ICP设备(刻蚀机)共享
仪器名称：ICP设备(刻蚀机)仪器编号：02001849产地：英国生产厂家：STS SURFACE TECN.型号：MESC Multiplex出厂日期：200001购置日期：200203所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层工艺平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：王喆垚（010-62772748,13552821122,z.wang@tsinghua.edu.cn）窦维治（010-62781090,13366273985,douwz@tsinghua.edu.cn）分类标签：微纳加工 深硅刻蚀 集成电路技术指标：硅深槽刻蚀，刻蚀速率3um/min知名用户：清华大学、北京大学、中科院微电子所技术团队：教授1人、副教授1人、工程师2人功能特色：本设备可进行硅片深刻蚀，加工尺寸为4英寸及以下硅片。Si刻蚀速率为3um/min，光刻胶硅刻蚀选择比为1：20,均匀性小于5%。项目......阅读全文
ICP设备(刻蚀机)共享
仪器名称：ICP设备(刻蚀机)仪器编号：02001849产地：英国生产厂家：STS SURFACE TECN.型号：MESC Multiplex出厂日期：200001购置日期：200203所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层工艺平台固定电话：固定手机：固定emai
ICP设备(刻蚀机)共享应用
仪器名称：ICP设备(刻蚀机)仪器编号：02001849产地：英国生产厂家：STS SURFACE TECN.型号：MESC Multiplex出厂日期：200001购置日期：200203所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层工艺平台固定电话：固定手机：固定emai
ICP刻蚀机F共享
仪器名称：ICP刻蚀机-F仪器编号：13015108产地：日本生产厂家：爱发科型号：NE-550H(F)出厂日期：201211购置日期：201309所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台（暨微纳技术实验室）固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（
ICP刻蚀机Cl共享
仪器名称：ICP刻蚀机-Cl仪器编号：13015109产地：日本生产厂家：爱发科型号：NE-550H(Cl)出厂日期：201211购置日期：201309所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台(暨微纳技术实验室)固定电话：固定手机：固定email：联系人：李希
ICP刻蚀机F共享应用
仪器名称：ICP刻蚀机-F仪器编号：13015108产地：日本生产厂家：爱发科型号：NE-550H(F)出厂日期：201211购置日期：201309所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台（暨微纳技术实验室）固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（
ICP刻蚀机Cl共享应用
仪器名称：ICP刻蚀机-Cl仪器编号：13015109产地：日本生产厂家：爱发科型号：NE-550H(Cl)出厂日期：201211购置日期：201309所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台(暨微纳技术实验室)固定电话：固定手机：固定email：联系人：李希
爱发科ICP刻蚀机F共享应用
仪器名称：ICP刻蚀机-F仪器编号：13015108产地：日本生产厂家：爱发科型号：NE-550H(F)出厂日期：201211购置日期：201309所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台（暨微纳技术实验室）固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（
爱发科ICP刻蚀机Cl共享应用
仪器名称：ICP刻蚀机-Cl仪器编号：13015109产地：日本生产厂家：爱发科型号：NE-550H(Cl)出厂日期：201211购置日期：201309所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台(暨微纳技术实验室)固定电话：固定手机：固定email：联系人：李希
NICP刻蚀机共享
仪器名称：NICP刻蚀机仪器编号：02011812产地：中国生产厂家：中科院微电子中心自制型号：NICP-I型出厂日期：200107购置日期：200210所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-627
NICP刻蚀机共享应用
仪器名称：NICP刻蚀机仪器编号：02011812产地：中国生产厂家：中科院微电子中心自制型号：NICP-I型出厂日期：200107购置日期：200210所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-627
LAM－干法刻蚀机共享应用
仪器名称：干法刻蚀机仪器编号：16002654产地：美国生产厂家：LAM型号：LAM4520XL出厂日期：199801购置日期：201602所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-62781090,133662739
等离子体/化学刻蚀设备——等离子刻蚀机简介
等离子刻蚀机，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力
北京埃德万斯离子束刻蚀机共享应用
仪器名称：离子束刻蚀机仪器编号：07001234产地：中国生产厂家：北京埃德万斯公司型号：LKJ-ID-150出厂日期：200608购置日期：200701所属单位：物理系>离子束刻蚀实验室放置地点：理科楼C-207固定电话：62772764固定手机：13552113513固定email：jiangl
弘塑刻蚀系统共享应用
仪器名称：刻蚀系统仪器编号：04009242产地：台湾生产厂家：弘塑科技有限公司型号：NitrideEtch出厂日期：200312购置日期：200410所属单位：物理系>纳米中心>纳米中心加工平台放置地点：纳米楼超净间固定电话：固定手机：固定email：联系人：马伟涛（010-62796022,13
