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半导体代工厂格芯（GlobalFoundries，GF）8 月 26 日在美国和德国提出多起诉讼，指控台积电（TSMC）使用的半导体技术侵犯了 16 项 GF 的专利，并希望美国贸易主管部门发布进口禁令，以停止台积电“侵权”生产的产品进口，并寻求获得“实质性”损害赔偿。台积电否认侵权，并称将积极应诉。 尽管案件主要的被告方是台积电，但一些与台积电有关的厂商都被列入了被告名单，GF 要求法院阻止这些厂商将侵权产品进口到美国和德国，包括 6 家芯片设计厂商苹果、博通、联发科、英伟达、高通和赛灵思；10 家消费产品制造商 Arista、华硕、BLU、思科、谷歌、海信、联想、摩托罗拉、TCL、一加；以及 3 家电子元件分销商 Avnet / EBV、Digi-key 和 Mouser。 这场范围广泛的法律攻击有可能中断从智能手机到个人电脑，再到作为互联网主干的交换机和路由器等重要基础设施的供应。这凸显了台积电作为保持现代电子产品......阅读全文
美国当地时间5月15日，美国商务部发布两则针对华为的消息：其一，延长华为临时许可90天。其二，计划升级对华为的管制措施，国外公司只要用美国技术、软件、设备等给华为生产芯片也将受到管制，需先得到美国批准。 就在此次美国推出限制升级之前，5月15日，台积电在官网正式宣布，在美国联邦政府及美国亚利桑
美国当地时间5月15日，美国商务部发布两则针对华为的消息：其一，延长华为临时许可90天。其二，计划升级对华为的管制措施，国外公司只要用美国技术、软件、设备等给华为生产芯片也将受到管制，需先得到美国批准。 就在此次美国推出限制升级之前，5月15日，台积电在官网正式宣布，在美国联邦政府及美国亚利桑
近日，一则内容为“全球首个7纳米（nm）量产芯片在嘉楠耘智诞生”的消息引发了大量关注与热议，文中“领先世界”“弯道超车”等抓人眼球的字眼更是引起半导体行业内人士的质疑。 《中国科学报》记者了解到，发布“全球首款7nm量产芯片”的“嘉楠耘智”系一家比特币矿机厂商（全称为“杭州嘉楠耘智信息科技有限
近日，一则内容为“全球首个7纳米（nm）量产芯片在嘉楠耘智诞生”的消息引发了大量关注与热议，文中“领先世界”“弯道超车”等抓人眼球的字眼更是引起半导体行业内人士的质疑。 发布“全球首款7nm量产芯片”的“嘉楠耘智”系一家比特币矿机厂商（全称为“杭州嘉楠耘智信息科技有限公司”），该厂商对其发
在半导体领域，不只是中国担心被卡脖子，美国也一样担心，因为台积电是全球最大也是最先进的晶圆代工厂，生产并不控制在美国人手中。特朗普政府一直希望台积电去美国建厂，不过这事并不容易。 美国是全球半导体技术最强大的国家，没有之一，Intel、GF格芯等公司在美国建有多座半导体工厂，掌握着目前最强大的
在全球共克时艰的疫情期间，美国特朗普政府却试图用各种手段攻击中国。今年3月美国就叫嚣试图切断华为的芯片供应链，并重点提及台积电。路透社15日最新消息，当前美国商务部不惜牺牲美企利益也要推进这一进程，意图对华为“卡脖子”。美国工业和安全局（BIS）15日宣布了计划，通过限制华为使用美国技术和软件在
美国国家工程院院长Charles M. Vest2月10日在华盛顿宣布，该院新增选一批院士及外籍院士。此次新增院士共65名，外籍院士共9名。至此，美国国家工程院院士已达2227名，外籍院士达到194名。 美国国家工程院是美国工程科技界最高水平的学术机构，成立于1964年12月，是世界上较有
7月16日，在台积电二季度业绩说明会上，该公司透露，未计划在9月14日之后为华为继续供货。而美国政府5月15日宣布的对华为限制新规将于9月15日生效。 截至发稿，华为方面尚未对此作出回应。 4天前（7月13日），台媒钜亨网曾报道，台积电已向美国政府递交意见书，希望能在华为禁令120天宽限期满
