等离子刻蚀机有哪些缺点？
1、 硅片水平运行，机片高（等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干，硅片受冲击小）； 2、下料吸笔易污染硅片（等离子刻蚀去PSG后甩干）； 3、传动滚轴易变形（PVDF，PP材质且水平放置易变形）； 4、成本高（化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加）。......阅读全文
等离子刻蚀机有哪些缺点？
1、 硅片水平运行，机片高（等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干，硅片受冲击小）； 2、下料吸笔易污染硅片（等离子刻蚀去PSG后甩干）； 3、传动滚轴易变形（PVDF，PP材质且水平放置易变形）； 4、成本高（化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加）。
等离子刻蚀机简介
等离子刻蚀机，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力
等离子体/化学刻蚀设备——等离子刻蚀机简介
等离子刻蚀机，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力
简介等离子刻蚀机的应用
等离子体处理可应用于所有的基材，甚至复杂的几何构形都可以进行等离子体活化、等离子体清洗，等离子体镀膜也毫无问题。等离子体处理时的热负荷及机械负荷都很低，因此，低压等离子体也能处理敏感性材料。等离子刻蚀机的典型应用包括： 等离子体清除浮渣 光阻材料剥离 表面处理 各向异性和各向同性失效分析
等离子刻蚀机的原理简介
感应耦合等离子体刻蚀法（Inductively Coupled Plasma Etch，简称ICPE）是化学过程和物理过程共同作用的结果。它的基本原理是在真空低气压下，ICP 射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的RF 射频
等离子刻蚀机的结构简介
ICP 设备主要包括预真空室、刻蚀腔、供气系统和真空系统四部分。 （1）预真空室 预真空室的作用是确保刻蚀腔内维持在设定的真空度，不受外界环境（如：粉尘、水汽）的影响，将危险性气体与洁净厂房隔离开来。它由盖板、机械手、传动机构、隔离门等组成。 （2）刻蚀腔体 刻蚀腔体是ICP 刻蚀设备的
等离子刻蚀机的操作及判断
1. 确认万用表工作正常，量程置于200mV。 2.冷探针连接电压表的正电极，热探针与电压表的负极相连。 3.用冷、热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点，电压表显示这两点间的电压为正值，说明导电类型为P 型，刻蚀合格。相同的方法检测另外三个边沿的导电类型是否为P型。 4.如果经过检验，任何
等离子刻蚀机的测量与控制方法
由于等离子刻蚀工艺中的过程变量，如刻蚀率、气压、温度、等离子阻抗，等等，不易测量，因此业界常用的测量方法有： 虚拟测量（Virtual Metrology） 光谱测量（Optical emission spectroscopy） 等离子阻抗监控（Plasma impedance monit
等离子刻蚀机的测量与控制方法
由于等离子刻蚀工艺中的过程变量，如刻蚀率、气压、温度、等离子阻抗，等等，不易测量，因此业界常用的测量方法有： 虚拟测量（Virtual Metrology） 光谱测量（Optical emission spectroscopy） 等离子阻抗监控（Plasma impedance monit
等离子刻蚀机的光学发射检测技术介绍
高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤。已经开发出许多终点检测技术，终点检测设备就是为实现刻蚀过程的实时监控而设计的。 光学发射 光学发射光谱法（OES）是使用最为广泛的终点检测手段。其原理是利用检测等离子体中某种反应性化学基团或挥发性基团所发射波长的光强的变化来实现终
关于等离子刻蚀机装片的相关介绍
等离子体系统效应的过程转换成材料的蚀刻工艺。在待刻蚀硅片的两边，分别放置一片与硅片同样大小的玻璃夹板，叠放整齐，用夹具夹紧，确保待刻蚀的硅片中间没有大的缝隙。 将夹具平稳放入反应室的支架上，关好反应室的盖子。 等离子刻蚀检验原理为冷热探针法，具体方法如下： 热探针和N型半导体接触时，传导电
等离子体/化学刻蚀设备的刻蚀分类
刻蚀最简单最常用分类是：干法刻蚀和湿法刻蚀。显而易见，它们的区别就在于湿法使用溶剂或溶液来进行刻蚀。 湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程，是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。其特点是： 湿法刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用：磨片、抛光、清洗、腐蚀
等离子体/化学刻蚀设备中刻蚀的解释
刻蚀，英文为Etch，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻 [1] 相联系的图形化（pattern）处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。刻蚀是
等离子刻蚀机支持以下四种平面等离子体处理模式
SCE等离子刻蚀机支持以下四种平面等离子体处理模式： 直接模式——基片可以直接放置在电极托架或是底座托架上，以获得最大的平面刻蚀效果。 定向模式——需要非等向性刻蚀（anisotropic etching）的基片可以放置在特制的平面托架上。 下游模式——基片可以放置在不带电托架上，以便取得
双辊涂胶机的缺点有哪些？
