新款晶圆问世|硅基化合物光电集成技术大突破

据中国光谷消息,全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在九峰山实验室下线。此项成果使用8寸SOI硅光晶圆键合8寸铌酸锂晶圆,单片集成光电收发功能,为目前全球硅基化合物光电集成最先进技术。近年来,由于5G通信、大数据、人工智能等行业的强力驱动,光子集成技术得到极大关注。公开资料显示,光子集成的概念类可以比于电子集成(集成电路技术),其核心是将光学系统集成到一颗芯片上的技术体系。光子集成芯片可将光学系统的体积缩小上千倍、重量降低上千倍,被认为是未来信息产业发展的关键使能技术。目前主流的光子集成芯片可以根据其材料体系分为介质材料光子集成体系、三五族光子集成体系、硅光子集成体系、铌酸锂光子集成体系等。不同的材料体系各有其优缺点。铌酸锂以其大透明窗口、低传输损耗、良好的光电/压电/非线性等物理性能以及优良的机械稳定性等被认为是理想的光子集成材料,而单晶薄膜铌酸锂则为解决光子集成芯片领域长期存在的低传输损耗、高密度集成以及低调制功耗需求提供......阅读全文

单晶炉:半导体-晶圆制造的头道工序设备

半导体设备对整个半导体行业起着重要的支撑作用。因半导体制造工艺复杂,各个环节需要的设备也不同,从流程工序分类来看,半导体设备主要可分为晶圆制造设备(前道工序)、封装测试设备(后道工序)等。本文是半导体设备专题栏目的第 1 篇文章,介绍晶圆制造的头道工序设备——单晶炉。直拉式单晶硅生长炉是一种高效率制

晶圆产能遭遇瓶颈-比亚迪半导体本次上市宣告终止

近日,比亚迪公告称终止推进子公司比亚迪半导体本次分拆上市事项,后者拟开展大规模晶圆产能投资建设,以应对车规级功率半导体模块产能瓶颈。11月15日,比亚迪董事会审议通过《关于终止分拆所属子公司比亚迪半导体股份有限公司至创业板上市的议案》,宣布终止推进比亚迪半导体此次分拆上市事项,并撤回相关上市申请文件

2024深圳国际晶圆级封装展览会「时间+地点+介绍」

深圳电子元器件展,电子仪器仪表展,深圳电子仪器仪表展,电子元器件展,深圳电子设备展,电子设备展,电子元器件展览会,电子仪器展,深圳电子仪器展,电仪器展览会,深圳继电器展,深圳电容器展,深圳连接器展,深圳集成电路展2024中国(深圳)国际半导体与封装设备展览会2024 China (Shenzhen)

何为晶圆级处理器?其性能有多大提升?

用整个硅片来制造处理器似乎是一个奇怪的想法,但一项新的研究表明,晶圆级芯片可以比同等的多芯片模块MCM的性能好一个数量级,同时提供更好的能效。晶圆级集成(WSI)的概念相当简单:不是制造一个装满芯片的晶圆,而是将它们分开,然后将它们重新连接在一起,放在多芯片模块或封装的印刷电路板(PCB)上

上海微系统所在300-mm-SOI晶圆制造技术方面实现突破

  近日,上海微系统所魏星研究员团队在300 mm SOI晶圆制造技术方面取得突破性进展,制备出了国内第一片300 mm 射频(RF)SOI晶圆。团队基于集成电路材料全国重点实验室300 mm SOI研发平台,依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉

半导体乍暖还寒-降价潮席卷晶圆代工厂

  半导体晶圆代工降价潮开始从二线厂向一线蔓延,从成熟制程向先进制程扩散。  台积电7nm制程降价,降幅5%-10%左右,以缓解产能利用率下滑的状况。  此前曾有消息指出,台积电明年将针对部分成熟制程恢复价格折让,折让幅度在2%左右,但当时代工价格并未调降,价格折让主要是在光罩费用折抵,本次的7nm

华中科大发表光学晶圆缺陷检测领域系统综述

受SCIE期刊《极端制造》极端制造编辑部邀请,华中科技大学教授刘世元团队近日在该刊上发表了《10nm及以下技术节点晶圆缺陷光学检测》的综述文章,对过去十年中与光学晶圆缺陷检测技术有关的新兴研究内容进行了全面回顾。 随着智能终端、无线通信与网络基础设施、智能驾驶、云计算、

