台积电扩厂典礼引发民众焦虑，美国高兴坏了
12月26日消息，近期台积电宣布扩大美国投资，外派工程师赴美支援，引发“去台化”疑虑。据中国台湾媒体报道，台积电将于12月29日举行3nm量产暨扩厂典礼，罕见以实际行动宣示持续深耕台湾的决心，化解外界疑虑。 根据台积电发出活动通知显示，预计将于12月29日在台南科学园区的晶圆18厂新建工程基地，举行3nm量产暨扩厂典礼，届时将有上梁仪式。值得注意的是，在今年的6月30日，三星电子抢先宣布了3nm GAA技术的量产，并于7月25日举行了3nm GAA制程芯片的出厂仪式。显然，从时间上来看，台积电3nm量产时间比三星晚了近半年。 台积电总裁魏哲家于今年台积电台湾技术论坛中说，3nm技术发展很困难，有好多客户踊跃合作，台积电3nm沿用鳍式场效晶体管（FinFET）架构，是经过考虑良久，制程技术推出不是好看、要实用，要协助客户让产品持续推进。 相较于5nm，台积电3纳米制程技术的逻辑密度将增加70%，在相同功耗下速度提升10%......阅读全文
台积电优势不再！ 全球首个2nm芯片制造技术发布
蓝色巨人终于开始发力。 5月7日消息，IBM公司周四宣布，其在芯片制程工艺上取得重大突破，声称已打造出全球首个2nm芯片制造技术，为半导体研发再创新的里程碑。 IBM在新闻稿中称，在运行速度方面，与当前许多笔记本电脑和手机中使用的主流7nm芯片相比，IBM的这颗2nm芯片计算速度要快45%，
台积电早期 5nm 测试芯片良率 80% HVM （一）
在今天的 IEEE 国际电子器件大会（IEDM 2019）上，台积电概述了其在 5nm 工艺上取得的初步成果。目前，该公司正在向客户提供基于 N7 和 N7P 工艺的产品。但在向 5nm 进发的时候，两者贾昂共享一些设计规则。据悉，与 7nm 衍生工艺相比，N5 新工艺将增加完整的节点，并在
台积电早期 5nm 测试芯片良率 80% HVM （二）
通常情况下，芯片制造商会首先咋移动处理器上小试牛刀，以分摊新工艺的高昂成本吗，比如基于 7nm EUV 的麒麟 990 5G SoC（面积接近 110 平方毫米）。尽管 AMD Zen 2 芯片看起来很大，但并非所有组件都采用 EUV 工艺生产。不过展望未来，它也更适合迁移至 5nm EUV
台积电TSMC公司LED照明研发中心完工
随着旗下LED照明研发中心的即将完工，台系半导体制造商台积电TSMC已经将公司之后的发展目标锁定在世界前五了。而目前世界排名前五的LED厂商分别是：飞利浦(Royal Philips Electronics)、欧司朗(Osram)、美国Cree、日亚化学(Nichia)及丰田合成( Toyo
台积电在日本建立海外最大设计中心
12月1日，据日经中文网报道，台积电今天正式在大阪市开设支援半导体设计的“设计中心”，这是继神奈川县横滨市之后的日本国内第二处设计中心，预计将成为该公司海外最大的一个设计中心。台积电事实上，台积电2020年就在日本横滨市开设了设计中心基地，而且还在广招人才。据悉，包括2023年4月入职的人员在内，该
台积电STT-MRAM技术细节（四）
图15． 在－40度时，1M循环后写入误码率小于1 ppm。图16． 热稳定性势垒Eb控制着数据保持能力的温度敏感度，在150℃（1ppm）下数据保留超过10年。在基于自旋的STT－MRAM的许多应用中，磁场干扰是一个潜在的问题。该解决方案是在封装上沉积0．3mm厚的磁屏蔽层，如图16所示，实验表明
台积电STT-MRAM技术细节（二）
图6．Rap和Rp的电阻分布间距在计入寄生电阻时变小为了感测MTJ的电阻，必须在读取期间将其两端的电压通过晶体管N1和N2钳位到一个低值，以避免读取干扰，并对其进行微调以消除感测放大器和参考电流偏移。参考电阻是1T4R配置R？（R p ＋ R ap）／ 2 ＋ R1T，如图7所示。图7．具有微调能力
台积电STT-MRAM技术细节（三）
MRAM写入操作低阻态Rp和高阻态Rap的MRAM写入操作需要如图9所示的双向写入操作。要将Rap状态写到Rp需要将BL偏置到VPP，WL到VREG＿W0，SL到0以写入0状态。要写入1状态，将Rap变成Rp需要反方向的电流，其中BL为0，SL为VPP，WL为VREG＿W1。图9．平行低电阻状态Rp
台积电STT-MRAM技术细节（一）
