双波长激光器造就无需紫外光的光刻技术
【导语】计算机芯片中采用光刻技术创建图片来存储信息，光刻技术中紫外光和图片大小有成正比关系，紫外光波长越短，图片越小，短波紫外光条件非常苛刻而且昂贵。近期，John Fourkas，来自美国马里兰大学化学与生命科学学院的化学与生物化学教授，和他的研究小组已经研发出一种新型台式仪器——RAPID光刻仪(通过光致钝化增强分辨率)，使无需使用紫外线制作微型图片成为可能。 图片说明：RAPID光刻仪——John Fourkas及其研究组研发出的技术可创建比人头发丝小2500倍的图片。 制作微型图片的能力，对于计算机芯片的制造和纳米技术其它许多现行的有潜力的应用来说，是非常必要的。然而，通过常用的称为光刻技术的工艺制造较小的图片，需要使用紫外光，因此从事此项研究就非常困难而且昂贵。 John Fourkas，来自美国马里兰大学化学与生命科学学院的化学与生物化学教授，和他的研究小组已经研发出一种新型台式仪器——RA......阅读全文
光刻机原理
光刻机原理是通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到晶圆上，最后形成芯片。就好像原本一个空空如也的大脑，通过光刻技术把指令放进去，那这个大脑才可以运作，而电路图和其他电子元件就是芯片设计人员设计的指令。光刻机就是把芯片制作所
Rapid－DNA－Isolation－from－Phyllanthus－Amarus－and－Other－Plant－Tissues
Procedure Preheat Extraction Buffer at 60°C. Weigh 100 mg of fresh leaf tissue and grind it to powder in Liquid Nitrogen in a chilled mortar an
快速粘度分析仪Rapid－Visco－Analyser—RVA
RVA快速粘度分析仪系列：RVA super4, RVA4, Techmaster, RVA starchmaster. 技术参数： RVA Super-4 升降温速率：升/降温速率均可达到14℃/分钟 温度范围：0---99 ℃ 温
快速粘度分析仪Rapid－Visco－Analyser—RVA
RVA快速粘度分析仪系列：RVA super4, RVA4, Techmaster, RVA starchmaster. 技术参数： RVA Super-4 升降温速率：升/降温速率均可达到14℃/分钟 温度范围：0---99 ℃ 温度偏差：+-0.3℃ a
快速粘度分析仪Rapid－Visco－Analyser—RVA
升降温速率：升/降温速率均可达到14℃/分钟 温度范围：0---99 ℃ 温度偏差：+-0.3℃ at 25℃ 粘度范围：20~35000 cP at 80 rpm 转速范围：20~2000rpm 粘度单位：20~35,000 cp at 80 rpm； 10~17
ELGA－LabWater技术说明：紫外光的抑菌作用
紫外光的杀菌效果与曝光强度(uwatt.sec/cm2)成正比。曝光度在3000-12000 uwatt.sec/cm2有显著的杀菌效果，可杀死99.9%的细菌。所有在实验室水系统中使用的紫外灯都使用低压水银灯，发出的紫外光线主要在254nm.紫外灯是装在水箱中还是循环管路中？水纯化系统中，紫外灯
紫外光谱技术在食品分析中的应用
紫外光谱技术在食品分析中的应用“民以食为天，食以安为先”，食品安全关乎人们健康和国计民生．由质量问题引起的食品安全事故越来越多，所以急需对农副食品品质进行快速无损检测． 紫外光谱技术在检测食品中一些威胁人们健康的因素方面有着重要作用． 紫外光谱技术是化学分析中常用的一种方法，被广泛用于有机、生化、石
宽刀雕细活－我国造出新式光刻机
11月29日，中科院光电技术研究所承担的国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收，这是世界上首台用紫外光源实现了22纳米分辨率的光刻机。 光刻机相当于一台投影仪，将精细的线条图案投射于感光平板，光就是一把雕刻刀。但线条精细程度有极限——不能低于光波长的一半。“光太胖，门缝太窄，
热扫描探针光刻技术消除二维半导体材料
二维半导体材料，比如二硫化钼（MoS2），表现出了诸多新奇的特性，从而使其具有应用于新型电子器件领域的潜力。目前，研究人员常用电子束光刻的方法，在此类仅若干原子层厚的材料表面定域制备图形化电极，从而研究其电学特性。然而，采用此类方法常遇到的问题之一是二维半导体材料与金属电极之间为非欧姆接触，且
安捷伦Agilent－RapID－便携拉曼系统有什么特点？
安捷伦RapID 便携式拉曼光谱系统--穿透包装制药原辅料快速鉴别 RapID 是新一代便携式拉曼光谱技术，用于制药企业原辅料鉴别，将高通量光谱分析从无色透明包装扩展到有色容器、不透明包装。 传统制药企业原辅料鉴别工作，是药品生产过程中的瓶颈，需对样品逐个打开包装、取样、测试，再重
马来西亚RAPID项目常压装置点火投产
从中国石化新闻办获悉，由中国石化总承包的马来西亚RAPID项目龙头装置1500万吨/年常压蒸馏装置（CDU）已于近日正式点火投产。 据介绍，位于马来西亚国柔佛州边加兰地区的RAPID项目，是马来西亚国家石油公司投资的超大型炼油和化工一体化项目。项目整体投资达270亿美元，是马来西亚近20年投资
rapid－CS－cube：新方法测定碳硫
德国Elementar公司推出的rapid CS cube，是最新型的快速碳硫分析仪，可分析煤、化学品、土壤/废弃物等环境样品中的碳和硫。相比于传统的、把样品放入坩埚入炉燃烧的碳硫分析仪，新型的rapid CS cube把样品包裹入锡舟中。这种方式使样品可以很容易地通过样品进料器把样品送入垂直燃
光刻机的分类
光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动 A 手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了； B 半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐； C 自动： 指的是 从基板的上载下载，曝光时长和循
光刻机是什么
光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System.Photolithography（光刻） 意思是用光来制作一个图形（工艺）；在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电
