中国科大首次观测到多体配对赝能隙
【中国科学技术大学的潘建伟、姚星灿、陈宇翱等科学家们，在基于强相互作用的均匀费米气体研究中取得突破，首次观测到由多体配对产生的赝能隙。这项研究在《自然》杂志上发表，题为《幺正费米气体中赝能隙的观测和量化》。能隙的产生是超导的典型特征，通常存在于超导相变温度以下。然而，铜氧化物高温超导体的发现表明，超导相变温度以上仍然存在能隙，被称为赝能隙。赝能隙的起源和性质对于理解高温超导机理至关重要。学术界普遍认为赝能隙可能源自超导相变温度以上的电子多体预配对或在高温超导体中出现的多种量子有序相，如反铁磁序、条纹序和配对密度波等。然而，由于真实高温超导材料的复杂性，各种可能的机制相互竞争，难以明确哪种机制起作用。在强相互作用（幺正）极限下的超冷费米气体中进行研究提供了理想的量子模拟平台。这种体系具有费米原子之间强烈吸引相互作用的特点，为多体配对创造了有利条件，并且可以避免多种量子有序相之间的竞争。因此，在这个体系中观测到赝能隙将为多体配对机制......阅读全文
中国科大首次观测到多体配对赝能隙
【中国科学技术大学的潘建伟、姚星灿、陈宇翱等科学家们，在基于强相互作用的均匀费米气体研究中取得突破，首次观测到由多体配对产生的赝能隙。这项研究在《自然》杂志上发表，题为《幺正费米气体中赝能隙的观测和量化》。能隙的产生是超导的典型特征，通常存在于超导相变温度以下。然而，铜氧化物高温超导体的发现表明，超
赝能隙或是高温超导体的新相位
通过多年的观察，美国纽约州立大学宾汉姆顿学院物理学家迈克尔·劳勒和同事找到了解开高温超导领域所谓“赝能隙”现象的关键“钥匙”。“赝能隙”或许是高温超导物质的另外一个相位（phase）。新发现或将推进室温超导研究的发展。 高温超导是指材料在某个相对较高的临界温度，电阻突降至零
物理所首次观测到有能隙的自旋子
量子自旋液体是凝聚态物理学家追寻已久的新奇物质形态。它由诺贝尔奖得主P. W. Anderson在70年代首次提出，80年代末被用来尝试解释当时刚发现的高温超导现象。传统的物质形态可以用能带理论和对称性自发破缺理论来描述，而自旋液体作为没有对称性破缺的量子物质形态需要用新的理论框架来描述。这个新
拉伸二硫化钼晶体造出能隙可变半导体
这张放大1万倍的图片显示，一个电子器件上雕刻出了高低不平的“山峰”和“山谷”，铺在上面的二硫化钼经过拉伸后，形成了一种拥有可变能隙的人工晶体。 近日，美国斯坦福大学一科研团队首次通过拉伸二硫化钼的晶体点阵，“扯”出能隙可以变化的半导体。利用这种半导体，科学家有望制造出能够吸收更多光能的太阳能
科学家首次观测到多体配对赝能隙
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517393.shtm中国科学技术大学潘建伟院士、姚星灿教授、陈宇翱教授等人基于强相互作用的均匀费米气体，首次观测到了由多体配对产生的赝能隙。这项研究首次确立了配对赝能隙的存在，为高温超导机理中的电子预配对
物理所预言新型二维大能隙拓扑绝缘体
众所周知，二维拓扑绝缘体的体内是绝缘的，而其边界是无能隙的金属导电态。且这种金属态中存在自旋－动量的锁定关系，相反自旋的电子向相反的方向运动，由于受到时间反演不变性的保护，它们之间的散射是禁止的，因此是自旋输运的理想“双向车道”高速公路，可用于新型低能耗高性能自旋电子器件。当前实验证实的二维拓扑
宽带隙太阳能电池材料及其叠层器件研究获进展
聚合物太阳能电池具有质量轻、柔性及低成本等独特的优势，近10多年来受到世界各国科学工作者的广泛关注。如何在拓宽材料分子吸收的同时，保持高开路电压是有机光伏领域一个重要研究内容。采用叠层器件结构将两个具有不同吸收范围的单结电池串联起来，可以同时实现宽吸收光谱与高开路电压，是提升有机太阳能电池效率的
宽带隙太阳能电池材料及其叠层器件研究获进展
聚合物太阳能电池具有质量轻、柔性及低成本等独特的优势，近10多年来受到世界各国科学工作者的广泛关注。如何在拓宽材料分子吸收的同时，保持高开路电压是有机光伏领域一个重要研究内容。采用叠层器件结构将两个具有不同吸收范围的单结电池串联起来，可以同时实现宽吸收光谱与高开路电压，是提升有机太阳能电池效率的
