半导体工艺废气如何处理
半导体废气处理废气介绍：由于半导体工艺对操作室清洁度要求极高，通常使用风机抽取工艺过程中挥发的各类废气，因此半导体行业废气排放具有排气量大、排放浓度小的特点。废气排放也以挥发为主。这些废气主要可以分为四类：酸性废气、碱性废气、有机废气和有毒废气。废气危害：半导体制造工艺中产生的废气如果没有经过很好的处理进行排放，将造成严重的问题，不仅影响人们的身体健康，恶化大气环境，造成环境污染的公害事件等，也会成为半导体制造中AMC污染的重要来源。处理方法：依据这些废气的特性，在处理上采用水洗、氧化/燃烧、吸附、解离、冷凝等方法，针对不同污染物，可采取以下综合处理方法：1.一般排气系统 2.酸性、碱性废气处理系统 3.有机废气处理系统......阅读全文
漫谈半导体工艺节点（一）
近来，GlobalFoundries宣布将会推进7nm FinFET工艺，引发了行业对工艺节点、光刻等技术的探讨。本文是来自SemiEngineering 2014年的一篇报道，带领大家了解7nm工艺及以后的半导体业界的发展方向。（由于推测是2014年的，事实上可能有点过时，希望
漫谈半导体工艺节点（二）
可能的选择 短期内，芯片制造商们明确地会在FinFet和二维的FD-SOI技术上将节点推进到10nm。到了7nm之后，沟道上的的“门”就会上去控制，这就亟待一种全新的晶体管架构。 7nm上的一个领先竞争者就是高电子迁移率的FinFet，也就是在沟道上使用III-V 材料的FinFet
漫谈半导体工艺节点（三）
Brand指出，环形栅极场效应管并没有想象中那么不稳定，它其实非常实用，你甚至可以把它当做FinFET的改良版。实际上它只是在沟道上增加了几个面。Brand不确定环形栅极场效应管是否能在7nm实现，或者在5nm实现，这一切都取决于业界的进展。更决定于公司在降低栅极长度上是否足够激进。
半导体工艺废气如何处理
半导体废气处理废气介绍：由于半导体工艺对操作室清洁度要求极高，通常使用风机抽取工艺过程中挥发的各类废气，因此半导体行业废气排放具有排气量大、排放浓度小的特点。废气排放也以挥发为主。这些废气主要可以分为四类：酸性废气、碱性废气、有机废气和有毒废气。废气危害：半导体制造工艺中产生的废气如果没有经过很好的
先进的半导体工艺：FinFET简介
FinFET简介 FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor；FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。闸长已可小于25奈米。该项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明教授。Fin是鱼鳍的意思，FinFET命名根据晶体管的形状
半导体集成电路的工艺保障
1)原材料控制。包括对掩膜版、化学试剂、光刻胶、特别对硅材料等原材料的控制。控制不光采用传统的单一检验方式，还可对关键原材料采用统计过程控制(statisticalprocesscontrol，SPC)技术，确保原材料的质量水平高，质量一致性好。 2)加工设备的控制。除采用先进的设备进行工艺加
半导体集成电路的制造工艺
集成电路在大约5mm×5mm大小的硅片上，已集成了一台微型计算机的核心部分，包含有一万多个元件。集成电路典型制造过程见图1。从图1,可以看到，已在硅片上同时制造完成了一个N+PN晶体管,一个由 P型扩散区构成的电阻和一个由N+P结电容构成的电容器,并用金属铝条将它们连在一起。实际上,在一个常用的
半导体工艺废气如何处理有效果
半导体行业中使用的清洗剂、显影剂、光刻胶、蚀刻液等溶剂中含有大量有机物成分，在工艺过程中，这些有机溶剂大部分通过挥发成为废气排放。其废气的主体是VOCs，同时废气中还混合了HCl、氨、HF等危险污染物。半导体有机废气处理办法采用RTO设备处理RTO蓄热式氧化炉是在高温下将可燃废气氧化成氧化物和水，净
「官网」2025深圳13届国际半导体蚀刻工艺展「半导体展会」
「官网」2025深圳13届国际半导体技术展「半导体展会」展会时间：2025年4月9日-11日论坛时间：2024年4月9日-11日举办地点：深圳福田会展中心 (深圳市福田中心区福华三路)展会规模： 面积10万平米，展商1800余家，展位3600多个，观众近10万人次展会报名：136 （李先生）中间四位
「官网」2025深圳13届国际半导体光刻工艺展「半导体展会」
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「官网」2025深圳13届国际半导体晶圆制造工艺展「半导体展会」
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三星开发半导体石墨烯新工艺
三星电子近日宣布，三星先进技术研究所(SAIT)与韩国成均馆大学合作开发出一种新合成方法，可大面积制备应用于半导体的晶圆级单晶石墨烯。应用该方法制备的半导体单晶，具有优异的电性能和机械性能。该研究负责人说，“我们预计这一发现将加速石墨烯的商业化，并可能开创消费电子技术的新时代。” 石墨烯具
分析半导体用水设备的工艺原理及发展
半导体用水工作原理： 1.水进入 EDI 系统，主要部分流入树脂 / 膜内部，而另一部分沿模板外侧流动，以洗去透出膜外的离子。 2.树脂截留水中的溶存离子。 3.被截留的离子在电极作用下，阴离子向正极方向运动，阳离子向负极方向运动。 4.阳离子透过阳离子膜，排出树脂 / 膜之外。
韩国三星首次研发5纳米半导体工艺
