国家863计划“6英寸SOIMEMS标准加工技术及应用”验收
4月9日，中国电子科技集团公司第十三研究所承担的863计划先进制造技术领域项目“6英寸SOI MEMS标准加工技术及在高性能MEMS器件中的应用”通过科技部组织的专家验收。验收会由科技部高技术研究发展中心组织，来自东南大学、北京大学、北京理工大学、同济大学、中北大学、长春光机所的相关专家参加了会议。 该项目针对航空航天、汽车、地质勘探、物联网等高端市场对高性能MEMS器件的迫切需求，突破了高精度体硅SOI结构关键工艺技术、体硅SOI圆片级封装技术、微小参数圆片级自动测试及低应力封装等关键技术，建立了圆片级在片测试系统，形成了适用于高性能MEMS器件加工的6英寸SOI MEMS标准工艺，实现了批量封装生产。 目前，6英寸SOI MEMS标准工艺和封装技术已经用于MEMS陀螺仪、加速度计、振动传感器、碰撞传感器、MEMS光开关、VOA及压力传感器等高性能MEMS器件的批量加工，已为国内多家MEMS设计单位提供了批量加工服......阅读全文
国家863计划“6英寸SOI－MEMS标准加工技术及应用”验收
4月9日，中国电子科技集团公司第十三研究所承担的863计划先进制造技术领域项目“6英寸SOI MEMS标准加工技术及在高性能MEMS器件中的应用”通过科技部组织的专家验收。验收会由科技部高技术研究发展中心组织，来自东南大学、北京大学、北京理工大学、同济大学、中北大学、长春光机所的相关专家参加了
RF前端需要怎样的工艺和技术？（三）
解决方案今天，手机的功率放大器主要使用砷化镓（GaAs）技术。几年前，OEM从GaAs和蓝宝石（SoS）迁移到RF开关的RF SOI。GaAs和SoS是SOI的一个变体，它们变得太贵了。RF SOI不同于完全耗尽型SOI（FD－SOI），适用于数字应用。与FD－SOI类似，RF SOI的衬底
RF前端需要怎样的工艺和技术？（一）
RF器件和工艺技术的市场正在升温，特别是对于智能手机中使用的两个关键组件——RF开关器件和天线调谐器。RF器件制造商及其代工合作伙伴继续推出基于RF SOI工艺技术的传统RF开关芯片和调谐器，用于当今的4G无线网络。最近，GlobalFoundries为未来的5G网络推出了45nm RF S
SOI集成电路的封装特点
SOI(small out-line I-leaded package)I 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装双侧引出向下呈I 字形，中心 距 1.27mm。贴装占有面积小于SOP。日立公司在模拟IC(电机驱动用IC)中采用了此封装。引 脚数 26。
射频MEMS移相器
1、引言微波移相器是相控阵雷达、卫星通信、移动通信设备中的核心组件，它的工作频带、插入损耗直接影响着这些设备的抗干扰能力和灵敏度，以及系统的重量、体积和成本，因此研究宽带、低插损的移相器在军事上和民用卫星通信领域具有重要的意义。近年来，随着RF MEMS开关的研究不断取得进展，使MEMS开关替代
MEMS－CHINA－2012－展会预告
MEMS CHINA 2012 展会预告 铂悦仪器将于2012年6月11-13日参加在上海光大会展中心(上海徐汇区漕宝路66号)举办的MEMS CHINA 2012，展位号：207，届时将展出布鲁克台阶仪，光学轮廓仪、牛津激光钻孔机、 金相研磨切割机等。欢迎您莅临参观! 展会具体
MEMS激光扫描投影技术
你能想象现在的科学技术已经可以把之前几十公斤重的激光雷达塞进一块比指甲盖还小的芯片中而且还能完成同样的工作吗?利用新世纪的集成电路和 3D 加工技术，一块小小的芯片能够承载比我们以往任何时代都多的功能，而这一技术的潜在应用领域也让芯片业巨头挤破了头去收购相关技术。 2012 年，微机电系统(MEM
MEMS振荡器的特点
特点与传统石英相比，全硅MEMS振荡器不管从生产工艺还是组件设计结构上，都更符合现代电子产品的标准，也是对传统石英产品的升级换代。* 高性能模拟温补技术使全硅MEMS振荡器具有优秀的全温频率稳定性，彻底解除温飘问题；* 可编程的平台为系统设计和缩短新产品开发周期提供必要的灵活性；* 完善的半导体生产
MEMS振荡器的介绍