赝能隙会“抢走”高温超导体中的电子－减弱其超导性
美国科学家发现了物质的神秘状态赝能隙与高温超导性相互竞争的首个直接证据：赝能隙“抢走”了高温超导体中的电子——这些电子本来可以配对并以百分之百的效率让电流通过超导材料。这项研究由斯坦福大学和美国能源部斯坦福直线加速器中心的科研人员主导，研究结果近日发表在《自然·材料》中。 上世纪90年代中期，
阴离子隙生化检验
阴离子隙（AG）是指细胞外液中所测的阳离子总数和阴离子总数之差。 计算公式为：AG=（Na++K+）～（Cl～+HCO3～），一般是利用血清中的电解质含量运算。血清K+浓度较低，且较恒定，对AG影响轻微，故上述公式可简化为AG=Na+ ～（Cl～+HCO3～）。AG正常参考值为8～16mol/L，
阴离子隙生化检验
阴离子隙（AG）是指细胞外液中所测的阳离子总数和阴离子总数之差。计算公式为：AG=（Na++K+）～（Cl～+HCO3～），一般是利用血清中的电解质含量运算。血清K+浓度较低，且较恒定，对AG影响轻微，故上述公式可简化为AG=Na+ ～（Cl～+HCO3～）。AG正常参考值为8～16mol/L，平均
阴离子隙生化检验
阴离子隙（AG）是指细胞外液中所测的阳离子总数和阴离子总数之差。计算公式为：AG=（Na++K+）～（Cl～+HCO3～），一般是利用血清中的电解质含量运算。血清K+浓度较低，且较恒定，对AG影响轻微，故上述公式可简化为AG=Na+ ～（Cl～+HCO3～）。AG正常参考值为8～16mol/L，平均
阴离子隙的定义
阴离子间隙可根据血浆中常规可测定的阳离子(Na+)与常规测定的阴离子(Cl-和HCO3-)的差算出，即AG=[Na+]－{[Cl-]+[HCO3-]}。AG的正常值为10--14mmol/l，平均值为12mmol/l。目前多以AG>16mmol/l作为判断是否有AG增高型代谢性酸中毒的界限。
物理所在铁基超导体中发现明显的能隙各向异性
最近，中科院物理研究所闻海虎研究员等从体测量的角度明确证明了铁基超导体FeSe0.45Te0.55中能隙有各向异性，并且精确测定了能隙振荡的方式和角度。该工作发表于【B. Zeng et al., Nature Communications 1:115 (2010)】。 自从2
研究发现利用硅烯插层打开外延生长的双层石墨烯能隙
石墨烯因其独特的晶格结构而具有诸多优异性能，但其零能隙特征极大地限制了它在电子学器件上的应用。近年来，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心纳米物理与器件重点实验室研究员、中科院院士高鸿钧带领的研究团队在石墨烯及类石墨烯二维原子晶体材料的制备、物性调控及应用等方面开展研究，取得了一系列
铁基高温超导体电子结构与超导能隙研究取得新进展
2008年发现的铁基超导体其超导转变温度最高可达55K，是继1986年发现的铜氧化物高温超导体之后发现的第二类新的高温超导体系。它的发现，为高温超导电性的研究开辟了一个新的方向。与铜氧化物高温超导体的研究类似，铁基超导体研究的核心问题是理解其高温超导电性产生的机理。对材料电子结构
什么是放电保护球隙？
放电球隙测试仪是一对直径相同的球形电极 由高压试验变压器，控制台，稳压器，耐水等成套设备组成后，可用于工频高压试验中试验样品的高压测量和保护成套试验设备包括高压试验变压器，控制台，稳压器，以及球隙，耐水和试验对象型放电球隙式压力表（卧式），其结构由：活动底座，绝缘支架，铜球，调节轴，紧固螺钉
阴离子隙的正常范围
问：采用公式Na-（C1+CO2）的阴离子隙的正常范围是什么？要采用公式（Na+K）-（C1+CO2）吗？采用哪一种？ 答：阴离子隙的定义指的是阳离子钠和阴离子氯及碳酸氢盐之间的差异，通常用[Na+—（Cl-+HCO3-）]计算。其他血中存在但不包括在阴离子隙计算内的阳离子包括钾、
关于腔隙性梗死的介绍
腔隙性脑梗死是长期高血压引起脑深部白质及脑干穿通动脉病变和闭塞，导致缺血性微梗死，缺血、坏死和液化脑组织由吞噬细胞移走形成腔隙。梗死灶较小，直径一般不超过1．5厘米。这种梗死多发生在脑的深部，尤其是基底节区、丘脑和脑桥。 腔隙性脑梗死最常见的原因是高血压病；其次为糖尿病和高脂血症。目前报道的腔