随着旗下LED照明研发中心的即将完工，台系半导体制造商台积电TSMC已经将公司之后的发展目标锁定在世界前五了。而目前世界排名前五的LED厂商分别是：飞利浦(Royal Philips Electronics)、欧司朗(Osram)、美国Cree、日亚化学(Nichia)及丰田合成( Toyo
长期以来，技术领先一直是台积电成功的关键。台积电5nm工艺拥有世界上最小的SRAM单元（0．021平方微米），除开创性的器件工艺，例如高迁移率沟道（HMC），极紫外（EUV）图形化的应用外（可在此高级节点上实现更高的良率和更短的生产周期），他们还持续精进其写入辅助（write assist）电路
最近嘉楠耘智火了，原因是该公司研发成功量产了全球第一款7纳米芯片。甚至有媒体称，一个中兴倒下去，千千万万个中国芯片公司站起来，这是杭州人的骄傲，是全国13多亿人的骄傲。 但是很多人质疑该7纳米芯片不是用在手机上的，且结构单一无法和苹果、高盛等芯片相比，根据专家了解，这款芯片的诞生还是有一定的意
由台湾积体电路制造股份有限公司（台积电）与新竹交通大学合作组成的研究团队17日在台北宣布，在共同进行单原子层氮化硼的合成技术上取得重大突破，成功开发出大面积晶圆尺寸的单晶氮化硼成长技术。该成果将于今年3月在国际知名学术期刊《自然》发表。 研究团队负责人之一、新竹交通大学教授张文豪介绍，为了提升
14nm 继续FinFET。下面是英特尔的14nm晶体管的SEM横截面图，大家感受一下，fin的宽度平均只有9nm。当然，在所有后代的技术节点中，前代的技术也是继续整合采用的。所以现在，在业界和研究界，一般听到的晶体管，都被称作high-k/metal gate Ge-strained 14
今年5月份，美国商务部工业与安全局(BIS)宣布，严格限制华为使用美国的技术、软件设计和制造半导体芯片，此举将使得华为进一步被美国出口管控政策所限制。华为中国对此回应，除了胜利，我们已经无路可走。而9月15日，是美国对华为新禁令正式生效的日子。9月15日及以后，包括台积电、高通、三星及SK海力士
在半导体这个领域，许多人只是知道中国一直处于弱势，但是反过来想想，中国需要挑战的是，西方上百年积累起来的工业体系！ 中国半导体一直都是在敌人的炮火中匍匐前进，现在这场无硝烟的战争已经进入白热化阶段，面对国际芯片巨头的围追堵截，令国人“芯”痛不已。 美国的统治地位 1957年，晶体管之父肖克
近来有网络媒体称，“中微半导体自主研制的5纳米等离子体刻蚀机，性能优良，将用于全球首条5纳米芯片制程生产线”，并评论说“中国芯片生产技术终于突破欧美封锁，第一次占领世界制高点”“中国弯道超车”等等。 中微公司的刻蚀机的确水平一流，但夸大阐述其战略意义，则被相关专家反对。刻蚀只是芯片制造多个环节
在当前的显卡市场上，占据80％的NVIDIA公司被玩家爱且恨着——他们带来了最近十多年来最好的显卡，同时也让高端游戏卡的价格高企，发烧显卡至少五位数起。在RTX 30系列显卡发布之后，玩家的不满似乎释然了，相比当前的图灵显卡，安培架构的RTX 3090／3080／3070显卡一下子变得真香了，因为它
随着线宽的微缩，对于黄光微影与蚀刻的挑战当然不在话下，曝光显影的线宽一致性（Uniformity），光阻材料（Photo Resist，PR）的选择，都将会影响到后续蚀刻的结果。蚀刻后导线的线边缘粗糙度（Line Edge Roughness，LER），与导线蚀刻的临界尺寸（Critic
我们生活在一个信息爆炸的时代。遍及世界各地的思想交流非常广泛，每天都会涌现出新的创新产品。因此，在这个时代，更需要了解竞争情报。当今的公司对竞争对手研发实验室中酝酿的内容以及预测市场上将出现什么新颖的应用颇感兴趣，以便确定最佳的反击行动计划。此外，具有创新思想的新参与者正在迅速崛起，其部分原因是过去
