砷化镓pn结注入式激光器的功能介绍

首台室温操作电注入式纳米激光器问世

　　以电为能源、可在室温下操作的纳米激光器经过长期的基础研究之后，首次验证成功。 　　由空军科学研究办公室和DARPA资助，宁春正(音译)博士及其团队在亚利桑那州立大学完成了保持该项工作未偏离摩尔定律的一些关键解决方案。 　　摩尔定律预言，在很长一段时期内，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每2年

红外光电测距仪的构造与组成

红外测距仪主要由调制光发射单元、接收单元、测相单元、计数显示单元、逻辑控制单元和电源变换器等部分组成。其光源通常为砷化稼(GaAs)半导体发光二极管。当有相当大的电流正向通过GaAs二极管的P-N结时，P-N结里就会发射出波长为0.72μm、0.94μm的近红外光，这是由于在掺杂的GaAs半导体中电

红外测距仪的结构组成

红外测距仪主要由调制光发射单元、接收单元、测相单元、计数显示单元、逻辑控制单元和电源变换器等部分组成。其光源通常为砷化稼(GaAs)半导体发光二极管。当有相当大的电流正向通过GaAs二极管的P-N结时，P-N结里就会发射出波长为0.72μm、0.94μm的近红外光，这是由于在掺杂的GaAs半导体中电

半导体激光器的发展过程

在1962年7月召开的固体器件研究国际会议上，美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯（Keyes）和奎斯特（Quist）报告了砷化镓材料的光发射现象，这引起通用电气研究实验室工程师哈尔（Hall）的极大兴趣，在会后回家的火车上他写下了有关数据。回到家后，哈尔立即制定了研制半导体激光器的计划，并与

上海微系统所镓砷铋量子阱激光器研究获进展

　　近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所镓砷铋（GaAsBi）量子阱激光器研究取得新进展。研究员王庶民领导的研究团队采用分子束外延方法生长了镓砷铋量子阱材料，并成功制备出目前发光波长最长（1.142微米）的电泵浦镓砷铋室温（300 K）量子阱激光器，突破之前1.06微米的世界纪录，脉冲激射最大

美开发出迄今最小砷化铟镓晶体管

　　硅半导体作为微芯片之王的日子已经屈指可数了，据物理学家组织网近日报道，美国麻省理工学院科学家开发出了有史以来最小的砷化铟镓晶体管。该校微系统技术实验室科研团队开发的这个复合晶体管，长度仅为22纳米。研究团队近日在旧金山举行的国际电子设备会议上介绍了该项研究成果。 　　麻省理工学院电气工程和计算

挪威研制最新半导体新材料砷化镓纳米线

　　挪威科技大学的研究人员近日成功开发出一种新型半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”，并申请了技术ZL，该复合材料基于石墨烯，具有优异的光电性能，在未来半导体产品市场上将极具竞争性，这种新材料被认作有望改变半导体工业新型设备系统的基础。该项技术成果刊登在美国科学杂志纳米快报上。 　　以Helge W

PN结半导体探测器的类型

　　　　扩散结(Diffused Junction)型探测器　　采用扩散工艺——高温扩散或离子注入 ；材料一般选用P型高阻硅，电阻率为1000；在电极引出时一定要保证为欧姆接触，以防止形成另外的结。　　金硅面垒(Surface Barrier)探测器　　一般用N型高阻硅，表面蒸金50～100μg/c

砷化镓太阳能电池有望打破能效记录

　　据美国物理学家组织网11月8日（北京时间）报道，美国科学家通过与传统科学研究相反的新思路，用砷化镓制造出了最高转化效率达28.4%的薄膜太阳能电池。该太阳能电池效率提升的关键并非是让其吸收更多光子而是让其释放出更多光子，未来用砷化镓制造的太阳能电池有望突破能效转化记录的极限。　　