华中科大发表光学晶圆缺陷检测领域系统综述

  受SCIE期刊《极端制造》极端制造编辑部邀请,华中科技大学教授刘世元团队近日在该刊上发表了《10nm及以下技术节点晶圆缺陷光学检测》的综述文章,对过去十年中与光学晶圆缺陷检测技术有关的新兴研究内容进行了全面回顾。  随着智能终端、无线通信与网络基础设施、智能驾驶、云计算、智慧医疗等产业的蓬勃发展

英特尔已能够生产用于量子计算芯片的全硅晶圆

  去年,英特尔向量子计算的商业化迈出了一小步,拿出了17个量子位超导芯片,随后CEO Brian Krzanich在CES 2018上展示了一个具有49个量子位的测试芯片。与此前在英特尔的量产努力不同,这批最新的晶圆专注于自旋量子位而非超导量子位。这种二次技术仍然落后于超导量子力度,但可能更容易扩

一文读懂IC设计/晶圆/纳米制程/封装都是啥?(二)

  纳米制程是什么?  三星以及台积电在先进半导体制程打得相当火热,彼此都想要在晶圆代工中抢得先机以争取订单,几乎成了 14 纳米与 16 纳米之争,然而 14 纳米与 16 纳米这两个数字的究竟意义为何,指的又是哪个部位?而在缩小制程后又将来带来什么好处与难题?以下我们将就纳米制程

我国首台核心部件100%国产高端晶圆激光切割设备问世

  高端智能装备是国之重器,是制造业的基石,尤其是半导体领域内高端智能装备,在国民经济发展中具有举足轻重的作用。手机、电脑、汽车等产品的芯片,离不开半导体。  据中国光谷微信公众号7月11日消息,华工激光半导体产品总监黄伟介绍,近期,该公司制造出我国首台核心部件100%国产化的高端晶圆激光切割设备,

水滴角测量仪应用芯片半导体行业(晶圆wafer)的关键

半导体芯片行业特别是晶圆制程中对于清净度的要求非常高,只有符合要求的晶圆才可视为合格品。作为测试等离子清洗效果评估的唯一手段,水滴角测量仪是评估晶圆品质的最有效的工具。2018年以来,中国的芯片行业得到了迅速发展,因而,对于水滴角的测试提出了更高要求。根据水滴角测试基本原理:固体样品表面因本身存在的

一文读懂IC设计/晶圆/纳米制程/封装都是啥?(一)

  大家都是电子行业的人,对芯片,对各种封装都了解不少,但是你知道一个芯片是怎样设计出来的么?你又知道设计出来的芯片是怎么生产出来的么?看完这篇文章你就有大概的了解。  复杂繁琐的芯片设计流程  芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样,先有晶圆作为地基,再层层往上叠的芯片制造流程后,就可产出必

上海微系统所等晶圆级高精度瞬态生物光刻研究获进展

  近日,中国科学院上海微系统所传感技术国家重点实验室陶虎课题组,联合复旦大学附属华山医院神经外科、江苏科技大学蚕业研究所等研究机构的科研人员,开发出对紫外光敏感且分子量均一的蚕丝蛋白轻链溶液,并基于该溶液,结合传统紫外光刻工艺,实现了晶圆级高精度绿色瞬态生物光刻。相关成果以Precise Prot

投资1500万美元-韩国晶圆检测设备项目进驻青岛高新区

  日前,青岛高新区与韩国江友科技株式会社就晶圆检测分选一体化设备项目举行签约仪式,市委常委、副市长、高新区工委书记张惠,管委副主任赵士玉,韩国江友科技株式会社社长金大准及高新区投资促进局相关负责同志出席了签约仪式。  投资方韩国江友科技株式会社是生产晶圆分选一体化设备的专业公司,拥有多项

如何在电浆蚀刻制程中控制晶圆的制程均匀度?

  为了达成良率与元件效能需求,控制制程变异性,取得可重复的稳定结果是非常重要的。随着技术节点的进展,以及设计规则的改变,业界需要更严格的制程控制。有许多因素会造成变异性,所有的案例一般可归纳为:在晶粒中、晶圆、晶圆到晶圆、以及腔体到腔体。  通常,晶圆变异只能低于整体变异性的三分之一。例如

粗晶,准晶,液晶,非晶,纳米晶的结构,特点

晶粒是另外一个概念,搞材料的人对这个最熟了。首先提出这个概念的是凝固理论。从液态转变为固态的过程首先要成核,然后生长,这个过程叫晶粒的成核长大。晶粒内分子、原子都是有规则地排列的,所以一个晶粒就是单晶。多个晶粒,每个晶粒的大小和形状不同,而且取向也是凌乱的,没有明显的外形,也不表现各向异性,是多晶。