在ISSCC 2020上台积电呈现了其基于ULL 22nm CMOS工艺的32Mb嵌入式STT－MRAM。该MRAM具有10ns的读取速度，1M个循环的写入耐久性，在150度下10年以上的数据保持能力和高抗磁场干扰能力。ULL 22nm STT－MRAM的动机与闪存相比，TSMC的嵌入式STT－MR
台积电扩厂典礼引发民众焦虑，美国高兴坏了
12月26日消息，近期台积电宣布扩大美国投资，外派工程师赴美支援，引发“去台化”疑虑。据中国台湾媒体报道，台积电将于12月29日举行3nm量产暨扩厂典礼，罕见以实际行动宣示持续深耕台湾的决心，化解外界疑虑。 根据台积电发出活动通知显示，预计将于12月29日在台南科学园区的晶圆18厂新建工程基地
台积电建厂美国，纳米级芯片缘尽中国？
台积电位于美国亚利桑那州的新工厂已经基本完成建设，并且即将扩建二期，将会有更大的厂房面积，这也意味着台积电已经将4nm和5nm的生产线正式带到美国，而苹果方面也有动作，CEO库克在公开场合表态，将会从台积电亚利桑那工厂直采芯片，今后多个大厂将会从美国直采4nm和5nm芯片！台积电亚利桑那工厂一期将于
台积电5nm SRAM技术细节解析（三）
图8显示了具有不同位线配置的NBL耦合电平，表明可配置金属电容器C1可以随位线长度调节，从而可以减轻具有不同位线长度的耦合NBL电平的变化。图8．具有不同位线配置的NBL耦合电平。写入辅助的第二种方法是降低单元VDD（LCV）。LCV的常规技术需要强偏置或有源分压器才能在写操作期间调整列式存储单元的
台积电5nm SRAM技术细节解析（五）
高迁移率通道通过约18％的驱动电流增益提高了5nm工艺的性能，如图12所示。该技术已在IEDM 2019上进行了详细描述。图12．高迁移率沟道（HMC）性能提升约18％。这种性能提升的例子是用于L1高速缓存应用的高速SRAM阵列在0．85V电压下达到了4．1GHz，如图13 的shmoo图所示。图1
台积电5nm SRAM技术细节解析（二）
为了降低功耗，一种关键方法是降低SRAM阵列的最小工作电压Vmin。5nm工艺中增加的随机阈值电压变化限制了Vmin，进而限制了功耗的降低。SRAM电压减小趋势如图4所示，其中蓝线表示没有写辅助的Vmin，红线表示有写辅助的Vmin，显示了每一代写辅助的巨大好处。可以看出，从7nm到5nm的Vmin
台积电5nm SRAM技术细节解析（一）
长期以来，技术领先一直是台积电成功的关键。台积电5nm工艺拥有世界上最小的SRAM单元（0．021平方微米），除开创性的器件工艺，例如高迁移率沟道（HMC），极紫外（EUV）图形化的应用外（可在此高级节点上实现更高的良率和更短的生产周期），他们还持续精进其写入辅助（write assist）电路
台积电5nm SRAM技术细节解析（四）
在写操作中，LCV使能信号（LCVEN）变为高电平，它关闭下拉NMOS（N1），以将电荷共享电容器C1与地断开。COL ［n：0］选择一列以关闭P0，并将阵列虚拟电源轨CVDD ［0］与真实电源VDDAI断开。由于金属线电容随存储单元阵列的缩小而缩小，因此它也有利于SRAM编译器设计，并在变
半导体行业再动荡：台积电被控16项ZL侵权
半导体代工厂格芯（GlobalFoundries，GF）8 月 26 日在美国和德国提出多起诉讼，指控台积电（TSMC）使用的半导体技术侵犯了 16 项 GF 的ZL，并希望美国贸易主管部门发布进口禁令，以停止台积电“侵权”生产的产品进口，并寻求获得“实质性”损害赔偿。台积电否认侵权，并称将积极
带上宠物、孩子包机赴美 台积电将在美设3纳米晶圆厂？
台积电创办人张忠谋21日早些时候透露，台积电将在美国亚利桑那州设立3纳米先进制程的晶圆厂。消息引发外界关注。台积电当晚对此低调回应称，目前尚无进一步消息。对于台积电可能进一步出走美国，中国国民党前民代蔡正元痛批，民进党当局乐于把台积电变成“美积电”。 据环球网报道报道，其实先前已有外媒报道称台
若美国禁令不变，台积电9月14日起断供华为
7月16日，在台积电二季度业绩说明会上，该公司透露，未计划在9月14日之后为华为继续供货。而美国政府5月15日宣布的对华为限制新规将于9月15日生效。 截至发稿，华为方面尚未对此作出回应。 4天前（7月13日），台媒钜亨网曾报道，台积电已向美国政府递交意见书，希望能在华为禁令120天宽限期满
台积电都得排队抢购，什么企业订单一直到2023年？
