适用集成电路片上微电池问世3D全息光刻技术打造
通过结合3D全息光刻和2D光刻技术，美国伊利诺伊大学厄巴纳—香槟分校的科学家日前开发出一种适用于大规模集成电路的高性能3D微电池。研究人员称，这种微型高能电池具有极其优异的性能和可扩展性，为人们提供了无限的想象空间，有望让很多设备小型化应用成为现实。相关论文发表在美国《国家科学院学报》上。 负责此项研究的伊利诺伊大学材料与工程学教授保罗·布劳恩说，由于小型化储能技术一直以来都是一个难题，微型设备通常都由片外电池或电源提供能源。其难点主要在于3D电极，这种电极十分复杂，在普通电池上实现的难度都比较大，更不用说片上集成。新技术成功突破了难关，让很多重要的应用成为了可能。 论文第一作者、伊利诺伊大学材料与工程学院研究生宁海龙（音译）称，他们采用了一种能够与现有微电子制造高度兼容的技术，开发出这种微型3D锂离子电池。在制造电极时，他们先用3D全息光刻技术来界定电极的内部结构，再用2D光刻技术塑造电极的外部形状......阅读全文
光刻技术与纳米光刻简介
距离理查德·菲利普斯·费曼著名的演讲“There’s plenty of room at the bottom”有将近60年历史。在他的论文中，他曾问到：“我们怎么样写小？”在今天的科学技术研究中，仍有同样的问题。虽然自上世纪60年代以来，科研技术已经大大进步，半导体行业中使用的线宽已经大幅度下
光刻技术与纳米光刻简介
距离理查德·菲利普斯·费曼著名的演讲“There’s plenty of room at the bottom”有将近60年历史。在他的论文中，他曾问到：“我们怎么样写小？”在今天的科学技术研究中，仍有同样的问题。虽然自上世纪60年代以来，科研技术已经大大进步，半导体行业中使用的线宽已经大幅度下
光刻技术与纳米光刻简介
距离理查德·菲利普斯·费曼著名的演讲“There’s plenty of room at the bottom”有将近60年历史。在他的论文中，他曾问到：“我们怎么样写小？”在今天的科学技术研究中，仍有同样的问题。虽然自上世纪60年代以来，科研技术已经大大进步，半导体行业中使用的线宽已经大幅度下
光刻垄断难解，技术难在哪？
经常听说，高端光刻机不仅昂贵而且还都是国外的，那么什么是光刻机呢？上篇我们聊了从原材料到抛光晶片的制成过程，今天我们就来聊聊什么是光刻～第一步骤的晶体生长机晶片的制造，我们上篇已经聊过了。今天我们要聊的是光刻，我们先简单聊一聊硅的氧化（热氧化），刻蚀的话我们后面再讲。硅的氧化其中包含了在分立器件和集
光刻技术首次绘出银纳米结构
德国柏林亥尔姆茨材料和能源研究中心与联邦材料测试与研究机构合作，首次在银材料底层上完成光刻纳米结构，为未来光计算机数据处理、新型电子器件制造开辟了新的途径。这项成果刊登在美国化学学会的《应用材料和界面》杂志上。 要想在材料表面获得精细结构图样，最佳选择是采用电子显微镜扫描技术，利用电子束在其
极紫外光刻新技术问世
据日本冲绳科学技术大学院大学（OIST）官网最新报告，该校设计了一种极紫外（EUV）光刻技术，超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源，其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一，从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。 在传统光学系统中，例如照相机、望远镜和
适用集成电路片上微电池问世－3D全息光刻技术打造
通过结合3D全息光刻和2D光刻技术，美国伊利诺伊大学厄巴纳—香槟分校的科学家日前开发出一种适用于大规模集成电路的高性能3D微电池。研究人员称，这种微型高能电池具有极其优异的性能和可扩展性，为人们提供了无限的想象空间，有望让很多设备小型化应用成为现实。相关论文发表在美国《国家科学院学报》上。 负
适用集成电路片上微电池问世－3D全息光刻技术打造
通过结合3D全息光刻和2D光刻技术，美国伊利诺伊大学厄巴纳—香槟分校的科学家日前开发出一种适用于大规模集成电路的高性能3D微电池。研究人员称，这种微型高能电池具有极其优异的性能和可扩展性，为人们提供了无限的想象空间，有望让很多设备小型化应用成为现实。相关论文发表在美国《国家科
我国纳米光刻技术研究取得突破
日前，中科院光电技术研究所微光刻技术与微光学实验室首次提出基于微结构边际的LSP超分辨光刻技术。该技术利用微纳结构边际作为掩模图形，对表面等离子体进行有效激发，其采用普通I-line、G-line光源获得了特征尺寸小于30纳米的超分辨光刻图形。 据相关负责人介绍，传统的微光刻工艺采用尽可能
美开发出热蘸笔纳米光刻技术
据美国物理学家组织网11月7日报道，美国科学家首次厘清了温度在蘸笔纳米光刻技术中的作用，据此研制出的热蘸笔纳米光刻技术能在物质表面构造大小为20纳米的结构。借助这一技术，科学家们能廉价地在多种材料表面构造和种植出纳米结构，用以制造电路和化学传感器，或者研究药物如何依附于蛋白质和病
电工所科技前沿论坛“微光刻与电子束光刻技术”开讲
从1958年世界第一块平面集成电路到2012年04月24日英特尔在北京天文馆正式发布核心代号为Ivy Bridge的第三代酷睿处理器—英特尔首款22纳米工艺处理器，短短五十多年，微电子技术一直遵循着摩尔定律，发展势头迅猛。 针对微光刻与电子束光刻技术发展图谱，7月6日，中科院微电子所陈
巧用沾笔纳米光刻技术获得超材料
沾笔纳米光刻工艺示意图 你或许没有想过将坚硬的金属或半导体与柔软的有机物或生物产品结合起来会是何种情景，不过美国科学家可以告诉你的是，他们获得了自然界从没有见过的混合材料，而这些混合材料在医学和制造业中将具有惊人的应用前景。 美国佛罗里达州立大学综合纳米研究所（INSI）的科学家
“极紫外光刻关键技术研究”通过验收
近日，“极紫外（EUV）光刻关键技术研究”项目验收会在中国科学院长春光学精密机械与物理研究所（以下简称长春光机所）召开，验收会由“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项（02专项）实施管理办公室组织。 会上，评审专家组肯定了项目取得的一系列成果，一致同意项目通过验收，认为该项目的
新型激光刻蚀技术将普通金属变成超级材料
飞秒激光在金属表面刻蚀出的层次结构，如铂表面在扫描电子显微镜(SEM)下的图片所示 罗切斯特大学光学院的教授郭春雷研制出了一种用激光让材料具有疏水性的技术， 如图所示，水珠从被该技术处理过的样品表面上滑落。 华盛顿2015年1月20日—纽约罗切斯特大学的研究者们通过用飞秒激光脉冲轰击普通