超纯砷化镓电子态遵守量子力学法则

　　据美国每日科学网站7月27日报道，美国科学家成功制造出了超纯的砷化镓，并让其呈现出某种特殊的状态，在这种状态下，电子不再遵守单粒子的物理学法则而被它们之间的相互作用（由量子力学法则来解释）所掌控，这种超纯材料和状态都有望用于高速量子计算机的研究中。 　　量子计算机使用电子的量子力

PN结半导体探测器的工作原理

　　多数载流子扩散，空间电荷形成内电场并形成结区。结区内存在着势垒，结区又称为势垒区。势垒区内为耗尽层，无载流子存在，实现高电阻率，远高于本征电阻率 [4] 。　　在P-N结上加反向电压，由于结区电阻率很高，电位差几乎都降在结区。　　反向电压形成的电场与内电场方向一致。　　在外加反向电压时的反向电流

科学家研发出砷化镓晶片批量生产技术

　　新一期英国《自然》杂志报告说，美国研究人员研发出一种可批量生产砷化镓晶片的技术，克服了成本上的瓶颈，从而使砷化镓这种感光性能比硅更优良的材料有望大规模用于半导体和太阳能相关产业。　　据介绍，砷化镓是一种感光性能比当前广泛使用的硅更优良的材料，理论上它可将接收到的阳光的40%转

国电光伏砷化镓电池通过德国Fraunhofer－ISE检测机构认证

　　日前，国电光伏科技宣布，公司柔性薄膜砷化镓电池顺利通过德国Fraunhofer ISE检测机构(世界三大权威检测机构之一)认证。　　经检测，国电光伏柔性薄膜砷化镓电池转换效率达到34.5%(AM1.5G)，是目前世界上已报道的效率最高的柔性薄膜太阳能电池。　　据了解，通过国电光伏自主研发的独特工

锑化镓的应用

锑化镓（GalliumAntimonite,GaSb）是III-V族化合物半导体，属于闪锌矿、直接带隙材料，其禁带宽度为0.725eV（300K），晶格常数为0.60959nm。GaSbChemicalbook具有优异的物理化学性能，常被用做衬底材料，应用于8~14mm及大于14mm的红外探测器和激

微波功率晶体管相关介绍

　　微波功率晶体管可在微波频率下可靠地输出几百毫瓦至几十瓦的射频功率。这就要求晶体管在微波频率下具有良好的功率增益和效率。高频率和大功率是矛盾的，故微波功率晶体管的设计须从器件结构、物理参数、电学性能和热传导等各方面综合考虑。提高频率、功率性能的主要途径有:①提高发射极的“周长/面积比”，以提高单位

II族氧化物半导体光电子器件基础研究启动

　　近日，“973”计划项目“II族氧化物半导体光电子器件的基础研究”启动会在长春召开。中科院长春光机所、物理所、上海光机所和南京大学、中山大学、东南大学、吉林大学等单位将瞄准目前半导体领域的前沿和热点，把II族氧化物半导体作为主要研究对象，以期在短波长激光器件和紫外光电探测器等方面实现突

半导体所在砷化镓/锗中拓扑相研究方面获重要发现

　　中国科学院半导体研究所常凯研究组提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相。通过第一性原理计算和多带k.p理论成功地证明了GaAs/Ge极化电荷诱导的拓扑绝缘体相，这为拓扑绝缘体的器件应用又向前推进了一步。 　　拓扑绝缘体是目前凝聚态物理的前沿热点问题之一。它具有

新型半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”获得技术ZL

　　近日挪威科技大学的研究人员成功开发出一种新型半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”，并申请了技术ZL，该复合材料基于石墨烯，具有优异的光电性能，在未来半导体产品市场上将极具竞争性，这种新材料被认作有望改变半导体工业新型设备系统的基础。该项技术成果刊登在美国科学杂志纳米快报上。 　　以Helge

