带上宠物、孩子包机赴美台积电将在美设3纳米晶圆厂？
台积电创办人张忠谋21日早些时候透露，台积电将在美国亚利桑那州设立3纳米先进制程的晶圆厂。消息引发外界关注。台积电当晚对此低调回应称，目前尚无进一步消息。对于台积电可能进一步出走美国，中国国民党前民代蔡正元痛批，民进党当局乐于把台积电变成“美积电”。 据环球网报道报道，其实先前已有外媒报道称台积电将在美国亚利桑那州扩大投资设立3纳米晶圆厂，但当时台积电并未证实。21日张忠谋则首度证实，亚利桑那州厂可能设立3纳米晶圆厂。 台积电在美国的工厂已经建设一年半了，大部分的基础设施都已经修建完成。按照台积电的规划，会在2024年建成投产。 在此之前，台媒传来消息，首批300名台积电员工正在带上宠物，孩子包机赴美。台积电这是不打算回头了吗？台积电从总部运输设备，人员到美国，会造成什么结果？ 台积电员工赴美 美国有世界领先的芯片技术，但大部分的产业优势都集中在芯片设计领域。 高通、英伟达、AMD、苹果等世界级的芯片巨头都是芯片......阅读全文
带上宠物、孩子包机赴美－台积电将在美设3纳米晶圆厂？
台积电创办人张忠谋21日早些时候透露，台积电将在美国亚利桑那州设立3纳米先进制程的晶圆厂。消息引发外界关注。台积电当晚对此低调回应称，目前尚无进一步消息。对于台积电可能进一步出走美国，中国国民党前民代蔡正元痛批，民进党当局乐于把台积电变成“美积电”。 据环球网报道报道，其实先前已有外媒报道称台
机构：至去年，台积电已在12英寸晶圆厂花费约1350亿美元
集微网消息，近日，半导体成本和价格建模领域数据分析机构IC Knowledge对台积电的支出和成本做了分析。多年来，该机构发布跟踪全球所有 12英寸晶圆厂的数据库。他们检查战略成本和价格模型的建模结果，其中一种方法是将台积电12英寸晶圆厂的建模支出与其报告的支出进行比较。下图显示了台积电（TSMC）
台积电扩厂典礼引发民众焦虑，美国高兴坏了
12月26日消息，近期台积电宣布扩大美国投资，外派工程师赴美支援，引发“去台化”疑虑。据中国台湾媒体报道，台积电将于12月29日举行3nm量产暨扩厂典礼，罕见以实际行动宣示持续深耕台湾的决心，化解外界疑虑。 根据台积电发出活动通知显示，预计将于12月29日在台南科学园区的晶圆18厂新建工程基地
台积电建厂美国，纳米级芯片缘尽中国？
台积电位于美国亚利桑那州的新工厂已经基本完成建设，并且即将扩建二期，将会有更大的厂房面积，这也意味着台积电已经将4nm和5nm的生产线正式带到美国，而苹果方面也有动作，CEO库克在公开场合表态，将会从台积电亚利桑那工厂直采芯片，今后多个大厂将会从美国直采4nm和5nm芯片！台积电亚利桑那工厂一期将于
若美国禁令不变，台积电9月14日起断供华为
7月16日，在台积电二季度业绩说明会上，该公司透露，未计划在9月14日之后为华为继续供货。而美国政府5月15日宣布的对华为限制新规将于9月15日生效。 截至发稿，华为方面尚未对此作出回应。 4天前（7月13日），台媒钜亨网曾报道，台积电已向美国政府递交意见书，希望能在华为禁令120天宽限期满
台积电TSMC公司LED照明研发中心完工
随着旗下LED照明研发中心的即将完工，台系半导体制造商台积电TSMC已经将公司之后的发展目标锁定在世界前五了。而目前世界排名前五的LED厂商分别是：飞利浦(Royal Philips Electronics)、欧司朗(Osram)、美国Cree、日亚化学(Nichia)及丰田合成( Toyo
台积电STTMRAM技术细节（二）
图6．Rap和Rp的电阻分布间距在计入寄生电阻时变小为了感测MTJ的电阻，必须在读取期间将其两端的电压通过晶体管N1和N2钳位到一个低值，以避免读取干扰，并对其进行微调以消除感测放大器和参考电流偏移。参考电阻是1T4R配置R？（R p ＋ R ap）／ 2 ＋ R1T，如图7所示。图7．具有微调能力
台积电在日本建立海外最大设计中心
12月1日，据日经中文网报道，台积电今天正式在大阪市开设支援半导体设计的“设计中心”，这是继神奈川县横滨市之后的日本国内第二处设计中心，预计将成为该公司海外最大的一个设计中心。台积电事实上，台积电2020年就在日本横滨市开设了设计中心基地，而且还在广招人才。据悉，包括2023年4月入职的人员在内，该
台积电STTMRAM技术细节（四）
