半导体／绝缘高分子复合材料研究取得重大突破
中国科学院长春应用化学研究所杨小牛研究员课题组在半导体/绝缘体高分子复合材料研究取得突破，其研究结果被国际著名期刊《先进功能材料》（Advanced Functional Materials 2010, 20, 1714）以“卷首插画”的形式予以重点报道。 在人们的传统观念中，绝缘体会阻碍电荷的传输。因此，一般来讲，在半导体/绝缘体复合材料中，绝缘相往往扮演着降低材料电学性能的角色。然而，近年来人们发现，在特定外场条件下复合材料二维表面处的载流子迁移率并不比预想的差。杨小牛研究员课题组首次在体相半导体/绝缘高分子复合材料中发现并确认了绝缘基质增强的半导体电荷传输现象(Macromolecules 2007, 40, 6579), s随后他们将这一规律推广到无特定外场条件下的三维体系，并用更普适性的物理量—电导率来论证这一点，获得以上研究成果。 通过控制聚噻吩/绝缘聚合物共混物制备过程中结晶和相分离的竞......阅读全文
半导体/绝缘高分子复合材料研究取得重大突破
中国科学院长春应用化学研究所杨小牛研究员课题组在半导体/绝缘体高分子复合材料研究取得突破，其研究结果被国际著名期刊《先进功能材料》（Advanced Functional Materials 2010, 20, 1714）以“卷首插画”的形式予以重点报道。 在人们的传统观念
我国半导体/绝缘高分子复合材料研究取得重大突破
日前，中科院长春应用化学研究所杨小牛研究员课题组在半导体/绝缘体高分子复合材料研究取得重大突破，其研究结果被国际著名期刊《先进功能材料》（Advanced Functional Materials）以“封面论文”的形式给予重点报道。 在传统观念中，绝缘体会阻碍电荷传输，因此一般来讲，
聚合物纳米复合材料研究进展
聚烯烃是一类综合性能优良、应用十分广泛的通用树脂。由于其具有众多的优良特性，其发展十分迅速、应用十分普遍。而粘土作为我国范围内来源丰富、价格低廉等优点也成为科学界研究的目标之一。本文对聚烯烃/粘土纳米复合材料的发展进行了简单的总结。 1. 聚烯烃 聚烯烃是一类由烯烃以及某些环烯烃单独
半导体所等在拓扑绝缘体研究中获进展
拓扑绝缘体是目前凝聚态物理的前沿热点问题之一。它具有独特的电子结构，它在体内能带存在能隙，表现出绝缘体的行为；表面或边界的能带是线性的无能隙的Dirac锥能谱，因而是金属态。这种量子物态展现出丰富而新奇的物性，如量子自旋霍尔效应、磁电耦合、量子反常霍尔效应等。由于这种新奇的物性源
长春应化所发明含有功能端基的共轭高分子材料
5月18日，从中国科学院长春应用化学研究所杨小牛研究组获悉，科研人员发明的“一种含有功能端基的聚(3-丁基噻吩)及其制备方法”获得国家知识产权局授权。 聚（3烷基噻吩）因其优异的光电及加工性能近年来一直是高分子半导体器件等领域研究的热点。而随着研究的深入，其中的聚（3丁基噻吩）的科研价值也逐渐
超高压下半导体材料可变身拓扑绝缘体
一个由中国吉林大学、美国华盛顿卡内基研究所等单位研究人员组成的国际小组合作，通过对一种半导体施加压力，将其转变成了“拓扑绝缘体”(TI)。这是首次用压力逐渐“调节”一种材料，让它变成了拓扑绝缘状态，也为先进电子学应用领域寻找TI材料开辟了新途径。相关论文在线发表于《物理评论快报》上。 拓扑
石墨烯/聚合物复合材料的研究进展
2004年，石墨烯首次被从石墨中成功的剥离出来，以及石墨烯的稳定存在被证实之后，石墨烯/聚合物复合材料才真正意义上步入科研领域的轨道。Yan等人首先用Hummers法制备了氧化石墨烯，然后用肼使其还原成石墨烯，再用过滤的方式形成石墨烯纸，将石墨烯纸浸泡在聚苯胺与过硫酸铵、盐酸的混合溶液中24h，然后
半导体所等在拓扑激子绝缘体相研究中取得进展
上世纪60年代，诺贝尔奖获得者Mott提出激子绝缘相，Mott提出考虑库仑屏蔽效应，在半金属体系中电子-空穴配对而形成激子，可能会导致体系失稳，从而在半金属费米面处打开能隙，形成激子绝缘体状态。但迄今为止，实验上观测激子绝缘体相是一个尚未完全解决的关键科学问题。激子绝缘体相存在及其玻色-爱因斯坦
离子聚合物衍生复合材料光催化研究中取得进展
利用太阳能光催化技术将太阳能转化为化学能，为解决全球能源短缺和环境污染问题提供了一种有前景的方法。负载贵金属纳米粒是一种常用的光催化剂，然而金属纳米粒由于其高的表面能，在制备和催化应用过程中容易发生团聚而失活，如何提高贵金属纳米粒和载体的作用，实现贵金属的高效利用仍然是制约其迅速发展的瓶颈。
新型半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”获得技术ZL
近日挪威科技大学的研究人员成功开发出一种新型半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”，并申请了技术ZL，该复合材料基于石墨烯，具有优异的光电性能，在未来半导体产品市场上将极具竞争性，这种新材料被认作有望改变半导体工业新型设备系统的基础。该项技术成果刊登在美国科学杂志纳米快报上。 以Helge