光刻机原理
光刻机原理： 是利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上得图形复印到薄片上，从而使薄片具有电子线路图的作用。这就是光刻的作用，类似照相机照相。照相机拍摄的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是电路图和其他电子元件。光刻是集成电路最重要的
光刻机原理
光刻机原理是通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到晶圆上，最后形成芯片。就好像原本一个空空如也的大脑，通过光刻技术把指令放进去，那这个大脑才可以运作，而电路图和其他电子元件就是芯片设计人员设计的指令。光刻机就是把芯片制作所
电池技术术语电池储存
锂电池可贮存在环境温度为-5°C—35°C，相对湿度不大于75%的清洁、干燥、通风的室内，应避免与腐蚀性物质接触，远离火源及热源。电池电量保持标称容量的30%到50%。推荐贮存的电池每6个月充电一次。
热扫描探针光刻技术消除二维半导体材料
二维半导体材料，比如二硫化钼（MoS2），表现出了诸多新奇的特性，从而使其具有应用于新型电子器件领域的潜力。目前，研究人员常用电子束光刻的方法，在此类仅若干原子层厚的材料表面定域制备图形化电极，从而研究其电学特性。然而，采用此类方法常遇到的问题之一是二维半导体材料与金属电极之间为非欧姆接触，且
光刻法的功能介绍
如彩色滤光膜制作时颜料分散法和染色法采用的光刻法。它是将颜料或染料分散在感光胶中，通过掩膜曝光，被曝光部分感光胶聚合，变成非水溶性胶膜在显影时留下，其余部分被冲洗掉，如此重复3次，形成三色彩色滤光膜。
激光刻划的定义
中文名称激光刻划英文名称laser grooving and scribing定 义利用聚焦后高能量密度的激光束，对被加工表面刻槽或划线的方法。应用学科机械工程（一级学科），光学仪器（二级学科），激光器件和激光设备-激光应用（三级学科）
光刻机的概述
光刻机（Mask Aligner）是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备。其分为两种，一种是模板与图样大小一致的contact aligner，曝光时模板紧贴晶圆；另一种是利用类似投影机原理的stepper，获得比模板更小的曝光图样。高端光刻机被称为“现代光学工业之花”，制造难度很大
光刻机工作原理
1、测量台、曝光台：是承载硅片的工作台。2、激光器：也就是光源，光刻机核心设备之一。3、光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。4、能量控制器：控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。5、光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。6
佳能光刻机共享
仪器名称：佳能光刻机仪器编号：80424600产地：日本生产厂家：日本型号：PLA-500出厂日期：198004购置日期：198004所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>光刻工艺放置地点：微电子所新所一楼微纳平台光刻间固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-62781090,1
光刻机的分类
光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动 A 手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了； B 半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐； C 自动： 指的是 从基板的上载下载，曝光时长和循
光刻机是什么
光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System.Photolithography（光刻） 意思是用光来制作一个图形（工艺）；在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电
什么是光刻机
光刻机（Mask Aligner）是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备。其分为两种，一种是模板与图样大小一致的contact aligner，曝光时模板紧贴晶圆；另一种是利用类似投影机原理的stepper，获得比模板更小的曝光图样。高端光刻机被称为“现代光学工业之花”，制造难度很大，全
光刻机工作原理
1、测量台、曝光台：是承载硅片的工作台。2、激光器：也就是光源，光刻机核心设备之一。3、光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。4、能量控制器：控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。5、光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。6
光刻胶软烘
软烘的目的是去掉光刻胶中的溶剂、增强光刻胶的粘附性、释放旋转涂胶产生的内应力、改善线宽控制、防止光刻胶粘附到其他器件上。软烘在真空热板上进行，软烘设备工作原理如图2.17所示，硅片放在真空热板上，热量从硅片背面通过热传导方式加热光刻胶。一般软烘温度为85~120℃，时间为30~60S。软烘后将硅片转
光刻机是什么
1、光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System.2、一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。3、Photolithogra
光刻机是什么
光刻机又名掩模对准曝光机、曝光系统、光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。光刻机的种类可分为：接触式曝光、接近式曝光、投影式曝光。 光刻机的工作原理是通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补