双波长激光器造就无需紫外光的光刻技术
【导语】计算机芯片中采用光刻技术创建图片来存储信息，光刻技术中紫外光和图片大小有成正比关系，紫外光波长越短，图片越小，短波紫外光条件非常苛刻而且昂贵。近期，John Fourkas，来自美国马里兰大学化学与生命科学学院的化学与生物化学教授，和他的研究小组已经研发出一种新型台式仪器——RAPID光刻仪(通过光致钝化增强分辨率)，使无需使用紫外线制作微型图片成为可能。 图片说明：RAPID光刻仪——John Fourkas及其研究组研发出的技术可创建比人头发丝小2500倍的图片。 制作微型图片的能力，对于计算机芯片的制造和纳米技术其它许多现行的有潜力的应用来说，是非常必要的。然而，通过常用的称为光刻技术的工艺制造较小的图片，需要使用紫外光，因此从事此项研究就非常困难而且昂贵。 John Fourkas，来自美国马里兰大学化学与生命科学学院的化学与生物化学教授，和他的研究小组已经研发出一种新型台式仪器——RA......阅读全文
紫外光谱原理
在紫外光谱中，波长单位用nm（纳米）表示。紫外光的波长范围是10～380 nm，它分为两个区段。波长在10～200 nm称为远紫外区，这种波长能够被空气中的氮、氧、二氧化碳和水所吸收，因此只能在真空中进行研究工作，故这个区域的吸收光谱称真空紫外，由于技术要求很高，目前在有机化学中用途不大。波长在20
紫外光谱原理
紫外可见吸收光谱产生的原理紫外可见吸收光谱是由于分子（或离子）吸收紫外或者可见光（通常200-800 nm）后发生价电子的跃迁所引起的。由于电子间能级跃迁的同时总是伴随着振动和转动能级间的跃迁，因此紫外可见光谱呈现宽谱带。紫外可见吸收光谱的横坐标为波长（nm）,纵坐标为吸光度。紫外可见吸收光谱有两个
新型光刻机加紧研制，未来芯片技术或将迎来变革
据悉，全球最先进的光刻机厂商ASML正在开发一款新版本的EUV光刻机，研制成功后它将是世界上最先进的芯片制造设备。该光刻机名为High NA，目前第一台机器正在研发之中，预计摇到2023年才会提供先行体验，可以让芯片制造商更快地学习如何使用。客户可以在 2024 年和 2025 年将以此进行自己的研
半导体行业探讨：EUV技术与HighNA－EUV的光刻革命
EUV（极紫外光刻）技术在半导体行业备受瞩目。据ASML公布的2023年第三季度报告，EUV光刻机的预定额从5亿欧元猛增至第四季度的56亿欧元，预计将在2025年前后交付。这一技术由日本工程师木下博夫提出，经过几十年的发展，ASML成为唯一能够量产EUV光刻机的厂商。EUV技术相对传统DUV技术具有
我国科研团队完成一种新型光刻胶技术初步验证
4月2日，记者从华中科技大学获悉，该校与湖北九峰山实验室组成联合研究团队，突破“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术。相关成果日前发表在《化学工程杂志》上。据介绍，这一具有自主知识产权的光刻胶体系已在生产线上完成了初步工艺验证，并同步完成了各项技术指标的检测优化，实现了从技术开发到成果转
手持光刻机如何使用
手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了；光刻（photolithography）工艺是将掩膜版（光刻版）上的几何图形转移到晶圆表面的光刻胶上。首先光刻胶处理设备把光刻胶旋涂到晶圆表面，再经过分步重复曝光和显影处理之后，在晶圆上形
投影式光刻机简介
投影式光刻机一般采用步进-扫描式曝光方法。光源并不是一次把整个掩模上的图形投影在晶圆上，曝光系统通过一个狭缝式曝光带（slit）照射在掩模上，载有掩模的工件台在狭缝下沿着一个方向移动，等价于曝光系统对掩模做了扫描，与掩模的扫描同步，晶圆沿相反的方向以1/4的速度移动。现代光刻机中，掩模扫描的速度
佳能光刻机共享应用
仪器名称：佳能光刻机仪器编号：80424600产地：日本生产厂家：日本型号：PLA-500出厂日期：198004购置日期：198004所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>光刻工艺放置地点：微电子所新所一楼微纳平台光刻间固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-62781090,1
