台积电TSMC公司LED照明研发中心完工
随着旗下LED照明研发中心的即将完工，台系半导体制造商台积电TSMC已经将公司之后的发展目标锁定在世界前五了。而目前世界排名前五的LED厂商分别是：飞利浦(Royal Philips Electronics)、欧司朗(Osram)、美国Cree、日亚化学(Nichia)及丰田合成( Toyoda Gosei)。 另外台积电透露，公司旗下的LED照明研发中心在2010年底竣工，2011年就将正式进入量产阶段。另外在基板制程方面台积电将采用硅为基础，同时充分利用量产带来的成本优势，而放弃其它LED厂商普遍采用的蓝宝石基板制程，以此生产自有品牌LED光源、光引擎产品。 尽管业内大多数对明年液晶电视背光的需求普遍看好，但是台积电方面却认为较高的价格将使得2011年该机型的市场份额低于今年，除非LED背光电视价格有大幅的下降，否则其份额将不会达到40%。 背光液晶电视需求的上涨为LED业界带来了新希望，为了赶上这一班......阅读全文
台积电TSMC公司LED照明研发中心完工
随着旗下LED照明研发中心的即将完工，台系半导体制造商台积电TSMC已经将公司之后的发展目标锁定在世界前五了。而目前世界排名前五的LED厂商分别是：飞利浦(Royal Philips Electronics)、欧司朗(Osram)、美国Cree、日亚化学(Nichia)及丰田合成( Toyo
液晶背光红外测温仪工作原理介绍
红外测温仪 型号:HAD-T105 HAD-T105红外测温仪 简介 此产品为专业型红外测温仪。用于非接触测量物体的表面温度。例如，一个移动的物体、带电的不便于接触的物体、或者高温等难于靠近的物体的表面温度的测量。 HAD-T105红外测温仪产品特点 高低温报警
LED照明将成主流
吉姆·皮耶罗邦 如果你还不了解LED灯的最新发展趋势，那么现在正是最佳时机。LED——发光二极管灯泡正成为美国和西欧大部分国家家喻户晓的词汇，并且将很快红及中国和其他国家。 最新消息显示，低效白炽灯将全面退出美国市场。根据美国国会通过的白炽灯禁令，美国家庭最喜欢使用的40和 60
台积电STTMRAM技术细节（一）
在ISSCC 2020上台积电呈现了其基于ULL 22nm CMOS工艺的32Mb嵌入式STT－MRAM。该MRAM具有10ns的读取速度，1M个循环的写入耐久性，在150度下10年以上的数据保持能力和高抗磁场干扰能力。ULL 22nm STT－MRAM的动机与闪存相比，TSMC的嵌入式STT－MR
台积电STTMRAM技术细节（四）
图15． 在－40度时，1M循环后写入误码率小于1 ppm。图16． 热稳定性势垒Eb控制着数据保持能力的温度敏感度，在150℃（1ppm）下数据保留超过10年。在基于自旋的STT－MRAM的许多应用中，磁场干扰是一个潜在的问题。该解决方案是在封装上沉积0．3mm厚的磁屏蔽层，如图16所示，实验表明
台积电在日本建立海外最大设计中心
12月1日，据日经中文网报道，台积电今天正式在大阪市开设支援半导体设计的“设计中心”，这是继神奈川县横滨市之后的日本国内第二处设计中心，预计将成为该公司海外最大的一个设计中心。台积电事实上，台积电2020年就在日本横滨市开设了设计中心基地，而且还在广招人才。据悉，包括2023年4月入职的人员在内，该
台积电STTMRAM技术细节（三）
MRAM写入操作低阻态Rp和高阻态Rap的MRAM写入操作需要如图9所示的双向写入操作。要将Rap状态写到Rp需要将BL偏置到VPP，WL到VREG＿W0，SL到0以写入0状态。要写入1状态，将Rap变成Rp需要反方向的电流，其中BL为0，SL为VPP，WL为VREG＿W1。图9．平行低电阻状态Rp
台积电STTMRAM技术细节（二）
图6．Rap和Rp的电阻分布间距在计入寄生电阻时变小为了感测MTJ的电阻，必须在读取期间将其两端的电压通过晶体管N1和N2钳位到一个低值，以避免读取干扰，并对其进行微调以消除感测放大器和参考电流偏移。参考电阻是1T4R配置R？（R p ＋ R ap）／ 2 ＋ R1T，如图7所示。图7．具有微调能力
洛阳空港布局LED照明产业