研究发现超带隙透明导体
透明导体因兼具导电性与透明性，广泛应用于触控屏、太阳能电池、发光二极管、电致变色及透明显示等光电器件，成为现代信息与能源技术中不可或缺的材料。目前，主流透明导体来源于掺杂如半导体或绝缘体等原本透明的带隙材料，掺杂过程以牺牲部分透明性来实现导电性。因此，导电性与透光性之间相互制衡。为突破这一局限，此前
腔隙性脑梗死如何预防？
控制高血压：高血压是导致腔隙性脑梗死的主要危险因素之一，因此需要积极控制血压。建议定期测量血压，如果血压偏高，应及时采取措施进行降压治疗。 控制血脂：高血脂也是导致腔隙性脑梗死的危险因素之一，因此需要控制血脂水平。建议定期检查血脂，如果血脂偏高，应采取相应的措施进行降脂治疗。 戒烟限酒：吸烟
腔隙性脑梗死的概述
腔隙性脑梗死(lacunarinfarction)发生于脑深穿通动脉（或其他微小动脉）的缺血性微梗死（或软化灶），经慢性愈合后所形成的不规则腔隙，是老年人的常见病，高发年龄组在60～70岁。男性多于女性，为女性的2～6倍。白天发病者居多，多数无明显诱因，常见于亚急性和慢性起病，症状一般于12h至
宽带隙半导体材料的特性
氮化镓、碳化硅和氧化锌等都是宽带隙半导体材料，因为它的禁带宽度都在3个电子伏以上，在室温下不可能将价带电子激发到导带。器件的工作温度可以很高，比如说碳化硅可以工作到600摄氏度；金刚石如果做成半导体，温度可以更高，器件可用在石油钻探头上收集相关需要的信息。它们还在航空、航天等恶劣环境中有重要应用。广
腔隙性梗死的辅助检查
CT可见内囊基底节区、皮质下白质单个或多数圆形、卵圆形或长方形低密度病灶，边界欠清晰，无占位效应，增强可出现轻度斑片状强化；CT检查最好在发病7日内进行，以除外小量出血。MRI可显示脑干腔隙病灶，呈T1低信号、T2高信号，MRI脑横断面、矢状位和冠状位扫描可准确定位病灶。CT和MRI也可能未发现
阴离子隙（AG）的决定水平
参考值 8～16mmol/L 决定水平 临床意义及措施 4mmol/L 低于此水平的值均在参考值下限以下，所以各种能引起AG下降的原因均应加以考虑，如在低白蛋白血症中未测定的阴离子渡度偏低，在M-蛋白血症中未测定的阳离子浓度增加等。 20mmol/L 高于此水平的值，属明显增高，应认真
阴离子隙的临床意义
临床上利用血清主要阴、阳离子的测定值即可算出AG值，它对代谢性酸中毒的病因及类型的鉴别诊断有一定的价值。在疾病过程中，因代谢紊乱，酸性产物增加，导致代谢性酸中毒症状最为多见。缺氧时乳酸产生过多；患者不能进食或糖尿病时等脂肪代谢紊乱，导致酮体增加；菌血症、烧伤等组织大量破坏，蛋白质分解，使得含硫产
怎样预防腔隙性脑梗塞？
1.预防性治疗 对有明确的缺血性卒中危险因素，如高血压、糖尿病、心房纤颤和颈动脉狭窄等应尽早进行预防性治疗。可给予抗血小板药阿司匹林、噻氯匹定，对脑卒中二级预防有肯定效果，推荐应用；长期用药要有间断期，出血倾向者慎用。 2.针对可能的病因积极预防 （1）应将高血压患者的血压控制在一个合理水
宽带隙半导体材料的特征
氮化镓、碳化硅和氧化锌等都是宽带隙半导体材料，因为它的禁带宽度都在3个电子伏以上，在室温下不可能将价带电子激发到导带。器件的工作温度可以很高，比如说碳化硅可以工作到600摄氏度；金刚石如果做成半导体，温度可以更高，器件可用在石油钻探头上收集相关需要的信息。它们还在航空、航天等恶劣环境中有重要应用。广
腔隙性梗死的疾病描述
腔隙性梗死是长期高血压引起脑深部白质及脑干穿通过动脉病变和闭塞，导致缺血性微梗死，缺血、坏死个液化脑组织由吞噬细胞移走形成腔隙。腔隙性梗死约占脑梗死的20％，由于病变很小，常位于脑相对静区，许多病例临床上不能确认；多达3/4的尸检病例证实，生前无卒中史和检查无明确神经功能缺损证据。Fisher自
生化检测项目阴离子隙介绍
阴离子隙介绍： 阴离子隙是指血清中所测定的阳离子总数与阴离子总数之差，它可鉴别不同类型的代谢性酸中毒。通常以(Na+ -C1- —HC03- )表示。这是判断代谢性酸中毒的重要指标，对许多潜在的致命性疾病的诊断可提供重要线索。阴离子隙正常值： AG=(Na++K+)-(Cl--HCO3-)，一般