氧化镓功率半导体正成为新风口
欧洲在电动汽车、人工智能服务器与清洁能源电网所需半导体材料上高度依赖亚洲与美国供应商，而氧化镓正成为破局的新风口。柏林初创企业NextGO Epi源自莱布尼茨晶体生长研究所，生产面向下一代功率电子的氧化镓外延晶圆，并完成二百万欧元种子前融资。它是欧洲唯一能量产工业级、最大四英寸氧化镓外延晶圆的企业——这种材料构成下一代功率半导体器件的电活性层。相比当前使用的碳化硅或氮化镓，氧化镓器件耐更高电压、效率更高。其材料优势具体而直观：功耗比碳化硅低十倍、耐压密度高六倍、生产成本可降至多百分之七十五，并有望将电动车充电时间从六十分钟缩短到十分钟——即便在锂电池表现最差的冬季也能稳定快充。该技术处于每一次电力传输的核心：从电动车充电桩、可再生能源逆变器，到人工智能数据中心与导弹跟踪系统。创始团队拥有十余年氧化镓研究与外延经验，凭两项国际专利与三十余篇论文支撑，并已投产、创收、服务三大洲客户。本轮融资由Vireo Ventures领投，Ult......阅读全文
氧化镓功率半导体正成为新风口
欧洲在电动汽车、人工智能服务器与清洁能源电网所需半导体材料上高度依赖亚洲与美国供应商，而氧化镓正成为破局的新风口。柏林初创企业NextGO Epi源自莱布尼茨晶体生长研究所，生产面向下一代功率电子的氧化镓外延晶圆，并完成二百万欧元种子前融资。它是欧洲唯一能量产工业级、最大四英寸氧化镓外延晶圆的企业—
氧化镓和碳化硅功率芯片的技术差异
SiC（碳化硅）商业化已经20 多年了，GaN 商业化还不到5 年时间。因此人们对GaN 未来完整的市场布局并不是很清楚。SiC 的材料特性是能够耐高压、耐热，但是缺点是频率不能高，所以只能做到效率提升，不能做到器件很小。现在很多要做得很小，要控制成本。而GaN 擅长高频，效率可以做得非常好。例如，
氮化镓功率芯片的应用领域
1）手机充电器。主要有2 个原因，①手机电池容量越来越大，从以前的可能2 000 mA·H 左右，到现在已经到5 000 mA·H。GaN 可以减少充电时间，占位体积变小。②手机及相关电子设备使用越来越多，有USB-A 口、USB-C 口，多头充电器市场很大，这也是GaN 擅长的领域。2）电源适配器
氮化镓功率芯片的发展趋势分析
GaN 功率芯片主要以2 个流派在发展，一个是eMode 常开型，纳微代表的是另一个分支——eMode 常关型。相比传统的常关型的GaN 功率器件，纳微又进一步做了集成，包括驱动、保护和控制的集成。GaN 功率芯片集成的优势如下。1）传统的Si 器件参数不够优异，开关速率、开关频率都受到极大限制，通
超宽禁带半导体新进展－推动氧化镓功率器件规模化应用
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣课题组和西安电子科技大学郝跃课题组教授韩根全合作，在氧化镓功率器件领域取得新进展。该研究成果于12月10日在第65届国际微电子器件顶级会议——国际电子器件大会（International Electron Devices Meeting, IEDM）
美国签署芯片法案，半导体产业将会受何影响？
美国强化半导体产业链的国家意志正式融入法律体系。8月9日，美国总统拜登在白宫签署了《芯片和科学法案》（CHIPS and Science Act），该法案将提供高达2800亿美元的产业补贴。从法案构成来看，芯片（CHIPS）板块内容是重中之重。其中，约527亿美元的资金投向半导体制造和研发领域，同时
氧化镓半导体器件领域研究取得重要进展
12日，记者从中国科学技术大学获悉，日前在美国旧金山召开的第68届国际电子器件大会（IEEE IEDM）上，中国科大国家示范性微电子学院龙世兵教授课题组两篇关于氧化镓器件的研究论文（高功率氧化镓肖特基二极管和氧化镓光电探测器）被大会接收。 IEEE IEDM是一个年度微电子和纳电子学术会议，是
氧化镓半导体器件领域研究取得重要进展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2022/12/491041.shtm 科技日报合肥12月12日电 （记者吴长锋）12日，记者从中国科学技术大学获悉，日前在美国旧金山召开的第68届国际电子器件大会（IEEE IEDM）上，中国科大国家示范性微电子学