中光能源科技有限公司LED大功率照明项目今日在洛阳市空港产业集聚区正式竣工投产。 洛阳中光能源科技有限公司是一家集生产、研发、设计、安装于一体的高新技术企业。他们把产品的“创新”列为企业竞争市场、超常规发展的核心要求，设立了高水准的产业研发和试验检测中心，并建立了国内一流的测光暗房。他们引
台积电扩厂典礼引发民众焦虑，美国高兴坏了
12月26日消息，近期台积电宣布扩大美国投资，外派工程师赴美支援，引发“去台化”疑虑。据中国台湾媒体报道，台积电将于12月29日举行3nm量产暨扩厂典礼，罕见以实际行动宣示持续深耕台湾的决心，化解外界疑虑。 根据台积电发出活动通知显示，预计将于12月29日在台南科学园区的晶圆18厂新建工程基地
土壤肥力测定仪采用液晶中文大屏幕背光显示
产品简介:采用液晶中文大屏幕背光显示，中文菜单智能提示操作，内含70多种农作物配方施肥专家软件系统,可以直接计算并打印出zui佳施肥配方方案。可检测土壤、植株、化学肥料、生物肥料等样品中的速效氮、速效磷、有效钾、全氮、全磷、全钾、有机质含量，土壤酸碱度及土壤含盐量。旋转比色测试装置，可同时测多个样品
液晶显示流量积算仪
三通道输入，具有三路流量积算功能的无纸记录仪。仪表可输入标准电流、标准电压、热电偶、热电阻、频率等信号，可提供传感器配电输出和模拟量变送输出、继电器触点输出。直接连接微型打印机，打印用户指定时间的实时，历史数据和曲线；通过RS232通讯接口与便携计算机、掌上电脑（PDA）连接，直接读取仪表历
台积电5nm－SRAM技术细节解析（三）
图8显示了具有不同位线配置的NBL耦合电平，表明可配置金属电容器C1可以随位线长度调节，从而可以减轻具有不同位线长度的耦合NBL电平的变化。图8．具有不同位线配置的NBL耦合电平。写入辅助的第二种方法是降低单元VDD（LCV）。LCV的常规技术需要强偏置或有源分压器才能在写操作期间调整列式存储单元的
台积电5nm－SRAM技术细节解析（五）
高迁移率通道通过约18％的驱动电流增益提高了5nm工艺的性能，如图12所示。该技术已在IEDM 2019上进行了详细描述。图12．高迁移率沟道（HMC）性能提升约18％。这种性能提升的例子是用于L1高速缓存应用的高速SRAM阵列在0．85V电压下达到了4．1GHz，如图13 的shmoo图所示。图1
台积电5nm－SRAM技术细节解析（二）
为了降低功耗，一种关键方法是降低SRAM阵列的最小工作电压Vmin。5nm工艺中增加的随机阈值电压变化限制了Vmin，进而限制了功耗的降低。SRAM电压减小趋势如图4所示，其中蓝线表示没有写辅助的Vmin，红线表示有写辅助的Vmin，显示了每一代写辅助的巨大好处。可以看出，从7nm到5nm的Vmin
台积电5nm－SRAM技术细节解析（一）
长期以来，技术领先一直是台积电成功的关键。台积电5nm工艺拥有世界上最小的SRAM单元（0．021平方微米），除开创性的器件工艺，例如高迁移率沟道（HMC），极紫外（EUV）图形化的应用外（可在此高级节点上实现更高的良率和更短的生产周期），他们还持续精进其写入辅助（write assist）电路
台积电5nm－SRAM技术细节解析（四）
在写操作中，LCV使能信号（LCVEN）变为高电平，它关闭下拉NMOS（N1），以将电荷共享电容器C1与地断开。COL ［n：0］选择一列以关闭P0，并将阵列虚拟电源轨CVDD ［0］与真实电源VDDAI断开。由于金属线电容随存储单元阵列的缩小而缩小，因此它也有利于SRAM编译器设计，并在变
广东首创LED照明产品标杆指数
在我国战略性新兴产业LED照明领域，产业标准滞后于技术发展的困扰，有了突破瓶颈的新思路。广东首创的LED照明产品标杆指数，6月23日在广东省中山市召开的“广东省LED照明产品标杆指数发布会”上正式推出。作为LED产业大省的广东，在全国率先实施LED路灯技术质量的动态评估。 世
LED创意新品照明展上受宠
第18届广州国际照明展览会日前在中国进出口商品交易会广州开幕，东莞市石龙富华电子有限公司(以下简称“UE Electronic”)展出的创意新品“三合一调光功能高效室内LED驱动电源”等备受客商青睐。在B区12.2展厅，在各式的展位之中能看到D50区域人潮涌动，“UE Electroni
半导体行业再动荡：台积电被控16项ZL侵权