纳米制程是什么？ 三星以及台积电在先进半导体制程打得相当火热，彼此都想要在晶圆代工中抢得先机以争取订单，几乎成了 14 纳米与 16 纳米之争，然而 14 纳米与 16 纳米这两个数字的究竟意义为何，指的又是哪个部位？而在缩小制程后又将来带来什么好处与难题？以下我们将就纳米制程
分层施工，逐层架构知道 IC 的构造后，接下来要介绍该如何制作。试想一下，如果要以油漆喷罐做精细作图时，我们需先割出图形的遮盖板，盖在纸上。接着再将油漆均匀地喷在纸上，待油漆乾后，再将遮板拿开。不断的重复这个步骤后，便可完成整齐且复杂的图形。制造 IC 就是以类似的方式，藉由遮盖
芯片如同人体的大脑，遍布我们的手机、电脑、汽车 …… 不可或缺。 或许，你还停留在高端芯片都需要进口的印象中，但央视财经近日的一则报道，让人对 " 中国芯 " 大开眼界—— iPhone7 核心处理器 A10 芯片采用了浙江江丰电子材料股份有限公司的产品，是中国电子产品第一
在物联网快速发展的时代下，传感器行业也迎来了前所未有的市场。传感器受到了国内外厂商的高度重视，而国内传感器厂商其产品开始向高端市场迈进，以获得更好的发展。 高端传感器市场蓬勃发展 随着物联网在各行业的落地，传感器市场面临高速增长。据IHS2015年11月份数据，消费和移动电子市场仍然是驱动M
钨、钽、铌、铼和钼……难熔金属在原子能、航空航天、电子信息和医学诊疗等涉及国家安全和国计民生的高科技领域具有极为重要的用途。但是，近10年来，世界钨工业所消耗的大部分钨资源来自中国，造成我国这类优质战略资源的储藏量大幅下降。 26日，记者从北京理工大学获悉，十年磨一剑，由北京理工大学、中国船舶
7奈米制程节点将是半导体厂推进摩尔定律（Moore’s Law）的下一重要关卡。半导体进入7奈米节点后，前段与后段制程皆将面临更严峻的挑战，半导体厂已加紧研发新的元件设计构架，以及金属导线等材料，期兼顾尺寸、功耗及运算性能表现。 台积电预告2017年第二季10奈米芯片将会量
Brand指出，环形栅极场效应管并没有想象中那么不稳定，它其实非常实用，你甚至可以把它当做FinFET的改良版。实际上它只是在沟道上增加了几个面。Brand不确定环形栅极场效应管是否能在7nm实现，或者在5nm实现，这一切都取决于业界的进展。更决定于公司在降低栅极长度上是否足够激进。
要点：1、虽然每个小组可以优化局部功耗，但单个团队不可能创建出一个低功耗设计。反之，任何一个小组都可能摧毁这种努力。2、功率估计是一种精确的科学。但是，只有当你拥有了一个完整设计和一组正确的矢量后，这种概念才为真。3、对任何问题而言，处理器通常是能效最低的方法，但因为它们具备了功能多重性，一般可以用
14张图看懂半导体工艺演进对DRAM、逻辑器件、NAND三大尖端产品的影响近期笔者在清洗业务研讨会上发表了演讲。我不是一名清洗工艺专家，在演讲中介绍更多的是制造工艺的发展趋势及其对清洗的影响。我将在这篇文章中分享并进一步讨论那次演讲的内容，主要围绕DRAM、逻辑器件和NAND这三大尖端产品。DRAM
自20世纪60年代以来，电子电路上可容纳的元器件数量每两年便增加一倍，这种趋势就是著名的摩尔定律。随着晶体管越来越小，硅芯片上可容纳的元器件数量在不断增加。但目前看来，硅晶体管正接近它的物理极限。只有开发出全新类型的材料和设备，才能释放下一代计算机的潜力。单分子厚晶体管芯片或许能用来驱动下一代计
在芯片全球化的背景下，中国一定要尽最大努力在芯片若干领域掌握核心技术，努力实现一些技术突破，做到“我中有你，你中有我”，才能不再受制于人。 ■本报记者 赵广立 半导体芯片素有“立锥之地布千军”之称，然而就在这“立锥之地”，集结着全球范围内的“千军万马”——从芯片设计到晶圆生产、从芯片制造到封