MEMS振荡器是指通过微机电系统制作出的一种可编程的硅振荡器。中文名 MEMS振荡器 外文名 MEMS oscillator介绍MEMS振荡器是指通过微机电系统制作出的一种可编程的硅振荡器，属于我们通常所说的有源晶振。它是对传统石英晶振产品的一个升级更新换代，防震效果是前者的25倍，具有不受振动影响
MEMS振荡器的目标
目标MEMS振荡器可以利用现有硅半导体行业所使用的制造技术和设备，让半导体行业能在代工环境中集成MEMS。Sitime公司将以MEMSFirst技术进入时钟管理器件市场，下一代集成度更高的解决方案将包括MEMS振荡器和在同一硅晶圆上制造的超大规模集成电路控制功能。Sitime公司已与Jazz半导体公
上海微系统所举办首期“新微技术论坛”
12月3日至4日，由中科院自动化所、中国计算机学会和中国人工智能学会联合主办、自动化所模式识别国家重点实验室承办的第六届中国生物识别学术会议在北京成功召开，来自国内外30多所高校和科研院所的100名科研人员共聚一堂，交流和探讨了人脸、虹膜、指纹、掌纹、步态、静脉、语音等多种模态生物特征识别的前沿
基于MEMS磁传感器设计及制作（一）
由于磁性传感技术不会受到灰尘、污垢、油脂、振动以及湿度的影响，因此磁传感器在工业设备和电子仪器中有着广泛的应用，如磁共振成像、生产的自动控制、流程工业、煤矿勘探、电流测量、缺陷定位和铁磁材料剩余应力检测等方面。为了满足不同场合的应用，已根据不同传感原理制备了相应的磁传感器，常见的有超导量子干涉装置（
直播预告|中国科学院上海微系统所研究员李铁报告
直播时间：2024年8月9日（周五）20:00-21:30直播平台：科学网APPhttps://weibo.com/l/wblive/p/show/1022:2321325065465381912667（科学网微博直播间链接）科学网微博科学网视频号北京时间2024年8月9日晚八点，iCANX Tal
除了低功耗与低成本－FDSOI还有什么优势？（二）
沈磊表示，与FinFET工艺相比，FD-SOI工艺所需掩膜版更少，费用更节省，出片也更快。设计方案从体硅工艺迁移也更简便快捷。 IBS 首席执行官Handel Jones则比较了16/14纳米FinFET与14纳米FD SOI的晶圆成本与单位晶体管成本，根据他的计算，14纳米FD-SO
除了低功耗与低成本－FDSOI还有什么优势？（一）
“多年以后我们写半导体发展史的话，28纳米节点一定是浓墨重彩的一笔，它背后有很多的故事。”在2016 FD-SOI论坛上，复旦微电子总工程师沈磊如是说。的确，28纳米以后逻辑工艺开始分岔：立体工艺FinFET由于获得英特尔与台积电的主推成为主流，14/16纳米都已量产，10纳米工艺也
八英寸SOI/铌酸锂异质集成技术新进展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/519020.shtm近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称微系统所）硅基材料与集成器件实验室研究员蔡艳、欧欣合作，利用上海微技术工业研究院标准180 nm硅光工艺在八英寸 SOI上制备了硅光
压电MEMS超声波换能器设计（一）
本文为OnScale与Mentor合作推出，由行业专家撰写，文章详细介绍了压电MEMS超声波换能器产品的设计过程，包括传感器的仿真、设计以及它与整个系统的集成。了解系统我们正在开发一种槽罐液位监测系统。该系统可以安装在啤酒厂、酿酒厂和其他饮料厂的物联网边缘设备中，用以收集液位的状态，并可主动通知技术
电磁驱动大尺寸MEMS扫描镜（一）
电磁驱动大尺寸MEMS扫描镜的研究何嘉辉1,2, 周鹏2, 余晖俊2, 沈文江2, 司金海1 摘要：基于微机电系统工艺，设计并制作了一种电磁驱动大尺寸的二维扫描振镜.分析了两种不同的电磁驱动方式产生的力的大小，选择驱动力较大的双极子方式作为驱动.运用有限元法模拟了器件的谐振频率静态及动态响应，
电磁驱动大尺寸MEMS扫描镜（二）
扫描振镜的运动过程可以采用质量-阻尼-弹簧的二阶振动系统方程来表达，运动方程为T=Imθ¨+Cθ˙+Ksθ(1)式中，T为驱动力力矩，Im为振镜的转动惯量，C为阻尼系数，Ks为扭转轴的弹性常量，θ为转动角度.扭转轴的弹性常量计算公式为Ks=2[5.33−3.36ba(1−b412a4)]ab3GLf