半导体代工厂格芯（GlobalFoundries，GF）8 月 26 日在美国和德国提出多起诉讼，指控台积电（TSMC）使用的半导体技术侵犯了 16 项 GF 的ZL，并希望美国贸易主管部门发布进口禁令，以停止台积电“侵权”生产的产品进口，并寻求获得“实质性”损害赔偿。台积电否认侵权，并称将积极
广东LED照明产业标准技术联盟成立
广东省LED照明标准技术联盟成立了。同时，广东还将建立LED照明产业标准化公共平台。 记者昨天获悉，该平台将主要做好LED照明技术的前瞻性研究，集中力量攻关一批关键共性技术，并将形成的工艺、方法和检测标准在联盟内部先行先试，从而带动我省LED照明产业快速发展。 专家
韩国：低碳绿色推动LED照明产业
采用LED照明的韩国大型超市。 韩国是一个资源贫国，约97%的能源依赖进口，能源短缺和油价上涨制约着韩国经济和社会的发展。节能已经成为韩国最重要的国家战略之一。因而，具有重大节能和环保意义的LED产业备受韩国政府重视。2008年，韩国就提出将“低碳绿色成长”作为未来的国家战略，而其中LED产业
植物照明：LED节能多效果显著
目前我们的生活环境面临着越来越多的严峻问题，全球暖化趋于严重，粮食短缺也日益恶化，因此近年LED光源运用在植物粮食栽培，建立“植物工厂”蔚为潮流，光电协进会产业分析师范怀仁指出，LED植物工厂照明年产值成长率达62%，台厂包括亿光(2393- TW)、新世纪(3383-TW)、晶电(2448
LED照明可节省多达85％的能源
在日前结束的联合国可持续发展大会(里约+20峰会)上，气候组织发布的一项全球性技术试验结果显示，LED道路照明能够节省多达85%的能源。 作为里约+20峰会倡导的“清洁革命”运动的一部分，该报告由气候组织携手飞利浦共同完成，旨在支持“清洁革命”的主张，即以相对较小的成本在几乎一夜的时间里节
台积电优势不再！－全球首个2nm芯片制造技术发布
蓝色巨人终于开始发力。 5月7日消息，IBM公司周四宣布，其在芯片制程工艺上取得重大突破，声称已打造出全球首个2nm芯片制造技术，为半导体研发再创新的里程碑。 IBM在新闻稿中称，在运行速度方面，与当前许多笔记本电脑和手机中使用的主流7nm芯片相比，IBM的这颗2nm芯片计算速度要快45%，
台积电早期－5nm－测试芯片良率－80％－HVM－（二）
通常情况下，芯片制造商会首先咋移动处理器上小试牛刀，以分摊新工艺的高昂成本吗，比如基于 7nm EUV 的麒麟 990 5G SoC（面积接近 110 平方毫米）。尽管 AMD Zen 2 芯片看起来很大，但并非所有组件都采用 EUV 工艺生产。不过展望未来，它也更适合迁移至 5nm EUV
台积电早期－5nm－测试芯片良率－80％－HVM－（一）
在今天的 IEEE 国际电子器件大会（IEDM 2019）上，台积电概述了其在 5nm 工艺上取得的初步成果。目前，该公司正在向客户提供基于 N7 和 N7P 工艺的产品。但在向 5nm 进发的时候，两者贾昂共享一些设计规则。据悉，与 7nm 衍生工艺相比，N5 新工艺将增加完整的节点，并在
带上宠物、孩子包机赴美－台积电将在美设3纳米晶圆厂？
台积电创办人张忠谋21日早些时候透露，台积电将在美国亚利桑那州设立3纳米先进制程的晶圆厂。消息引发外界关注。台积电当晚对此低调回应称，目前尚无进一步消息。对于台积电可能进一步出走美国，中国国民党前民代蔡正元痛批，民进党当局乐于把台积电变成“美积电”。 据环球网报道报道，其实先前已有外媒报道称台
智能腐蚀测试仪的LED背光2.8寸彩色智能控制仪清晰显示
智能腐蚀测试仪/腐蚀测试仪/智能腐蚀检测仪/腐蚀率仪 型号:H134626 一．产品特性 1）产品特性及应用 * LED背光2.8寸彩色智能控制仪，清晰显示而功耗更低。 * 同时具有三种曲线： 实时曲线：直观显示过去和现在发生了什么。 历史曲线：可查询运行期间任一时间段曲线图。
液晶显示流量积算仪的特点简介
液晶显示流量积算仪是以先进的CPU为核心，基于智能化、数字化、网络化设计思想，辅以大规模集成电路、大容量FLASH存储、信号智能调理、SmartBus总线以及高分辨率图形液晶显示器的新型智能化无纸记录仪。 液晶显示流量积算仪具有体积小、通道多、功耗低、精度高、通用性强、运行稳定、可靠性高等特点