电路结构的功能。 科学家们报告了被动器件元件的结果，包括波导和谐振器与传
基金委发布后摩尔时代新器件基础研究重大研究计划项目指南
关于发布后摩尔时代新器件基础研究重大研究计划2024年度项目指南的通告国科金发计〔2024〕137号国家自然科学基金委员会现发布后摩尔时代新器件基础研究重大研究计划2024年度项目指南，请申请人及依托单位按项目指南所述要求和注意事项申请。国家自然科学基金委员会2024年5月21日后摩尔时代新器件基础
二维半导体三维集成研究取得新成果
经过数十年发展，半导体工艺制程不断逼近亚纳米物理极限，但传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层互连CMOS逻辑电路，从而获得三维集成技术的突破，是国际半导体领域积极探寻的新路径之一。由于硅基晶体管制备工艺采用单晶硅表面离子注入的方式，较难实现在一层离子注入
新研究打破硅基逻辑电路的底层“封印”
5月29日，我国科学家利用化学制备的系列二维材料，提出一种全新的基于界面耦合的p-掺杂二维半导体方法，打破了硅基逻辑电路的底层“封印”。相关成果在线发表于《自然》。经过数十年发展，半导体工艺制程不断逼近亚纳米物理极限，传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层
凝胶成像分析系统中的CMOS和CCD工艺摄像头的优缺点
那么下面上海嘉鹏科技有限公司为大家简单介绍一下关于凝胶成像分析系统中的CMOS和CCD工艺摄像头的优缺点:凝胶成像分析系统是带暗箱的分析仪，由紫外透射灯箱、白光灯箱、暗箱、摄像头、计算机系统，凝胶分析软件等组成。其中摄像头是凝胶成像分析系统重要组成部分。摄像头种类有CMOS和CCD。那么我们应该选用
利用－ALLOS－的－200－mm－和－300－mm－硅基氮化镓外延片，将－microL...
利用 ALLOS 的 200 mm 和 300 mm 硅基氮化镓外延片，将 microLED 应用于硅产业领域 近日，为了解决晶片尺寸不匹配的问题并应对 microLED 生产产量方面的挑战，ALLOS 应用其独特的应变工程技术，展示了 200 mm 硅基氮化镓 （GaN－on－Si） 外延片
硅纳米晶体管展现出强量子限制效应
据美国物理学家组织网3月21日报道，美国得克萨斯大学的一个研究小组用非常细的纳米线制造出一种晶体管，表现出明显的量子限制效应，纳米线的直径越小，电流越强。该技术有望在生物感测、集成电路缩微制造方面发挥重要作用。相关研究发表在最近出版的《纳米快报》上。 实验中，他们用平版
新型光学部件可实现散射光方向随波长变化
分析测试百科网讯 研究人员已经制造了一种硅光学天线，它看起来像是一种非常小的特殊的棱镜。当一束红光照在光学天线上时，光射向右侧，而当换一种颜色的光如橙色时，光射向左侧。 双向光学天线能够散射不同方向的光，这取决于光的波长 这种不寻常的属性被称为“双向色彩散射”，
国自然发布“集成电路关键材料前沿探索”项目指南
近日，国家自然科学基金委员会发布2023年度国家自然科学基金指南引导类原创探索计划项目——“集成电路关键材料前沿探索”项目指南。 为贯彻落实党中央、国务院关于加强基础研究和提升原始创新能力的重要战略部署，国家自然科学基金委员会（以下简称自然科学基金委）工程与材料科学部拟资助“集成电路关键材料前
硅基胶体量子点片上发光研究新进展
PbS胶体量子点（CQDs）由于具有带隙宽、可调谐及溶液可加工性强等优点，广泛应用于气体传感、太阳能电池、红外成像、光电探测及片上光源的集成光子器件中。然而，PbS CQDs普遍存在发射效率低和辐射方向性差的问题，因而科学家尝试利用半导体等离子体纳米晶或全介质纳米谐振腔来增强PbS CQDs的近
商务部对欧盟多晶硅双反立案－光伏企业反制见效
11月1日电 商务部今日发布2012年第70号和第71号公告，决定即日起对原产于欧盟的太阳能级多晶硅进行反倾销和反补贴立案调查。在欧盟对华光伏双反案或在近期立案的背景下，中国光伏企业的反制措施“先下一城”。 商务部公告称，调查涉及产品的英文名称为Solar-Grade Polysi
我国科学家在新型垂直纳米环栅器件研究中取得进展
垂直纳米环栅晶体管是集成电路2纳米及以下技术代的主要候选器件，但其在提高器件性能和可制造性等方面面临着众多挑战。在2018年底举办的国际集成电路会议IEDM上，来自IMEC的Ryckaert博士将垂直纳米器件的栅极长度及沟道与栅极相对位置的控制列为关键挑战之一。 中国科学院微电子研究所先导中心
集成成像原理
集成成像是一种自动立体（autostereoscopic ）和多视角（multiscopic）三维成像技术，通过使用二维微透镜阵列（有时称为蝇眼透镜）捕获并重现光场，通常无需借助较大的集成物镜或观察透镜。再捕获模式下，将胶片或检测器耦合到微透镜阵列，每个微透镜都允许获取从该透镜位置的角度观察到的被
我国率先制备出5纳米栅长碳纳米管
美国《科学》杂志21日刊登了北京大学信息科学技术学院彭练矛和张志勇课题组在碳纳米管电子学领域取得的世界级突破：首次制备出5纳米栅长的高性能碳纳米晶体管，并证明其性能超越同等尺寸的硅基CMOS（互补金属—氧化物—半导体）场效应晶体管，将晶体管性能推至理论极限。 因主流硅基CMOS技术面临尺寸缩减
关于征集“后摩尔时代新器件基础研究”重大研究计划通知
为进一步做好“后摩尔时代新器件基础研究”重大研究计划的项目立项和资助工作，经本重大研究计划指导专家组和管理工作组会议讨论决定，面向科技界征集2021年度项目指南建议。 一、相关背景 “后摩尔时代新器件基础研究”重大研究计划2019年度获立项资助，执行期8年，围绕“CMOS器件能耗边界及突破机