LAM干法刻蚀机共享应用
仪器名称：干法刻蚀机仪器编号：16002654产地：美国生产厂家：LAM型号：LAM4520XL出厂日期：199801购置日期：201602所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-62781090,13366273985,douwz@tsinghua.edu.cn）分类标签：刻蚀 半导体技术指标：介电材料刻蚀：ICP模式；刻蚀精度：0.35微米知名用户：王喆垚、任天令、刘泽文、吴华强、梁仁荣、潘立阳、王敬、许军、邓宁、钱鹤、伍晓明（微电子所） 尤政、朱荣、阮勇（精仪系）、罗毅（电子系）、姚文清（化学系）技术团队：吴华强、伍晓明、刘朋、李希有、仲涛功能特色：自动化操作，刻蚀方式： ICP模式；刻蚀精度：0.35微米；主要刻蚀介质：Si3N4、Si、POLY-Si、SiO2等材料.刻蚀尺寸：8英寸。均匀性小于5%。样品要求：单片式；硅片尺......阅读全文
NICP刻蚀机共享
仪器名称：NICP刻蚀机仪器编号：02011812产地：中国生产厂家：中科院微电子中心自制型号：NICP-I型出厂日期：200107购置日期：200210所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-627
NICP刻蚀机共享应用
仪器名称：NICP刻蚀机仪器编号：02011812产地：中国生产厂家：中科院微电子中心自制型号：NICP-I型出厂日期：200107购置日期：200210所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-627
等离子刻蚀机简介
等离子刻蚀机，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力
ICP刻蚀机Cl共享
仪器名称：ICP刻蚀机-Cl仪器编号：13015109产地：日本生产厂家：爱发科型号：NE-550H(Cl)出厂日期：201211购置日期：201309所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台(暨微纳技术实验室)固定电话：固定手机：固定email：联系人：李希
ICP设备(刻蚀机)共享
仪器名称：ICP设备(刻蚀机)仪器编号：02001849产地：英国生产厂家：STS SURFACE TECN.型号：MESC Multiplex出厂日期：200001购置日期：200203所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层工艺平台固定电话：固定手机：固定emai
ICP刻蚀机F共享
仪器名称：ICP刻蚀机-F仪器编号：13015108产地：日本生产厂家：爱发科型号：NE-550H(F)出厂日期：201211购置日期：201309所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台（暨微纳技术实验室）固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（
等离子体/化学刻蚀设备——等离子刻蚀机简介
等离子刻蚀机，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力
ICP刻蚀机Cl共享应用
仪器名称：ICP刻蚀机-Cl仪器编号：13015109产地：日本生产厂家：爱发科型号：NE-550H(Cl)出厂日期：201211购置日期：201309所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台(暨微纳技术实验室)固定电话：固定手机：固定email：联系人：李希
ICP设备(刻蚀机)共享应用
仪器名称：ICP设备(刻蚀机)仪器编号：02001849产地：英国生产厂家：STS SURFACE TECN.型号：MESC Multiplex出厂日期：200001购置日期：200203所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层工艺平台固定电话：固定手机：固定emai
ICP刻蚀机F共享应用
仪器名称：ICP刻蚀机-F仪器编号：13015108产地：日本生产厂家：爱发科型号：NE-550H(F)出厂日期：201211购置日期：201309所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台（暨微纳技术实验室）固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（
等离子刻蚀机有哪些缺点？
1、 硅片水平运行，机片高（等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干，硅片受冲击小）； 2、下料吸笔易污染硅片（等离子刻蚀去PSG后甩干）； 3、传动滚轴易变形（PVDF，PP材质且水平放置易变形）； 4、成本高（化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加）。
简介等离子刻蚀机的应用
等离子体处理可应用于所有的基材，甚至复杂的几何构形都可以进行等离子体活化、等离子体清洗，等离子体镀膜也毫无问题。等离子体处理时的热负荷及机械负荷都很低，因此，低压等离子体也能处理敏感性材料。等离子刻蚀机的典型应用包括： 等离子体清除浮渣 光阻材料剥离 表面处理 各向异性和各向同性失效分析
LAM－干法刻蚀机共享应用
仪器名称：干法刻蚀机仪器编号：16002654产地：美国生产厂家：LAM型号：LAM4520XL出厂日期：199801购置日期：201602所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-62781090,133662739
等离子刻蚀机的原理简介
感应耦合等离子体刻蚀法（Inductively Coupled Plasma Etch，简称ICPE）是化学过程和物理过程共同作用的结果。它的基本原理是在真空低气压下，ICP 射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的RF 射频
等离子刻蚀机的结构简介