氧化镓功率电子器件领域新进展，入选ISPSD
近日，中国科大微电子学院龙世兵教授课题组两篇论文入选第34届功率半导体器件和集成电路国际会议（ISPSD，全称为：IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs）。ISPSD是功率半导体器件和集成电路领域国际顶级
专家：美“芯片法案”扰乱全球半导体供应链－终将反噬自身
美国日前正式推出《2022芯片与科学法案》（以下简称“芯片法案”），旨在通过巨额产业补贴和遏制竞争的霸道条款，推动芯片制造“回流”本土。不少业内专家表示，这一法案将科技和经贸问题“武器化”,扰乱全球半导体供应链，终将反噬美国自身。 逆潮流 反规律 经济全球化不断迈进，芯片产业在世界范围内建立起跨
“芯片法案”配合限令，14nm一下半导体禁运！
8月9日消息，据外媒报道，半导体设备大厂科磊 (KLA) 执行长Rick Wallace 证实，已收到美国政府限制出口中国大陆14nm以下先进制程半导体设备的备忘录！Wallace指出，科磊在中国的营收占总营收29%，对新限制措施很担心。近日，科磊公布其截至2022年6月30日的2022财年第四财季
备受看好的氧化镓材料是什么来头？－（二）
行业的领先厂商 既然这个材料拥有这么领先的性能，自然在全球也有不少的公司投入其中。首先看日本方面，据半导体行业观察了解，京都大学投资的Flosfia、NICT和田村制作所投资的Novel Crystal是最领先的Ga2O3供应商。 相关资料显示，Flosfia成立于20
闲置和充电难并存－电动汽车发展陷充电怪圈
就在全国电动车充电站如雨后春笋般涌现，甚至大部分处于闲置的同时，消费者却因担忧充电难而对新能源车望而却步。 记者近日调研发现，借着新能源车“十城千辆”计划的东风，各地政府和企业纷纷上马电动车配套项目，但新能源汽车市场进展的极为缓慢，使得闲置成为当前大部分充电站的现状。然而，充电难的问题却依
高功率半导体激光峰值功率计
该产品广泛应用于直接测量大口径高速半导体激光的峰值功率。 产品特点 探测器的接收口径为Φ70mm，抗激光损伤阈值高 显示器可直接数字显示出测量的峰值功率值 通过显示器上的波形输出接口连接示波器可以观察脉冲波形 仪器操作简单、体积小巧、环境适应性强 技术指标
电动汽车传导充电连接装置及充电桩计量测试标准
GB/T 18487.1-2015 《电动汽车传导充电系统通用要求》 GB/T 20234.1-2015 《电动汽车传导充电用连接装置通用要求》 GB/T 20234.2-2015 《电动汽车传导充电用连接装置交流接口》 GB/T 20234.3-2015 《电动汽车传导充电用
半导体两大原材料浅析
半导体原料共经历了三个发展阶段：第一阶段是以硅 （Si）、锗 （Ge） 为代表的第一代半导体原料；第二阶段是以砷化镓 （GaAs）、磷化铟 （InP） 等化合物为代表；第三阶段是以氮化镓 （GaN）、碳化硅 （SiC）、硒化锌 （ZnSe） 等宽带半导体原料为主。第三代半导体原料具有
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（二）
最近接连有消息报道，在美国和欧洲，氮化镓和碳化硅技术除了在军用雷达领域和航天工程领域得到了应用，在电力电子器件市场也有越来越广泛的渗透。氮化镓/碳化硅技术与传统的硅技术相比，有哪些独特优势？ 大家最近都在谈论摩尔定律什么时候终结？硅作为半导体的主要材料在摩尔定律的规律下已经走过了50多
半导体届爆炸新闻，德州仪器获328亿美国芯片法案补贴及贷款
美国拜登政府宣布，德州仪器（TI）公司将获得《芯片法案》16亿美元的补贴和30亿美元的贷款，这是旨在促进美国半导体制造业发展的计划的最新重大激励举措。美国商务部声明，这笔资金将用于支付德州仪器犹他州一家工厂和得克萨斯州两家工厂的费用。到2029年，这些项目将耗资约180亿美元。预计这项努力将创造
云系统让电动汽车彼此点对点充电
美国研究人员在《科学报告》杂志刊发论文称，他们提出了一种点对点系统，让电动汽车能够通过一个基于云的控制系统相互匹配，在行驶途中给其他电动汽车充电。该系统如果能够实施，不仅能为电动汽车车主带来更多便利，也有助全社会节能减排。 美国电动汽车的市场总额预计将从2021年的282.4亿美元增长到202