半导体激光器的发展

半导体物理学的迅速发展及随之而来的晶体管的发明，使科学家们早在50年代就设想发明半导体激光器，60年代早期，很多小组竞相进行这方面的研究。在理论分析方面，以莫斯科列别捷夫物理研究所的尼古拉·巴索夫的工作最为杰出。在1962年7月召开的固体器件研究国际会议上，美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯

微波振荡器分类（一）

微波振荡器分类体效应二极管振荡器在1963年美国国际商业机器公司（1BM）J.B.Gunn发现，砷化镓和磷化铟等材料的薄层具有负阻特性，因而无需P-N结就可以产生微波振荡。它的工作原理与通常由P-N结组成的半导体器件不同，它不是利用载流子在P-N结中运动的特性，而是利用载流子在半导体的体内运动的特性

水平石墨烯pn异质结阵列构建－及其光电探测研究获进展

　　传统半导体p-n异质结是双极型晶体管和场效应晶体管的核心结构，是现代集成电路技术的基础。同样，构建石墨烯p-n异质结也是未来发展基于石墨烯的集成电路和光电探测技术的关键。由于石墨烯材料单原子层厚度的限制，难以通过传统集成电路制造工艺中的离子注入技术，实现石墨烯材料的可控掺杂。另外，原位生长掺杂、

锑化镓的结构特点

锑化镓的结构组成

锑化镓的生产方法

把20g镓、34.94g锑放进石墨盘中，装入石英管内，并用氢气流充分置换掉空气之后，然后在氢气流中加热石英管至720～730℃使其化合。为了制得GaSb单晶，可Chemicalbook以从石英管中慢慢取出，使熔融状态的GaSb从盘的一端开始固化形成结晶。如欲制成半导体用GaSb时，所用原料盘及石英管

苏州纳米所基于高效砷化镓电池的聚光光伏发电系统获进展

　　基于高效砷化镓电池的聚光型光伏发电系统是未来光伏领域的重要发展方向，具有稳定、高效、低成本等诸多优越性。太阳能光伏发电厂有明显的节能减排效果，同时大大减小了土地使用面积，发电系统所覆盖的土地也可以间歇性的受到光照，不影响当地植被的生存，具有就近就地分散发供电，进入和退出电网灵活的

为中国式现代化建设注入新动能

原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/518686.shtm ■本报记者 冯丽妃 韩扬眉 “深入调查研究，积极建言资政，广泛凝聚共识，助力中国式现代化建设。”3月6日下午，习近平总书记看望参加全国政协十四届二次会议的民革、科技界、环境资

激光测距的方式和应用

激光测距（laser distance measuring）是以激光器作为光源进行测距。根据激光工作的方式分为连续激光器和脉冲激光器。氦氖、氩离子、氪镉等气体激光器工作于连续输出状态，用于相位式激光测距；双异质砷化镓半导体激光器，用于红外测距；红宝石、钕玻璃等固体激光器，用于脉冲式激光测距。激光测距

激光测距的方式及特点

激光测距（laser distance measuring）是以激光器作为光源进行测距。根据激光工作的方式分为连续激光器和脉冲激光器。氦氖、氩离子、氪镉等气体激光器工作于连续输出状态，用于相位式激光测距；双异质砷化镓半导体激光器，用于红外测距；红宝石、钕玻璃等固体激光器，用于脉冲式激光测距。激光测距

异型异质结单异质结激光器的结构特点

特点：P-N结区较大，且电子或空穴向结区外扩散严重，使形成粒子数反转较难，要求泵浦电流较大，且只能以脉冲方式工作。是早期的半导体激光器，目前已不采用此类结构。

光谱分析仪的光源二极管激光器介绍

二极管激光器(diode laser)技术取得了一些显著进展。二极管激光器体积小且廉价，具有开发激光原子光谱分析仪器的良好前景。目前，其主要的缺陷是在光谱蓝端发射的激光稳定性 不够，且使用寿命短。下图所示是典型的小型半导体激光器(300μm× 250μm× 125μm)的结构示意图。激光介质是一个空