一文通解基于VLT技术的新型DRAM内存单元（五）
免除刷新VLT内存单元最明显的优点之一就是不需要刷新。不过，刷新已经成为DRAM作业的一部份了；无论内存处于闲置状态或是被接通，都必须进行刷新操作，以避免数据丢失。完整的DDR控制器状态机说明了刷新对于运作的影响，如图9所示，所有红色的状态都与刷新或者基于刷新的分支相关；而使用了VLT技术，这些状态都是冗余的，而且能够被消除。图9：传统DRAM建置的LPDDR4状态原理图，与刷新有关的状态以及与基于刷新的有关分支状态都被标注为红色，标注为灰色的状态则与接口相关。图10则是一种简化的状态机，其中与刷新有关的状态都已经移除了。在设计基于VLT的内存时，设计者可以选择现有的DDR控制器，因应那些不需要的状态加以调整；也可以设计优化的DDR控制器，省去所有与刷新相关的电路——这种方法将占用更小的芯片面积，以及降低功耗。无论选择哪一种控制器，都不会影响其他系统与内存芯片的互动。图10：移除与刷新相关状态后的LPDDR4状态原理图结语VLT......阅读全文
一文通解基于VLT技术的新型DRAM内存单元（五）
免除刷新VLT内存单元最明显的优点之一就是不需要刷新。不过，刷新已经成为DRAM作业的一部份了；无论内存处于闲置状态或是被接通，都必须进行刷新操作，以避免数据丢失。完整的DDR控制器状态机说明了刷新对于运作的影响，如图9所示，所有红色的状态都与刷新或者基于刷新的分支相关；而使用了VLT技术，这些状态
一文通解基于VLT技术的新型DRAM内存单元（二）
1、半导体产业，设计和制造哪个难度大？制造难度更大些。● 现在兼顾设计和制造的公司比较少；● 只做设计公司很多，一般成为fabless，拥有电脑、软件和设计工程师就可以完成设计，输出设计后交由光罩厂、晶圆流片代工厂、封测厂生产器件。● 只做制造的成为fab厂，门坎较高，一条8英寸晶圆流片生产
一文通解基于VLT技术的新型DRAM内存单元（一）
垂直分层闸流体（Vertical Layered Thyristor；VLT），是Kilopass研发出的新型内存单元，能够显著降低动态随机存取内存（DRAM）的成本和复杂性。这是一种静态的内存单元，无需刷新操作；兼容于现有晶圆厂的制造设备，也无需任何新的材料或工艺。相较于一般的DRAM，VLT
一文通解基于VLT技术的新型DRAM内存单元（三）
LPDDR的运作LPDDR4功能本质上包含四项基本操作：启动、读取、写入和预充电。这些操作的其他变异形式，如突发读取／写入和自动预充电等，可能构成一个更长的指令列表，但并不至于带来新的技术挑战。此外，它还添加了刷新、训练和模式缓存器作业等维护性指令，以因应复杂的操作命令。这些基本的操作简要介
一文通解基于VLT技术的新型DRAM内存单元（四）
VLT内存单元Kilopasss的全新内存单元基于一种垂直分布的闸流体（也被称为半导体控制整流器，或SCR）。这种采取pnpn结构的堆栈建构于一个p－阱上，可带走来自底部n型层的任何空洞。图6：VLT内存单元：带有写入辅助的PMOS晶体管的闸流体在浅沟槽隔离（STI）结构中植入一个埋入式字符
英特尔3D－XPoint内存封装逆向
TechInsights的研究人员针对采用XPoint技术的英特尔Optane内存之制程、单元结构与材料持续进行深入分析与研究。英特尔(Intel)和美光(Micron)在2015年8月推出了3D XPoint，打造出25年以来的首款新型态内存技术。2016年，英特尔发布采用3D XPoin
基于内存计算技术的人工智能芯片问世
通过改变计算的基本属性，美国普林斯顿大学研究人员日前打造的一款专注于人工智能系统的新型计算机芯片，可在极大提高性能的同时减少能耗需求。 该芯片基于内存计算技术，旨在克服处理器需要花费大量时间和能量从内存中获取数据的主要瓶颈，通过直接在内存中执行计算，提高速度和效率。芯片采用了标准编程语言，在依
存内计算，未来智能技术发展必经之路
存内计算由于突破传统冯·诺依曼架构瓶颈，实现了存储单元与逻辑单元的融合，成为实现智能计算的主要技术路线之一，受到业界龙头大厂的高度重视。在近日召开的国际固态半导体电路会议（ISSCC）上，SK海力士发表了基于GDDR接口的DRAM存内计算，台积电共发表（或合作发表）6篇有关存内计算存储器IP的论文。