电动汽车充电为何不尽人意
电池之忧 标准之困 家用之限 电动汽车充电为何不尽人意 图为国内最大电动汽车充电站近日在安徽芜湖建成。 芜 讯 摄 □ 本报记者 杜 吟/文 今年6月，在电动汽车获得国家补贴试点政策的强力推进下，充电站建设的“暗战”也在如期拉开，引起了各方更多的关注。 “电池安全之
氮化镓半导体材料的应用前景
对于GaN材料，长期以来由于衬底单晶没有解决，异质外延缺陷密度相当高，但是器件水平已可实用化。1994年日亚化学所制成1200mcd的 LED，1995年又制成Zcd蓝光（450nmLED），绿光12cd(520nmLED);日本1998年制定一个采用宽禁带氮化物材料开发LED的 7年规划，其目标是
北京定电动汽车充电站标准－首批充电站年底运行
在上周末举办的“第三届新能源汽车发展论坛”上，北京市技术质量监督局负责人透露，本市已在全国率先制定出电动汽车充电站标准，提出了本市在建设充电站选址的要求以及充电站的基本功能、充电站的构成以及充电站应符合的技术要求，明确了充电站的施工和验收标准，以确保今年年底前本市能
北京启动电动汽车充电设施大规模建设
北京今年将首次大规模建设新能源汽车充电桩，今年内将完成1000个公用快充桩布局建设，覆盖中心城区和近郊，日前公布了新能源汽车候选车型。 2月25日，北京市发改委高技术处处长费翔表示，新能源小客车充电设施主要分为自用和公用两大类。近期发布的管理细则将明确新能源小客车自用充电设施的充电条件确认
－电动汽车无线充电技术获重大进展
美国橡树岭国家实验室（ORNL）研究团队日前在电动汽车无线充电技术方面获得重大进展。一个20千瓦的无线充电系统充电效率达到90%，充电速度是通常使用的插电式电动汽车设备的三倍，这将有助于加快电动汽车的推广使用。 据物理学家组织网近日报道，橡树岭国家实验室电力电子团队主管马杜·臣萨瓦里说：“几年
关于锂电电动汽车的正确充电方法介绍
1、现在电动汽车充电器都是三段式充电，分为恒压阶段、恒流阶段、涓流阶段。前两阶段是充电的重要阶段，完毕之后电池基本充满，灯会变绿，进入涓流阶段，保护电池这时不要拔下电源，继续充电1-2小时，可有效新增电池寿命，但是变绿后不要超过8小时。 2、电动汽车锂离子电池充电时不要用杂物覆盖充电器，电池附
电动汽车推广：停车充电要两不误
“目前已知的一些新能源汽车充电场都是不向社会开放的，比如公交公司的充电场。这些充电场都是已经建好并且可以使用的，但都属于内部设施。对于有意愿购买电动汽车的消费者来说，充电桩数量不多，即使附近有建成的充电场也难以使用。”一位长期关注电动汽车的刘先生对《中国产经新闻》记者表示。 近来，传来了好消息
响应设备更新政策－|－半导体制造工艺、结构与表征解决方案
半导体制造工艺电动汽车等高新技术领域对高效动力转换的需求与日俱增，碳化硅与氮化镓材料扮演关键性角色,有效降低能耗并提升动力转换效率。牛津通过原子层沉积(ALD)与原子层刻蚀(ALE)技术优化了器件工艺。ALD工艺出色的 AlN/Al2O3/SiO2 钝化薄膜有效降低器件中的阈值电压漂移。而ALE低损
氮化镓半导体材料的优点与缺陷
①禁带宽度大（3.4eV），热导率高（1.3W/cm-K），则工作温度高，击穿电压高，抗辐射能力强；②导带底在Γ点，而且与导带的其他能谷之间能量差大，则不易产生谷间散射，从而能得到很高的强场漂移速度（电子漂移速度不易饱和）；③GaN易与AlN、InN等构成混晶，能制成各种异质结构，已经得到了低温下迁
最纯砷化镓半导体面世
美国普林斯顿大学研究人员在《自然·材料》杂志报告称，他们研制出了世界上迄今最纯净的砷化镓。该砷化镓样品的纯度达到每100亿个原子仅含有一个杂质，纯度甚至超过了用于验证一千克标准的世界上最纯净的硅样品。 砷化镓是一种半导体，主要用于为手机和卫星等提供电力。新研究得到的砷化镓样品呈正方形，边长与一
备受看好的氧化镓材料是什么来头？－（一）
日前，据日本媒体报道，日本经济产业省（METI）计划为致力于开发新一代低能耗半导体材料“氧化镓”的私营企业和大学提供财政支持。报道指出，METI将为明年留出大约2030万美元的资金去资助相关企业，预计未来5年的资助规模将超过8560万美元。 众所周知，经历了日美“广场协定”的日本