图15． 在－40度时，1M循环后写入误码率小于1 ppm。图16． 热稳定性势垒Eb控制着数据保持能力的温度敏感度，在150℃（1ppm）下数据保留超过10年。在基于自旋的STT－MRAM的许多应用中，磁场干扰是一个潜在的问题。该解决方案是在封装上沉积0．3mm厚的磁屏蔽层，如图16所示，实验表明
台积电STTMRAM技术细节（三）
MRAM写入操作低阻态Rp和高阻态Rap的MRAM写入操作需要如图9所示的双向写入操作。要将Rap状态写到Rp需要将BL偏置到VPP，WL到VREG＿W0，SL到0以写入0状态。要写入1状态，将Rap变成Rp需要反方向的电流，其中BL为0，SL为VPP，WL为VREG＿W1。图9．平行低电阻状态Rp
台积电STTMRAM技术细节（一）
在ISSCC 2020上台积电呈现了其基于ULL 22nm CMOS工艺的32Mb嵌入式STT－MRAM。该MRAM具有10ns的读取速度，1M个循环的写入耐久性，在150度下10年以上的数据保持能力和高抗磁场干扰能力。ULL 22nm STT－MRAM的动机与闪存相比，TSMC的嵌入式STT－MR
1086亿，全球再添一座晶圆厂
当地时间11月23日，三星电子举行新闻发布会，宣布将在美国得克萨斯州的泰勒市新建一座晶圆代工厂。 据国外媒体报道，该生产基地预计投资规模高达170亿美元（约合人民币1085.62亿元），是三星电子在美国的史上最大投资，拟于明年上半年动工建设，并于2024年下半年投入运营。 业界预计，该生产线
特朗普担心半导体卡脖子－对美国建厂台积电提三大条件
在半导体领域，不只是中国担心被卡脖子，美国也一样担心，因为台积电是全球最大也是最先进的晶圆代工厂，生产并不控制在美国人手中。特朗普政府一直希望台积电去美国建厂，不过这事并不容易。 美国是全球半导体技术最强大的国家，没有之一，Intel、GF格芯等公司在美国建有多座半导体工厂，掌握着目前最强大的
台积电5nm－SRAM技术细节解析（三）
图8显示了具有不同位线配置的NBL耦合电平，表明可配置金属电容器C1可以随位线长度调节，从而可以减轻具有不同位线长度的耦合NBL电平的变化。图8．具有不同位线配置的NBL耦合电平。写入辅助的第二种方法是降低单元VDD（LCV）。LCV的常规技术需要强偏置或有源分压器才能在写操作期间调整列式存储单元的
台积电5nm－SRAM技术细节解析（四）
在写操作中，LCV使能信号（LCVEN）变为高电平，它关闭下拉NMOS（N1），以将电荷共享电容器C1与地断开。COL ［n：0］选择一列以关闭P0，并将阵列虚拟电源轨CVDD ［0］与真实电源VDDAI断开。由于金属线电容随存储单元阵列的缩小而缩小，因此它也有利于SRAM编译器设计，并在变
台积电5nm－SRAM技术细节解析（一）
长期以来，技术领先一直是台积电成功的关键。台积电5nm工艺拥有世界上最小的SRAM单元（0．021平方微米），除开创性的器件工艺，例如高迁移率沟道（HMC），极紫外（EUV）图形化的应用外（可在此高级节点上实现更高的良率和更短的生产周期），他们还持续精进其写入辅助（write assist）电路
台积电5nm－SRAM技术细节解析（五）
高迁移率通道通过约18％的驱动电流增益提高了5nm工艺的性能，如图12所示。该技术已在IEDM 2019上进行了详细描述。图12．高迁移率沟道（HMC）性能提升约18％。这种性能提升的例子是用于L1高速缓存应用的高速SRAM阵列在0．85V电压下达到了4．1GHz，如图13 的shmoo图所示。图1
台积电5nm－SRAM技术细节解析（二）
为了降低功耗，一种关键方法是降低SRAM阵列的最小工作电压Vmin。5nm工艺中增加的随机阈值电压变化限制了Vmin，进而限制了功耗的降低。SRAM电压减小趋势如图4所示，其中蓝线表示没有写辅助的Vmin，红线表示有写辅助的Vmin，显示了每一代写辅助的巨大好处。可以看出，从7nm到5nm的Vmin
半导体行业再动荡：台积电被控16项ZL侵权
半导体代工厂格芯（GlobalFoundries，GF）8 月 26 日在美国和德国提出多起诉讼，指控台积电（TSMC）使用的半导体技术侵犯了 16 项 GF 的ZL，并希望美国贸易主管部门发布进口禁令，以停止台积电“侵权”生产的产品进口，并寻求获得“实质性”损害赔偿。台积电否认侵权，并称将积极
中美博弈再度升级！美国全面封锁华为芯片采购