新型内存可在300℃高温下工作
电子内存设备的性能会随着温度的升高而下降，但美国科学家提出了一种新的内存设计，却需要在超过600开（约327℃）高温下工作。这种纳米热机械存储器（Nano ThermoMechanical memory）利用热而非电，来记录、存储和恢复数据，未来有望应用于空间探索任务、深井钻探、内燃机等多个领域
IBM相变存储技术实现每单元存3比特数据－成本接近闪存
据物理学家组织网报道，IBM苏黎世研发中心的科学家17日宣布，他们在相变存储（PCM）技术领域取得重大突破——首次实现了单个相变存储单元存储3个比特的数据。最新研究有助降低PCM的成本，并有望加快其产业化步伐，最终为物联网时代呈指数级增长的数据提供一种简单且快速的存储方式。 目前的存储器种类包
基于粘附力的新型干细胞分离技术
近日，美国佐治亚理工学院、ARUNA生物医学公司以及密歇根大学等机构的研究人员开发出了一种名为µSHEAR（micro stem cell high-efficiency adhesion-based recovery）的新型干细胞分离技术，这一技术依据的是细胞间容易区分的粘附力物理差异。相关研
新型计算机内存大幅减少能耗
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/6/503686.shtm
阿里达摩院成功研发存算一体AI芯片
达摩院存算一体芯片实拍图。达摩院供图 12月3日，阿里巴巴达摩院（以下简称达摩院）宣布，该院已成功研发存算一体人工智能（AI）芯片。达摩院介绍，该存算一体芯片集成了多项创新技术，是全球首款使用“混合键合3D堆叠技术”实现存算一体的芯片。这一新型架构芯片的诞生，将有望助力存算一体技术从概念走向落地。
基于微波光子技术的构架和路线探讨－（五）
多数微波光子滤波器的原理是基于线性系统的数字信号处理理论，输出微波信号可以表示为每一路经过延时 T 的输入微波信号的叠加，满足如式(3) 其中， N 为抽头数(采样数),为抽头系数。为系统的冲击响应，其可视为 1 个离散时间信号，对其进行离散时间傅里叶变换可得此类微波光
一文读懂21世纪的新型疫苗技术
疫苗开发的新方法包括基于结构的免疫原设计，基于基因的疫苗平台以及具有有效佐剂的重组抗原制剂。这些技术在开发针对全球重要疾病（例如结核病，流感和呼吸道合胞病毒）的疫苗方面取得令人鼓舞的结果。在这里，我们重点介绍了过去 18 个月中这些领域中最重要的发展。图片来源于网络 最成功的疫苗能够针对引起个
一文了解微区XRF，及基于SEM的微区XRF技术
X射线荧光（XRF）是一种用于测定材料元素和涂层系统特性的分析方法，具有悠久的历史，在许多实验室都有应用。传统上，XRF分析大面积或体积的样品。在制备过程中，往往需要对样品材料进行变形和破坏，即制备过程是破坏性的。但很多样品需要在无损的情况下进行检测。这意味着需要将完整的样品放置在仪器中，不可能
基于新型基体的代谢分析
图1. MALDI-MS 方法的功能原理。 Max-Planck化学经济研究所与布拉格捷克科学院的研究人员共同发展了一种新的理论，据此可以从动、植物的组织样品出发，对其新陈代谢产物如脂肪酸、氨基酸、糖或者其他一些有机物进行快速和可靠的检测。该法基于经典的质谱分析（MALDI-TOF
分子蒸馏系统工作知识通解
分子蒸馏是一种特殊的液--液分离技术，它不同于传统蒸馏依靠沸点差分离原理，而是靠不同物质分子运动平均自由程的差别实现分离。 当液体混合物沿加热板流动并被加热，轻、重分子会逸出液面而进入气相，由于轻、重分子的自由程不同，因此，不同物质的分子从液面逸出后移动距离不同，若能恰当地设置一块冷凝板
TPU将成深度学习的未来？（一）
在Google I/O 2016的主题演讲进入尾声时，谷歌的CEO皮采提到了一项他们这段时间在AI和机器学习上取得的成果，一款叫做Tensor Processing Unit（张量处理单元）的处理器，简称TPU。在这个月看来，第一代的TPU处理器已经过时。在昨天凌晨举行的谷歌I/O 2017
半导体的3D时代（五）