光刻机原理是什么
光刻机原理是什么，为何在我国如此重要？一台EUV光刻机售价一亿美金以上，比很多战斗机的售价都要贵。先进的光刻机必须要用到世界上最先进的零件和技术，并且高度依赖供应链全球化，荷兰的ASML用了美国提供的世界上最好的极紫外光源，德国蔡司世界上最好的镜片和光学系统技术，还有瑞典提供的精密轴承。另外，为了给
光刻机的曝光度
a.接触式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。接触式，根据施加力量的方式不同又分为：软接触，硬接触和真空接触。1.软接触 就是把基片通过托盘吸附住（类似于匀胶机的基片放置方式），掩膜盖在基片上面；2.硬接触 是将基片
光刻机有哪些品牌？
光刻机的品牌众多，根据采用不同技术路线的可以归纳成如下几类： 高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常在十几纳米至几微米之间，高端光刻机号称世界上最精密的仪器，世界上已有7000万美金的光刻机。高端光刻机堪称现代光学工业之花，其制造难度之大，全世界只有少数几家公司能够制
激光刻划的功能介绍
中文名称激光刻划英文名称laser grooving and scribing定 义利用聚焦后高能量密度的激光束，对被加工表面刻槽或划线的方法。应用学科机械工程（一级学科），光学仪器（二级学科），激光器件和激光设备-激光应用（三级学科）
一文读懂半导体制程技术进步的“燃料”——光刻胶
一文读懂半导体制程技术进步的“燃料”——光刻胶 光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括：光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。光刻胶可以通过光化学反应，经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上。依据
微流控芯片的加工技术
一、光刻（lithography）和刻蚀技术（etching）1.光刻工艺光刻是用光刻胶、掩模和紫外光进行微制造 ，工艺如下 ：①仔细地将基片洗净;②在干净的基片表面镀上一层阻挡层 ，例如铬、二氧化硅、氮化硅等;③再用甩胶机在阻挡层上均匀地甩上一层几百 A厚的光敏材料——光刻胶。光刻胶的实际厚度与它
新型光刻机提升微纳实用制造水平
中科院光电技术研究所微电子专用设备研发团队，近日自主研制成功紫外纳米压印光刻机。该机器将新型纳米压印高分辨力光刻技术与紫外光刻技术有机结合，成本仅为国外同类设备的1/3，并在同一加工平台上实现了微米到纳米级的跨尺度图形加工，使我国微纳实用制造水平迈上新的台阶。 光刻机是实现微纳图形加工的专用高
上海微系统所等晶圆级高精度瞬态生物光刻研究获进展
近日，中国科学院上海微系统所传感技术国家重点实验室陶虎课题组，联合复旦大学附属华山医院神经外科、江苏科技大学蚕业研究所等研究机构的科研人员，开发出对紫外光敏感且分子量均一的蚕丝蛋白轻链溶液，并基于该溶液，结合传统紫外光刻工艺，实现了晶圆级高精度绿色瞬态生物光刻。相关成果以Precise Prot
基于紫外光谱分析的水质监测技术分析
从当今水环境的具体情况来看，水质污染现象不容小觑，这同时也作为世界各国需要共同处理的问题。因此，怎样采取有效的措施对水体污染现象加以控制，使水资源可以得到恰当的使用，是目前水资源使用中人们迫切关注的话题。采取科学合理的水质检测，能够在最短的时间检查出水体的具体情况，这一检测结果对相关人员制定合理的解
2024上海光刻胶展「2024中国大型光刻胶博览会」
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
中紫外直接光刻设备研制成功
近日，一种新型的中紫外直接光刻机由中国科学院光电技术研究所微电子专用设备研发团队在国内研制成功。该设备采用特有的高均匀、高准直中紫外照明技术，结合光敏玻璃材料，实现基于光敏玻璃基底的微细结构直接加工，能够极大简化工艺流程，将有力促进光敏玻璃微细结构的光刻工艺技术“革命”，目前在国内尚未见有此类产