低能离子辐照实现晶圆级大面积超高线密度光栅器件制备

  6月4日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室在《自然-通讯》杂志上在线发表了题为《采用反向外延技术实现晶圆级亚50nm周期的光栅器件制备》(Realization of wafer-scale nanogratings with sub-50 nm period th

半导体所等实现晶圆级高质量InAs纳米结构的维度调控

   最近,国际期刊《纳米快报》(Nano Letters, DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b04561)报道了中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员赵建华团队与合作者在晶圆级高质量InAs纳米结构维度调控方面的最新研究成果。  InAs是一种重要的III-V

利用深紫外激光PEEM/LEEM对晶圆六方氮化硼结构表征研究

  近日,中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室研究员傅强团队与台积电(TSMC)Lain-Jong Li团队、台湾交通大学Wen-Hao Chang团队、美国莱斯大学B. I. Yakobson团队、北京大学教授张艳峰团队合作,在2英寸晶圆衬底上成功外延生长单晶六方氮化硼(hBN)单层

什么是非晶纳米晶

非晶纳米晶是一种金属合金,但是由于其特殊的工艺将其变成了非晶态,所以非晶又被叫做玻璃金属。而纳米晶是是再非晶的基础上其尺寸大小为纳米级别,非晶纳米晶是非晶和纳米晶的混合体

永新光学:光学产品助力光通讯、半导体晶圆及集成电路检测

  永新光学11月13日在互动平台表示,目前公司生产的光刻镜头可应用于PCB光刻设备。此外,公司生产的光学显微镜及光学元组件可用于光通讯、半导体晶圆及集成电路的检测等领域。永新光学:  永新光学股份有限公司成立于1997年,其子公司南京江南永新光学有限公司最早成立于1943年。公司是一家精密光学仪器

高压碳化硅解决方案:改善4HSiC晶圆表面的缺陷问题1

  碳化硅(SiC)在大功率、高温、高频等极端条件应用领域具有很好的前景。但尽管商用4H-SiC单晶圆片的结晶完整性最近几年显着改进,这些晶圆的缺陷密度依然居高不下。经研究证实,晶圆衬底的表面处理时间越长,则表面缺陷率也会跟着增加。  碳化硅(SiC)兼有宽能带隙、高电击穿场强、高热导率、高

高压碳化硅解决方案:改善4HSiC晶圆表面的缺陷问题2

  其他仪器方面,本实验使用Nanometrics公司的Stratus傅立叶变换红外光谱仪(FT-IR)测量样品厚度。表面分析实验则使用Dimension 3100原子力显微镜(AFM)。显微镜为接触测量模式,装备一个单晶矽针尖。为取得更大的扫描区域,扫描尺寸是90×90μm2,扫描

光学接触角测量仪仪用于测试晶圆-电镀金钢的接触角值

采用遮光片技术后测试小于6度的接触角测值,可以看出此时的图像边缘非常清晰,拟合图片时的计算精度非常高。 由于本视频中采用了自动进液的方式,可以看出测试过程只要按一个进液钮,软件自动完成了液滴滴出以及转移到固体表面的动作,非常方便。 当然,小接触角的测试对于通常没有装有遮光片的接触角仪而言,成像

物理所实现多层MoS2外延晶圆推动二维半导体的器件应用

  以二硫化钼为代表的二维半导体材料,因其极限的物理厚度、极佳的柔性/透明性,是解决当前晶体管微缩瓶颈及构筑速度更快、功耗更低、柔性透明等新型半导体芯片的一类新材料。近年来,国际上已在单层二硫化钼的晶圆制备及大面积器件构筑方面不断突破,在晶圆质量和器件性能方面逐渐逼近极限。例如,中国科学院物理研究所

晶圆代工厂粤芯融资45亿元-投后估值200亿元

晶圆制造领域迎来巨额融资。6月30日,广州粤芯半导体技术有限公司(下称“粤芯”)宣布于近日完成45亿元的新一轮融资。多名接近粤芯的人士告诉财新,该轮融资后,粤芯投后估值达到200亿元。  粤芯本轮融资由广东省半导体及集成电路产业投资基金和广汽资本联合领投,并引入上汽、北汽等车企旗下产业资本,以及越秀

非晶纳米晶的应用领域

非晶纳米晶材料主要在航空航天领域使用,主要用作宇航员宇航服材料技术,用于应对外太空可能出现的各种不利环境,保护宇航员不受外界病菌侵害。

非晶纳米晶的应用领域

非晶纳米晶材料主要在航空航天领域使用,主要用作宇航员宇航服材料技术,用于应对外太空可能出现的各种不利环境,保护宇航员不受外界病菌侵害。