压电MEMS超声波换能器设计（二）
当微控制器设置SR锁存器时，飞行时间（ToF）功能启动，SR锁存器开始在采样保持积分器上累积电荷。同时，微控制器按PMUT设计的谐振频率产生一系列脉冲（122kHz）。因为核心电源电压为2.5V，而根据PMUT的要求必须升高至32V，所以使用电荷泵DC-DC转换器和数字电平转换器将脉冲放大至
电磁驱动大尺寸MEMS扫描镜（三）
4 振镜的测试MEMS扫描镜扫描角度的测量原理为激光三角法[13]，即当一束激光照射至扫描镜表面，当扫描镜静止时，激光会发生反射，同时在接收屏上形成激光光斑，当扫描镜振动时，激光光斑变为一条直线.若扫描镜到接收屏的距离为S，扫描线的长度为L，扫描线顶端到基准点的距离为H，则扫描角度可以表示为θmax
MEMS陀螺仪应用与原理介绍
一定的初始条件和一定的外在力矩作用下，陀螺会在不停自转的同时，还绕着另一个固定的转轴不停地旋转，这就是陀螺的旋进（precession），又称为回转效应（gyroscopic effect）。 陀螺仪的种类很多，按用途来分，它可以分为传感陀螺仪和指示陀螺仪。传感陀螺仪用于飞行体运动的自动控制系
一种基于SOI量子点异质结的红外探测器
红外探测对环境的适应性优于可见光，可在夜间及恶劣环境下工作，且红外探测隐蔽性好，比雷达和激光探测更安全，对伪装目标识别率更高，此外与雷达系统相比，红外系统具有体积小、重量轻、功耗低等优点，因此在军事上红外探测可应用于红外夜视、红外制导、红外侦查、红外报警等应用；红外探测技术不仅在军事方面有很多应用，
上海微系统所在300－mm－SOI晶圆制造技术方面实现突破
近日，上海微系统所魏星研究员团队在300 mm SOI晶圆制造技术方面取得突破性进展，制备出了国内第一片300 mm 射频（RF）SOI晶圆。团队基于集成电路材料全国重点实验室300 mm SOI研发平台，依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉
国家基金委领导现场考核上海微系统所创新群体项目
考核会现场 10月26日，国家自然科学基金委副主任孙家广院士一行九人对中科院上海微系统与信息技术研究所创新研究群体项目“微纳系统材料、制造与器件物理”进行了现场考核。上海微系统所长王曦院士等群体项目参与人员参加了现场考核会。 封松林研究员代表创新群体项目组在纳米材料与纳米效应、高
近物所离子联合注入单晶硅制备SOI材料研究获进展
中科院近代物理研究所科研人员将320 kV高压平台提供的氦离子和氧离子联合注入单晶硅，研究氦离子注入所导致的氦泡和纳米空腔与氧原子的相互作用机理，获得进展。 实验中，科研人员首先向单晶硅中注入30 keV、3×1016/cm2的氦离子，然后将样品切成两块：一块做退火处理，退火温
MEMS技术在海洋观测中的应用（二）
二、MEMS现状基于各种原因，许多MEMS产品在商业上取得了巨大成功，其中许多器件已经获得广泛应用。汽车工业是MEMS技术的主要驱动力之一。例如MEMS振动结构陀螺仪，是一款新的相当便宜的设备，目前用于汽车防滑或电子稳定控制系统中。村田电子的SCX系列MEMS加速度计、陀螺仪和倾斜仪，以及将这些功能
物联网与MEMS应用论坛在上海召开
第四届微米纳米技术创新与产业化国际研讨展览会暨物联网与MEMS应用论坛在上海召开 11月23至24日，由国家发展和改革委员会、科技部、高技术研究发展项目（863项目）、国家自然科学基金委、中国仪器仪表学会暨微纳器件与系统技术分会、上海物联网中心共同主办, 中国科学院上海微系统与信息
MEMS振荡器技术及其应用研究
随着电子系统小型化、集成化的速度不断加快,对小型化、可集成的高性能振荡器的研究成为热点。而MEMS谐振器以其高Q值、可集成、抗冲击性好等优点,为研制出小型化、可集成的高性能振荡器提供了可能。由于MEMS谐振器的动态阻抗和Q值对MEMS振荡器的设计与性能有着重要的影响,本文以得到低动态阻抗和高Q值ME
后疫情时代，中国MEMS企业如何破局？
后疫情时代，中国MEMS企业如何破局？且看中国MEMS制造大会！ 2022年，珠三角、长三角、京津冀地区半导体产业接连受新冠疫情影响，带来汽车电子、消费电子类芯片产能极度紧缺，可谓“一芯难求”，同时也给国内半导体、MEMS领域中小企业的生存带来极大的挑战。既是挑战，亦是机遇，如何在后疫情