韩国《中央日报》发布消息称，三星电子已成功研发出5纳米(nm)半导体工艺，并于4月中正式量产首个利用极紫外光刻(EUV)的7纳米芯片。对于新一代半导体的精密工艺问题，三星电子与各企业间的技术较量也日趋激烈。 三星电子宣布成功开发的5纳米精密工艺采用了比现有的ArF更优越的EUV技术。与ArF工
半导体用水设备的处理系统及工艺流程
半导体用水是一种介于导体和绝缘体之间的材料，在半导体加工过程中需要使用水进行处理，该水质的要求比较高，不能含有任何离子杂质。半导体行业用超纯水设备采用先进的制水技术，有效去除水中杂质，保证设备的出水水质。 半导体用水主要用于高技术的工业生产过程，尤其是半导体这种要求较高的技术行业，对水质要求非
美国JPL介绍内容：太赫兹半导体及微加工工艺进展
在太赫兹高性能平面肖特基二极管的设计能力和制造工艺方面，美国弗吉尼亚二极管公司（VDI）首屈一指，它有着几十年的产品设计经验和一流的工艺生产线。其次是美国航空航天局（NASA）下属的喷气推进实验室（JPL）。在欧洲，德国的达姆施塔特技术大学和英国的卢瑟福国家实验室（RAL）也在进行平面肖特基二极管的
「官网」2025深圳13届国际封装/组装工艺展「半导体展会」
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官网」2025深圳13届国际先进封测工艺展「半导体展会」
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14张图看懂半导体工艺演进对DRAM、逻辑器件、NAND三大尖端...
14张图看懂半导体工艺演进对DRAM、逻辑器件、NAND三大尖端产品的影响近期笔者在清洗业务研讨会上发表了演讲。我不是一名清洗工艺专家，在演讲中介绍更多的是制造工艺的发展趋势及其对清洗的影响。我将在这篇文章中分享并进一步讨论那次演讲的内容，主要围绕DRAM、逻辑器件和NAND这三大尖端产品。DRAM
浅析适用于射频微波等高频电路的半导体材料及工艺－2
硅锗 SiGe 1980 年代 IBM 为改进 Si 材料而加入 Ge，以便增加电子流的速度，减少耗能及改进功能，却意外成功的结合了 Si 与 Ge。而自 98 年 IBM 宣布 SiGe 迈入量产化阶段后，近两、三年来，SiGe 已成了最被重视的无线通信 IC 制程技术之一。
2024深圳国际半导体封装材料与工艺展览会「时间+地点+介绍」
深圳电子元器件展，电子仪器仪表展，深圳电子仪器仪表展，电子元器件展，深圳电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，深圳电子仪器展，电仪器展览会，深圳继电器展，深圳电容器展，深圳连接器展，深圳集成电路展2024中国（深圳）国际半导体与封装设备展览会2024 China (Shenzhen)
浅析适用于射频微波等高频电路的半导体材料及工艺－1
半导体材料是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在 1mΩ·cm～1GΩ·cm 范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。按种类可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。随着无
半导体展会2024半导体展|半导体设备展|2024半导体材料展
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半导体展会2024上海半导体展|半导体设备展|2024半导体材料展
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
概述MBR工艺的工艺特点
与许多传统的生物水处理工艺相比， MBR 具有以下主要特点： 一、出水水质优质稳定 由于膜的高效分离作用，分离效果远好于传统沉淀池，处理出水极其清澈， 悬浮物和浊度接近于零，细菌和病毒被大幅去除 ，出水水质优于建设部颁发的生活杂用水水质标准（ CJ25.1-89 ），可以直接作为非饮用市政杂
三星电子与成均馆大学共同开发半导体石墨烯新工艺
三星电子近日宣布，三星先进技术研究所(SAIT)与韩国成均馆大学合作开发出一种新合成方法，可大面积制备应用于半导体的晶圆级单晶石墨烯。应用该方法制备的半导体单晶，具有优异的电性能和机械性能。该研究负责人说，“我们预计这一发现将加速石墨烯的商业化，并可能开创消费电子技术的新时代。” 石墨烯具
响应设备更新政策－|－半导体制造工艺、结构与表征解决方案
半导体制造工艺电动汽车等高新技术领域对高效动力转换的需求与日俱增，碳化硅与氮化镓材料扮演关键性角色,有效降低能耗并提升动力转换效率。牛津通过原子层沉积(ALD)与原子层刻蚀(ALE)技术优化了器件工艺。ALD工艺出色的 AlN/Al2O3/SiO2 钝化薄膜有效降低器件中的阈值电压漂移。而ALE低损
2025深圳半导体展会|半导体材料展会|半导体设备展会|
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全国官宣/半导体展会2024半导体展|半导体设备展|2024半导体材料展
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关于MBR工艺的工艺类型介绍
以下讨论的均为固液分离型膜 -生物反应器。 根据膜组件和生物反应器的组合方式，可将 膜 -生物反应器 分为分置式、一体式以及复合式三种基本类型 。 分置式膜 -生物反应器把膜组件和生物反应器分开设置。生物反应器中的混合液经循环泵增压后打至膜组件的过滤端，在压力作用下混合液中的液体透过膜，