光刻机工作原理
1、测量台、曝光台：是承载硅片的工作台。2、激光器：也就是光源，光刻机核心设备之一。3、光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。4、能量控制器：控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。5、光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。6
光刻机的种类
a.接触式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。接触式，根据施加力量的方式不同又分为：软接触，硬接触和真空接触。 1.软接触 就是把基片通过托盘吸附住（类似于匀胶机的基片放置方式），掩膜盖在基片上面； 2.硬接
光刻机工作原理
1、测量台、曝光台：是承载硅片的工作台。2、激光器：也就是光源，光刻机核心设备之一。3、光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。4、能量控制器：控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。5、光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。6
光刻机是什么
光刻机又名掩模对准曝光机、曝光系统、光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。光刻机的种类可分为：接触式曝光、接近式曝光、投影式曝光。 光刻机的工作原理是通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补
光刻机是什么
1、光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System.2、一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。3、Photolithogra
什么是光刻机
光刻机（Mask Aligner）是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备。其分为两种，一种是模板与图样大小一致的contact aligner，曝光时模板紧贴晶圆；另一种是利用类似投影机原理的stepper，获得比模板更小的曝光图样。高端光刻机被称为“现代光学工业之花”，制造难度很大，全
光刻法的功能介绍
如彩色滤光膜制作时颜料分散法和染色法采用的光刻法。它是将颜料或染料分散在感光胶中，通过掩膜曝光，被曝光部分感光胶聚合，变成非水溶性胶膜在显影时留下，其余部分被冲洗掉，如此重复3次，形成三色彩色滤光膜。
光刻胶软烘
软烘的目的是去掉光刻胶中的溶剂、增强光刻胶的粘附性、释放旋转涂胶产生的内应力、改善线宽控制、防止光刻胶粘附到其他器件上。软烘在真空热板上进行，软烘设备工作原理如图2.17所示，硅片放在真空热板上，热量从硅片背面通过热传导方式加热光刻胶。一般软烘温度为85~120℃，时间为30~60S。软烘后将硅片转
光刻机的概述
光刻机（Mask Aligner）是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备。其分为两种，一种是模板与图样大小一致的contact aligner，曝光时模板紧贴晶圆；另一种是利用类似投影机原理的stepper，获得比模板更小的曝光图样。高端光刻机被称为“现代光学工业之花”，制造难度很大
激光刻划的定义
中文名称激光刻划英文名称laser grooving and scribing定 义利用聚焦后高能量密度的激光束，对被加工表面刻槽或划线的方法。应用学科机械工程（一级学科），光学仪器（二级学科），激光器件和激光设备-激光应用（三级学科）
佳能光刻机共享
仪器名称：佳能光刻机仪器编号：80424600产地：日本生产厂家：日本型号：PLA-500出厂日期：198004购置日期：198004所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>光刻工艺放置地点：微电子所新所一楼微纳平台光刻间固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-62781090,1
光刻机怎么制作
第一步：制作光刻掩膜版（Mask Reticle）芯片设计师将CPU的功能、结构设计图绘制完毕之后，就可将这张包含了CPU功能模块、电路系统等物理结构的“地图”绘制在“印刷母板”上，供批量生产了。这一步骤就是制作光刻掩膜版。光刻掩膜版：（又称光罩，简称掩膜版），是微纳加工技术常用的光刻工艺所使用的图
紫外光谱技术与科学应用研讨会召开
1月15日，由中国科学院南京天文光学技术研究所主办的紫外光谱技术与科学应用研讨会召开。30余位专家学者参加了此次研讨会。研讨会旨在促进相关领域的应用与研究交流，探讨紫外光谱设备在天文、大气等科学领域的发展趋势和应用融合，推动紫外光谱技术的发展与创新。南京天光所、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
欧盟纳米压印光刻技术实现低成本批量生产感应薄膜
纳米结构传感器阵列（NSA），以其在单一检测装置有效检测样品中分子或分子一部分的大面积多参数传感优势，而在制药业、环保等其它行业得到广泛应用。但直到目前，其实验室规模小批量生产导致相对较高的制造成本，一定程度上限制了新兴技术在更大范围内的商业化推广应用。欧盟第七研发框架计划（FP7）提供490
攻克“光源中的光源”，中国芯走上新道路
当前，芯片问题广受关注，而半导体工业皇冠上的明珠——以极紫外（EUV）光刻机为代表的高端光刻机，则是我国集成电路（IC）产业高质量发展必须迈过的“如铁雄关”。 如何在短期内加快自主生产高端光刻机的步伐，打破国外的技术封锁和市场垄断？笔者认为，应找准关键技术，攻克核心设备，跻身上游产业。认清光刻关
紫外光谱原理
在紫外光谱中，波长单位用nm（纳米）表示。紫外光的波长范围是10～380 nm，它分为两个区段。波长在10～200 nm称为远紫外区，这种波长能够被空气中的氮、氧、二氧化碳和水所吸收，因此只能在真空中进行研究工作，故这个区域的吸收光谱称真空紫外，由于技术要求很高，目前在有机化学中用途不大。波长在20