ICP 设备主要包括预真空室、刻蚀腔、供气系统和真空系统四部分。 （1）预真空室 预真空室的作用是确保刻蚀腔内维持在设定的真空度，不受外界环境（如：粉尘、水汽）的影响，将危险性气体与洁净厂房隔离开来。它由盖板、机械手、传动机构、隔离门等组成。 （2）刻蚀腔体 刻蚀腔体是ICP 刻蚀设备的
等离子刻蚀机的操作及判断
1. 确认万用表工作正常，量程置于200mV。 2.冷探针连接电压表的正电极，热探针与电压表的负极相连。 3.用冷、热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点，电压表显示这两点间的电压为正值，说明导电类型为P 型，刻蚀合格。相同的方法检测另外三个边沿的导电类型是否为P型。 4.如果经过检验，任何
等离子刻蚀机的测量与控制方法
由于等离子刻蚀工艺中的过程变量，如刻蚀率、气压、温度、等离子阻抗，等等，不易测量，因此业界常用的测量方法有： 虚拟测量（Virtual Metrology） 光谱测量（Optical emission spectroscopy） 等离子阻抗监控（Plasma impedance monit
等离子刻蚀机的测量与控制方法
由于等离子刻蚀工艺中的过程变量，如刻蚀率、气压、温度、等离子阻抗，等等，不易测量，因此业界常用的测量方法有： 虚拟测量（Virtual Metrology） 光谱测量（Optical emission spectroscopy） 等离子阻抗监控（Plasma impedance monit
爱发科ICP刻蚀机F共享应用
仪器名称：ICP刻蚀机-F仪器编号：13015108产地：日本生产厂家：爱发科型号：NE-550H(F)出厂日期：201211购置日期：201309所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台（暨微纳技术实验室）固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（
爱发科ICP刻蚀机Cl共享应用
仪器名称：ICP刻蚀机-Cl仪器编号：13015109产地：日本生产厂家：爱发科型号：NE-550H(Cl)出厂日期：201211购置日期：201309所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台(暨微纳技术实验室)固定电话：固定手机：固定email：联系人：李希
关于等离子刻蚀机装片的相关介绍
等离子体系统效应的过程转换成材料的蚀刻工艺。在待刻蚀硅片的两边，分别放置一片与硅片同样大小的玻璃夹板，叠放整齐，用夹具夹紧，确保待刻蚀的硅片中间没有大的缝隙。 将夹具平稳放入反应室的支架上，关好反应室的盖子。 等离子刻蚀检验原理为冷热探针法，具体方法如下： 热探针和N型半导体接触时，传导电
等离子刻蚀机的光学发射检测技术介绍
高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤。已经开发出许多终点检测技术，终点检测设备就是为实现刻蚀过程的实时监控而设计的。 光学发射 光学发射光谱法（OES）是使用最为广泛的终点检测手段。其原理是利用检测等离子体中某种反应性化学基团或挥发性基团所发射波长的光强的变化来实现终
详解刻蚀清洗机的结构和工作原理（一）
湿法刻蚀是利用相应的刻蚀液先将晶圆要刻蚀的膜进行分解， 再把其变为可溶性的化合物并去除，那湿法刻蚀清洗机的结构和工作原理是什么？今天就带大家瞧一瞧。一、刻蚀清洗设备分类湿法刻蚀清洗机按清洗的结构方式可以分为槽式批量清洗和单片清洗机两种类型。而槽式清洗又可分为半自动清洗和全自动清洗两种机台。二、清洗设
详解刻蚀清洗机的结构和工作原理（二）
三、清洗设备干燥方式通过去离子水清洗后， 需要在最短的时间里把晶圆表面的水分去除， 而且去除后晶圆的外表不要有任何水痕， 否则会降低晶圆的良率。 半导体生产上常采用以下几种干燥方式：旋转甩干、热氮气烘干、异丙醇慢提拉干燥及 Marangoni干燥。a．旋转甩干目前对晶圆的清洗以及脱水处理方式
等离子体/化学刻蚀设备的刻蚀分类
刻蚀最简单最常用分类是：干法刻蚀和湿法刻蚀。显而易见，它们的区别就在于湿法使用溶剂或溶液来进行刻蚀。 湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程，是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。其特点是： 湿法刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用：磨片、抛光、清洗、腐蚀
等离子体/化学刻蚀设备中刻蚀的解释
刻蚀，英文为Etch，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻 [1] 相联系的图形化（pattern）处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。刻蚀是
北京埃德万斯离子束刻蚀机共享应用
仪器名称：离子束刻蚀机仪器编号：07001234产地：中国生产厂家：北京埃德万斯公司型号：LKJ-ID-150出厂日期：200608购置日期：200701所属单位：物理系>离子束刻蚀实验室放置地点：理科楼C-207固定电话：62772764固定手机：13552113513固定email：jiangl
中科院688万采购聚焦离子束刻蚀机
一、项目编号：OITC-G240320572（招标文件编号：OITC-G240320572） 二、项目名称：中国科学院合肥物质科学研究院聚焦离子束刻蚀机采购项目 三、中标（成交）信息 供应商名称：广东省中科进出口有限公司 供应商地址：广东省广州市越秀区先烈中路100号大院9号楼102房自
什么是湿法刻蚀
这是传统的刻蚀方法。把硅片浸泡在一定的化学试剂或试剂溶液中，使没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜表面与试剂发生化学反应而被除去。例如,用一种含有氢氟酸的溶液刻蚀二氧化硅薄膜，用磷酸刻蚀铝薄膜等。这种在液态环境中进行刻蚀的方法称为“湿法”刻蚀。它的优点操作简便；对设备要求低；易于实现大批量生产；刻蚀的选择
干法刻蚀与湿法刻蚀主要区别及工艺特点
基本工艺要求 理想的刻蚀工艺必须具有以下特点：①各向异性刻蚀，即只有垂直刻蚀，没有横向钻蚀。这样才能保证精确地在被刻蚀的薄膜上复制出与抗蚀剂上完全一致的几何图形；②良好的刻蚀选择性，即对作为掩模的抗蚀剂和处于其下的另一层薄膜或材料的刻蚀速率都比被刻蚀薄膜的刻蚀速率小得多，以保证刻蚀过程中抗蚀剂掩蔽的