DRAM前沿DRAM的电容器结构是高深宽比的“ 3D”器件，与当前的逻辑器件类似，DRAM没有通过堆叠有源元件进行微缩。图12在顶部表中按公司列出了DRAM节点，在图底部是一些关键结构图。图12． DRAM节点。随着DRAM节点前进到低于4x nm的水平，具有埋入式字线的埋入式鞍形鳍访问晶体管开
科学家提出一种单质新原理开关器件
中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠、朱敏研究团队在集成电路存储器研究领域获重大进展，成功研制出一种单质新原理开关器件，为海量三维存储芯片提供了新方案。这项研究成果12月10日发表于《科学》。 集成电路是我国的战略性、基础性和先导性产业，其中存储芯片是集成电路的三大芯片之一，直接关系到国
波通公司新型浆状液体检测单元面市
波通仪器公司推出DA7200近红外分析系统新型检测配件-浆状液体检测单元。此检测单元可6秒钟分析浆状液体的多种参数。清理简单，温水冲洗即可。无故障，检测浆状和其它粘稠液体的准确度高。 可用于所有DA7200分析仪，无需硬件的改进。
新型的基于激光热效应的纤维内微粒精确操控技术
近年来，基于多功能纤维材料科技的快速发展，更多种类的纤维具备了传感、光电转换、能量收集及储存等功能。随着对织物类可穿戴电子产品需求的不断增加，多功能纤维状器件与智能纤维织物为其提供了一种新的解决方案。但目前柔性纤维内部各种功能材料的精确高效定位、连接与组装等难题，阻碍了纤维器件的大规模应用。
文斐：研究解决大型语言模型的存储瓶颈问题
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/4/497858.shtm“由于半导体器件的物理限制，摩尔定律已经难以为继；今后计算机芯片的效率提升将主要来源于体系架构的创新。”华南理工大学计算机科学与工程学院原院长、广东省计算机学会理事长韩国强对《中国科学
新型T细胞疗法有望清除人体内存留的HIV病毒？
抗逆转录病毒疗法（ART）革命性地改变了对艾滋病（AIDS）病原体HIV的治疗，但一度致命的艾滋病仍不能被治愈。HIV不能被彻底清除的主要障碍，是由于HIV的潜伏感染细胞所构成的潜伏储库(reservoir)的存在。处于潜伏状态的HIV多以cDNA的形式整合至宿主基因组中，不易受到高效ART药物
慢速内存和快速内存可“合二为一”
本报讯据美国物理学家组织网1月20日报道，美国北卡罗莱纳州立大学研究人员开发出一种新器件，该技术被认为是计算机内存研发领域取得的重大进步，将使大规模服务器群更节能，并使计算机的启动变得更快。 计算机存储器件传统上具有两种类型。慢速内存器件通常被用于诸如闪存这样的持久性数据存
新研究厘清忆阻器工作时的内部变化
据美国计算机世界网站5月16日报道，惠普公司的科学家在忆阻器的研发上取得新突破，他们弄清楚了忆阻器在电操作期间，其内部的化学性质和结构变化，借此可以改进现有忆阻器的性能。相关研究发表在16日出版的《纳米技术》杂志上。 忆阻器是一种有天然记忆功能的非线性电阻，通过控制电流的变
浅析SRAM和DRAM的真正区别（三）
AI 、5G渴望新内存材料的支持对于所有类型的系统设计者来说，新兴存储技术都变得极为关键。AI和物联网IoT芯片开始将它们用作嵌入式存储器。大型系统已经在改变其架构，以采用新兴的存储器来替代当今的标准存储器技术。这种过渡将挑战行业，但将带来巨大的竞争优势。今天，业界仍在寻找通用存储器，随着S
浅析SRAM和DRAM的真正区别（二）
SRAM如何运作刚才总结到了SRAM有着很特别的优点，你该好奇这家伙是怎样的运作过程？一个SRAM单元通常由4－6只晶体管组成，当这个SRAM单元被赋予0或者1的状态之后，它会保持这个状态直到下次被赋予新的状态或者断电之后才会更改或者消失。SRAM的速度相对比较快，且比较省电，但是存储1bi
浅析SRAM和DRAM的真正区别（一）
随着微电子技术的迅猛发展，SRAM 逐渐呈现出高集成度、快速及低功耗的发展趋势。在半导体存储器的发展中，静态存储器（SRAM）由于其广泛的应用成为其中不可或缺的重要一员。近年来SRAM在改善系统性能、提高芯片可靠性、降低成本等方面都起到了积极的作用。下面EEworld就带你详细了解一下到底什