由于半导体芯片产能紧缺，作为全球第一大晶圆代工厂的台积电此前宣布三年内投资1000亿美元，约合6300多亿人民币，主要用于建设新一代的3nm、2nm芯片厂，盖长的需求太高，现在连建筑用的砖块都要抢购了。据《财讯》报道，这两年芯片产能紧缺，但是比芯片产能更缺的还有一种建材——白砖，连台积电都得排队抢购
台积电2024年4月起将在日本兴建第二座工厂
IT之家 7 月 11 日消息，台积电已在日本熊本设厂，预计 2024 年量产。董事长刘德音则表示，目前正评估设第二座厂，建厂地点还会在熊本，仍以成熟制程为主 日刊工业新闻称，台积电计划明年 4 月起在日本熊本县兴建第二家工厂，并希望在 2026 年底前投产。 据介绍，第二工厂将主要生产 1
把芯片“命根”拿捏的死死的，台积电新突破意外助力大陆
目前，台积电作为全球芯片代工业的领头羊，为增强自身的核心竞争力，一直在未雨绸缪，近期更是在1纳米芯片生产线上实现破冰。不过，有趣的是，台积电这一新的突破，却无形中提升了我国半导体产业的地位，因为它的“命根”很大程度上为大陆掌控。 众所周知，前几年美国向我们中国扔出禁止纸片芯片的禁令，台积电突然
消息称索尼将与台积电打造半导体工厂：日本补贴一半
据位不具名的知情人士，台积电和索尼计划在日本西部熊本县投资兴建一座价值8000亿日元（约合71.4亿美元）的半导体工厂。 消息人士们透露，工厂将位于索尼所有的土地上，与索尼的图像传感器工厂毗邻。索尼可能持有负责管理该工厂的一家新公司的少数股权，工厂计划于2023或2024年投入运营，将生产用于
机构：至去年，台积电已在12英寸晶圆厂花费约1350亿美元
集微网消息，近日，半导体成本和价格建模领域数据分析机构IC Knowledge对台积电的支出和成本做了分析。多年来，该机构发布跟踪全球所有 12英寸晶圆厂的数据库。他们检查战略成本和价格模型的建模结果，其中一种方法是将台积电12英寸晶圆厂的建模支出与其报告的支出进行比较。下图显示了台积电（TSMC）
台积电 2nm 制程报价直逼 2.5 万美元，新品价格持续走高
IT之家 6 月 27 日消息，据台媒《电子时报》援引 IC（集成电路，即芯片行业 / 半导体行业）从业者报道表示，当前台积电 2nm 制程业务已经与厂商展开合作洽谈，尽管半导体产业目前处于逆风，台积电仍然维持强势状态。 业内人士称，在 3nm 制程报价维持 2 万美元上下的同时，将于 20
芯片等电聚焦分离
芯片等电聚焦分离蛋白质的原理与常规毛细管等电聚焦基本相同，都是依据蛋白质的等电点(pI)不同而进行分离。Hofmann等首次将毛细管等应用于蛋白质分析。Li等在PDMS芯片和聚碳酸酯(PC)芯片上，采用等电聚焦模式分离厂牛血清白蛋白和增强型绿色荧光蛋白(EGFP)。Das等。26 3采用高聚物芯片，
特朗普担心半导体卡脖子 对美国建厂台积电提三大条件
在半导体领域，不只是中国担心被卡脖子，美国也一样担心，因为台积电是全球最大也是最先进的晶圆代工厂，生产并不控制在美国人手中。特朗普政府一直希望台积电去美国建厂，不过这事并不容易。 美国是全球半导体技术最强大的国家，没有之一，Intel、GF格芯等公司在美国建有多座半导体工厂，掌握着目前最强大的
台积电 2700 亿在美设厂遭质疑：“一场毫无道理的投资”
作为世界上最大的先进计算机芯片制造商，台积电正在升级和扩建位于美国亚利桑那州的一家新工厂，该工厂有望帮助美国走向更加独立自主的技术未来。台积电在美国建厂然而，对于台积电内部的一些人来说，这个规模达到 400 亿美元 (约合 2758 亿元人民币) 的投资项目却是另外一回事：一个糟糕的商业决策。根据外
“涨价”阴霾萦绕，半导体市场不太平
苹果最近很生气。原因是为苹果代工芯片的台积电，也要涨价了。按照行业流传出来的说法，台积电原先计划按照制程的不同，涨价6%~9%，后来改为涨价3%~6%。不要小看这不到10个百分点的涨幅，对于苹果这种芯片需求较高的企业来说，可是多出了一笔不小的开销。 反对台积电涨价的企业不止苹果，近期业内又传出消息，
台积电第三季度可望超车三星 首登全球半导体龙头
全球前三大半导体厂排名大洗牌，据研调机构IC Insights估计，台积电第二季度营收超越英特尔，跃居全球第二位，预期第三季度可望再超越三星，将首度登上半导体龙头宝座。根据IC Insights统计，第二季度三星（Samsung）的半导体营收226.23亿美元，为全球最大半导体厂。台积电营收181.