利用三维飞秒激光光刻技术制备纳米晶体结构
材料本身的光学性质不仅取决于其化学性质，还取决于其亚波长结构。由此而来的诸如光子晶体和超材料等，拓展了人们对于光学结构和光学材料的认识，展现出不同于自然材料的新奇现象和功能。然而，在过去的研究中，光学晶体的纳米结构集中于材料的二维表面。这是因为应力诱导的裂纹形成和传播使得高精度的三维体积加工具有
什么是紫外光
紫外光，紫外辐射ultravioletlight,ultravioletradiation紫外光波长比可见光短，但比X射线长的电磁辐射。紫外光在电磁波谱中范围波长为10-400nm。这范围内开始于可见光的短波极限，而与长波X射线的波长相重叠。紫外光被划分为A射线、B射线和C射线(简称UVA、UVB和
什么是紫外光
紫外光，紫外辐射ultravioletlight,ultravioletradiation紫外光波长比可见光短，但比X射线长的电磁辐射。紫外光在电磁波谱中范围波长为10-400nm。这范围内开始于可见光的短波极限，而与长波X射线的波长相重叠。紫外光被划分为A射线、B射线和C射线(简称UVA、UVB和
什么是紫外光
紫外光，紫外辐射ultravioletlight,ultravioletradiation紫外光波长比可见光短，但比X射线长的电磁辐射。紫外光在电磁波谱中范围波长为10-400nm。这范围内开始于可见光的短波极限，而与长波X射线的波长相重叠。紫外光被划分为A射线、B射线和C射线(简称UVA、UVB和
紫外光谱是什么
紫外光谱是是带状光谱。在紫外光谱中，波长单位用nm（纳米）表示。紫外光的波长范围是10～380 nm，它分为两个区段。波长在10～200 nm称为远紫外区，这种波长能够被空气中的氮、氧、二氧化碳和水所吸收，因此只能在真空中进行研究工作，故这个区域的吸收光谱称真空紫外。
什么是紫外光
紫外光，紫外辐射ultravioletlight,ultravioletradiation紫外光波长比可见光短，但比X射线长的电磁辐射。紫外光在电磁波谱中范围波长为10-400nm。这范围内开始于可见光的短波极限，而与长波X射线的波长相重叠。紫外光被划分为A射线、B射线和C射线(简称UVA、UVB和
什么是紫外光谱
配合物组成及其稳定常数的测定 定量分析结构分析定性分析应用范围定义紫外光谱是分子中某些价电子吸收了一定波长的电磁波,由低能级跃近到高能级而产生的一种光谱,也称之为电子光谱.。当分子中的电子吸收能量后会从基态跃迁到激发态，然后放出能量（辐射出特征谱线）。回到基态 而辐射出特征普线的波长在紫外区中就叫做
紫外光的辐射
紫外光试验箱就是用来模拟自然光阳中的紫外辐射和冷凝的。这样操作人员就免不了受到紫外辐射的影响，而紫外辐射是对人体会产生伤害的。 紫外辐射主要是对眼睛、面部暴露皮肤有辐射损伤，所以操作人员尽量不要直视灯管以防引起结膜炎。而且在使用时要注意不得使紫外线光源直接照射到人，以防皮肤产生红斑。 紫外光试验
紫外光谱的原理
紫外光谱是一种常用的分析技术，利用紫外光在样品中的吸收特性，来鉴定和分析样品的成分和结构。在紫外光谱仪中，样品受到特定波长的紫外线照射后，会吸收部分紫外光，使得出射光谱中出现吸收峰。这些吸收峰的大小和位置与样品的成分和结构有关，通过紫外光谱的原理对比标准光谱或者实验得到的光谱，可以确定样品的成分和结
去胶设备(等离子光刻)共享应用
仪器名称：去胶设备(等离子光刻)仪器编号：90175600产地：美国生产厂家：DRYTEK型号：MS-5出厂日期：199002购置日期：199003所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-627810
电子束光刻的特点
电子束曝光是用低功率密度的电子束照射电致抗蚀剂，经显影后在抗蚀剂中产生图形的一种微细加工技术。 这种曝光方式分辨率高、掩膜版制作容易、工艺容限大，而且生产效率高，但由于电子束在光刻胶膜内的散射，使得图案的曝光剂量会受到临近图案曝光剂量的影响（即临近效应），造成的结果是，显影后，线宽有所变化或图