等离子体/化学刻蚀设备的刻蚀分类
刻蚀最简单最常用分类是：干法刻蚀和湿法刻蚀。显而易见，它们的区别就在于湿法使用溶剂或溶液来进行刻蚀。 湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程，是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。其特点是： 湿法刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用：磨片、抛光、清洗、腐蚀
清华大学仪器共享平台中科院微电子－NICP刻蚀机
仪器名称：NICP刻蚀机仪器编号：02011812产地：中国生产厂家：中科院微电子中心自制型号：NICP-I型出厂日期：200107购置日期：200210所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：李希有（010-627
GCS采购牛津仪器ICP复合刻蚀系统
刻蚀、沉积和生长系统的领先供应商牛津仪器今日宣布与全球通信半导体公司（GCS）签订了PlasmaPro® System100 ICP 180复合刻蚀系统的订单。这将会扩大GCS的加利福利亚工厂在电介质和氮化镓刻蚀的能力，并将会安装更多牛津仪器提供的设备。 “GCS之所以选择牛津仪器，是因为他们
等离子体/化学刻蚀设备中刻蚀的解释
刻蚀，英文为Etch，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻 [1] 相联系的图形化（pattern）处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。刻蚀是
等离子刻蚀机简介
等离子刻蚀机，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力
等离子体/化学刻蚀设备化学刻蚀的介绍和过程
化学蚀刻（Chemical etching） 蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。 蚀刻技术可以分为『湿蚀刻』(wet etching)及『干蚀刻』(dry etching)两类。 通常所指蚀刻也称光化学蚀刻（photochemical etching），指通过曝光制版、显
等离子刻蚀机有哪些缺点？
1、 硅片水平运行，机片高（等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干，硅片受冲击小）； 2、下料吸笔易污染硅片（等离子刻蚀去PSG后甩干）； 3、传动滚轴易变形（PVDF，PP材质且水平放置易变形）； 4、成本高（化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加）。
简介等离子刻蚀机的应用
等离子体处理可应用于所有的基材，甚至复杂的几何构形都可以进行等离子体活化、等离子体清洗，等离子体镀膜也毫无问题。等离子体处理时的热负荷及机械负荷都很低，因此，低压等离子体也能处理敏感性材料。等离子刻蚀机的典型应用包括： 等离子体清除浮渣 光阻材料剥离 表面处理 各向异性和各向同性失效分析
等离子刻蚀机的原理简介
感应耦合等离子体刻蚀法（Inductively Coupled Plasma Etch，简称ICPE）是化学过程和物理过程共同作用的结果。它的基本原理是在真空低气压下，ICP 射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的RF 射频
等离子刻蚀机的结构简介
ICP 设备主要包括预真空室、刻蚀腔、供气系统和真空系统四部分。 （1）预真空室 预真空室的作用是确保刻蚀腔内维持在设定的真空度，不受外界环境（如：粉尘、水汽）的影响，将危险性气体与洁净厂房隔离开来。它由盖板、机械手、传动机构、隔离门等组成。 （2）刻蚀腔体 刻蚀腔体是ICP 刻蚀设备的
等离子刻蚀机的操作及判断
1. 确认万用表工作正常，量程置于200mV。 2.冷探针连接电压表的正电极，热探针与电压表的负极相连。 3.用冷、热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点，电压表显示这两点间的电压为正值，说明导电类型为P 型，刻蚀合格。相同的方法检测另外三个边沿的导电类型是否为P型。 4.如果经过检验，任何
超声检测设备共享
仪器名称：超声检测设备仪器编号：12006229产地：德国生产厂家：PVA型号：KSI SAM300出厂日期：201110购置日期：201204所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>封装工艺放置地点：微电子所新所一楼微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：马海艳（010-66668888
等离子刻蚀机的测量与控制方法
由于等离子刻蚀工艺中的过程变量，如刻蚀率、气压、温度、等离子阻抗，等等，不易测量，因此业界常用的测量方法有： 虚拟测量（Virtual Metrology） 光谱测量（Optical emission spectroscopy） 等离子阻抗监控（Plasma impedance monit
等离子刻蚀机的测量与控制方法
由于等离子刻蚀工艺中的过程变量，如刻蚀率、气压、温度、等离子阻抗，等等，不易测量，因此业界常用的测量方法有： 虚拟测量（Virtual Metrology） 光谱测量（Optical emission spectroscopy） 等离子阻抗监控（Plasma impedance monit
清华大学仪器共享平台Gatan－离子束镀膜刻蚀系统
仪器名称：离子束镀膜刻蚀系统仪器编号：14012804产地：美国生产厂家：Gatan型号：682出厂日期：201308购置日期：201407样品要求：尺寸要求：最大尺寸直径32mm、高度10mm样品其他要求：真空下不能有挥发物。所属单位：材料学院>材料中心 >电镜中心放置地点：主楼11-127固定电
等离子刻蚀机的光学发射检测技术介绍
高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤。已经开发出许多终点检测技术，终点检测设备就是为实现刻蚀过程的实时监控而设计的。 光学发射 光学发射光谱法（OES）是使用最为广泛的终点检测手段。其原理是利用检测等离子体中某种反应性化学基团或挥发性基团所发射波长的光强的变化来实现终