双辊涂胶机的结构简单，维护保养和操作方便，但也有如下缺点： 1）涂胶量依靠调整上下涂胶辊的间隙来控制，若单板幅面大、间隙小，容易把单板压碎。 2）容易将胶中泡沫带到单板上，影响胶合质量。 3）一张单板涂胶完成后，需待涂胶辊回转一周后才能送第二张单板，生产效率低。 4）当涂胶单板较厚时，会
等离子刻蚀机的激光干涉和预报式检测相关介绍
激光干涉 激光干涉终点法（IEP）是用激光光源检测透明薄膜厚度的变化，当厚度变化停止时，则意味着到达了刻蚀终点。其原理是当激光垂直入射薄膜表面时，在透明薄膜前被反射的光线与穿透该薄膜后被下层材料反射的光线相互干涉。 预报式检测 随着主流半导体工艺技术由0.18 μm 逐渐转移到0.13 μ
等离子体/化学刻蚀设备化学刻蚀的介绍和过程
化学蚀刻（Chemical etching） 蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。 蚀刻技术可以分为『湿蚀刻』(wet etching)及『干蚀刻』(dry etching)两类。 通常所指蚀刻也称光化学蚀刻（photochemical etching），指通过曝光制版、显
NICP刻蚀机共享
仪器名称：NICP刻蚀机仪器编号：02011812产地：中国生产厂家：中科院微电子中心自制型号：NICP-I型出厂日期：200107购置日期：200210所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-627
等离子体原子发射光谱仪有哪些优缺点？
等离子体原子发射光谱仪的优缺点分析： 优点： 1. 多元素同时检出能力。 可同时检测一个样品中的多种元素。一个样品一经激发，样品中各元素都各自发射出其特征谱线，可以进行分别检测而同时测定多种元素。 2. 分析速度快。 试样多数不需经过化学处理就可分析，且固体、液体试样均可直接分析，同时还可
数字示波器有哪些缺点？
1.失真比较大，由于数字示波器是通过对波形采样来显示，采样点数越少失真越大，通常在水平方向有512个采样点，受到最大采样速率的限制，在最快扫描速度及其附近采样点更少，因此高速时失真更大。 2.测量复杂信号能力差，由于数字示波器的采样点数有限以及没有亮度的变化，使得很多波形细节信息无法显示出来，
NICP刻蚀机共享应用
仪器名称：NICP刻蚀机仪器编号：02011812产地：中国生产厂家：中科院微电子中心自制型号：NICP-I型出厂日期：200107购置日期：200210所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-627
ICP刻蚀机F共享
仪器名称：ICP刻蚀机-F仪器编号：13015108产地：日本生产厂家：爱发科型号：NE-550H(F)出厂日期：201211购置日期：201309所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台（暨微纳技术实验室）固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（
ICP设备(刻蚀机)共享
仪器名称：ICP设备(刻蚀机)仪器编号：02001849产地：英国生产厂家：STS SURFACE TECN.型号：MESC Multiplex出厂日期：200001购置日期：200203所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层工艺平台固定电话：固定手机：固定emai
ICP刻蚀机Cl共享
仪器名称：ICP刻蚀机-Cl仪器编号：13015109产地：日本生产厂家：爱发科型号：NE-550H(Cl)出厂日期：201211购置日期：201309所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台(暨微纳技术实验室)固定电话：固定手机：固定email：联系人：李希
微波等离子体亚深微米刻蚀
利用微波电子回旋共振（ECR）可以产生高密度的等离子体，选择不同的活性种粒分别对硅、砷化镓等半导体，Al, Cu, W, Ti 等金属，SiO2, Si3N4, Al2O3等无机物质和聚酰亚胺等有机物质，进行选择性刻蚀，制备大规模集成电路的芯片。现在的刻蚀技术，主要是采用电子束或同步辐射束曝光后，用
等离子体原子发射光谱仪使用中的缺点有哪些？
等离子体原子发射光谱仪缺点： 1. 在经典分析中，影响谱线强度的因素较多，尤其是试样组分的影响较为显着，所以对标准参比的组分要求较高。 2. 含量（浓度）较大时，准确度较差。 3. 只能用于元素分析，不能进行结构、形态的测定。 4. 大多数非金属元素难以得到灵敏的光谱线。 1 因为工作时需
新风除湿一体机的优缺点有哪些
个人认为优点多于缺点，优点主要还是觉得一台室内机能做到两个功能是真的省心，可以新风和除湿来回切换，不需要装两台⌄而且并没有大家说的效果不好，我去年装的是氧风品牌的新风除湿一体机，完全可以满足我地下室的除湿和换气，而且噪音也不大；要说缺点的话设备价格会高一点，但是使用的过程还是觉得性价比挺高的
中微5纳米等离子体刻蚀机又被网媒“戴高帽”
近来有网络媒体称，“中微半导体自主研制的5纳米等离子体刻蚀机，性能优良，将用于全球首条5纳米芯片制程生产线”，并评论说“中国芯片生产技术终于突破欧美封锁，第一次占领世界制高点”“中国弯道超车”等等。 中微公司的刻蚀机的确水平一流，但夸大阐述其战略意义，则被相关专家反对。刻蚀只是芯片制造多个环节
溶胶凝胶法有哪些缺点？
溶胶-凝胶法也存在某些问题： （1）所使用的原料价格比较昂贵，有些原料为有机物，对健康有害； （2）通常整个溶胶-凝胶过程所需时间较长，常需要几天或几周； （3）凝胶中存在大量微孔，在干燥过程中又将会逸出许多气体及有机物，并产生收缩。
全血有哪些主要缺点？
1. 大量输全血可使循环超负荷，因为全血中的血浆可扩充血容量，所以血容量正常的病人输血量过大或速度过快可发生急性肺水肿； 2. 由于全血中细胞碎片多，全血的血浆内乳酸、钠、钾、氨等成分含量高，故全血输入越多，病人的代谢负担越重； 3. 输全血比任何血液成分更容易产生同种免疫，不良反应多，因为