美国当地时间5月15日，美国商务部发布两则针对华为的消息：其一，延长华为临时许可90天。其二，计划升级对华为的管制措施，国外公司只要用美国技术、软件、设备等给华为生产芯片也将受到管制，需先得到美国批准。 就在此次美国推出限制升级之前，5月15日，台积电在官网正式宣布，在美国联邦政府及美国亚利桑
中美博弈再度升级！美国全面封锁华为芯片采购
美国当地时间5月15日，美国商务部发布两则针对华为的消息：其一，延长华为临时许可90天。其二，计划升级对华为的管制措施，国外公司只要用美国技术、软件、设备等给华为生产芯片也将受到管制，需先得到美国批准。 就在此次美国推出限制升级之前，5月15日，台积电在官网正式宣布，在美国联邦政府及美国亚利桑
此芯片非彼芯片！中国“芯”离高端还有很长的路要走
最近嘉楠耘智火了，原因是该公司研发成功量产了全球第一款7纳米芯片。甚至有媒体称，一个中兴倒下去，千千万万个中国芯片公司站起来，这是杭州人的骄傲，是全国13多亿人的骄傲。 但是很多人质疑该7纳米芯片不是用在手机上的，且结构单一无法和苹果、高盛等芯片相比，根据专家了解，这款芯片的诞生还是有一定的意
台积电早期－5nm－测试芯片良率－80％－HVM－（二）
通常情况下，芯片制造商会首先咋移动处理器上小试牛刀，以分摊新工艺的高昂成本吗，比如基于 7nm EUV 的麒麟 990 5G SoC（面积接近 110 平方毫米）。尽管 AMD Zen 2 芯片看起来很大，但并非所有组件都采用 EUV 工艺生产。不过展望未来，它也更适合迁移至 5nm EUV
台积电早期－5nm－测试芯片良率－80％－HVM－（一）
在今天的 IEEE 国际电子器件大会（IEDM 2019）上，台积电概述了其在 5nm 工艺上取得的初步成果。目前，该公司正在向客户提供基于 N7 和 N7P 工艺的产品。但在向 5nm 进发的时候，两者贾昂共享一些设计规则。据悉，与 7nm 衍生工艺相比，N5 新工艺将增加完整的节点，并在
台积电优势不再！－全球首个2nm芯片制造技术发布
蓝色巨人终于开始发力。 5月7日消息，IBM公司周四宣布，其在芯片制程工艺上取得重大突破，声称已打造出全球首个2nm芯片制造技术，为半导体研发再创新的里程碑。 IBM在新闻稿中称，在运行速度方面，与当前许多笔记本电脑和手机中使用的主流7nm芯片相比，IBM的这颗2nm芯片计算速度要快45%，
美芯片禁令再升级，中国半导体业将何去何从？
美国最新的芯片禁令自10月12日生效后，中国半导体业再遭重创。中企若被完全断供14纳米以下的高端芯片，可能冲击到中国在人工智能(AI)和新能源车等产业的领先优势。尤其受限于新规，部分美籍高管传出已撤离中企晶圆厂，更直接命中中国半导体业的要害。市场观察人士说，美国禁令升级对中国的短期冲击非常大，“美国
台积电都得排队抢购，什么企业订单一直到2023年？
由于半导体芯片产能紧缺，作为全球第一大晶圆代工厂的台积电此前宣布三年内投资1000亿美元，约合6300多亿人民币，主要用于建设新一代的3nm、2nm芯片厂，盖长的需求太高，现在连建筑用的砖块都要抢购了。据《财讯》报道，这两年芯片产能紧缺，但是比芯片产能更缺的还有一种建材——白砖，连台积电都得排队抢购
台积电－2700－亿在美设厂遭质疑：“一场毫无道理的投资”
作为世界上最大的先进计算机芯片制造商，台积电正在升级和扩建位于美国亚利桑那州的一家新工厂，该工厂有望帮助美国走向更加独立自主的技术未来。台积电在美国建厂然而，对于台积电内部的一些人来说，这个规模达到 400 亿美元 (约合 2758 亿元人民币) 的投资项目却是另外一回事：一个糟糕的商业决策。根据外
芯片法案出台|美国狂砸520亿美元，只为一枚“美国芯”
拜登为扶持“美国制造”再添一把火。北京时间8月9日晚，美国总统拜登正式签署《芯片和科学法案》（下称“芯片法案”）。该项立法包括对美国芯片行业给予超过520亿美元（约合3512亿元人民币）的补贴，用于鼓励在半导体芯片制造，其中还包括价值约24亿美元的芯片工厂的投资税收抵免，以及支持对芯片领域的持续研究
台积电2024年4月起将在日本兴建第二座工厂
IT之家 7 月 11 日消息，台积电已在日本熊本设厂，预计 2024 年量产。董事长刘德音则表示，目前正评估设第二座厂，建厂地点还会在熊本，仍以成熟制程为主 日刊工业新闻称，台积电计划明年 4 月起在日本熊本县兴建第二家工厂，并希望在 2026 年底前投产。 据介绍，第二工厂将主要生产 1