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当用XPS 测量绝缘体或者半导体时,由于光电子的连续发射而得不到电子补充,使得样品表面出现电子亏损,这种现象称为“荷电效应”。荷电效应将使样品表面出现一稳定的电势Vs,对电子的逃离有一定束缚作用。因此荷电效应将引起能量的位移,使得测量的结合能偏离真实值,造成测试结果的偏差。在用XPS 测量绝缘体或者半导体时,需要对荷电效应所引起的偏差进行校正(荷电校正的目的),称之为“荷电校正”。......阅读全文
当用XPS 测量绝缘体或者半导体时,由于光电子的连续发射而得不到电子补充,使得样品表面出现电子亏损,这种现象称为“荷电效应”。荷电效应将使样品表面出现一稳定的电势Vs,对电子的逃离有一定束缚作用。因此荷电效应将引起能量的位移,使得测量的结合能偏离真实值,造成测试结果的偏差。在用XPS 测量绝缘体或者
最常用的,人们一般采用外来污染碳的C1s 作为基准峰来进行校准。以测量值和参考值(284.8 eV)之差作为荷电校正值(Δ) 来矫正谱中其他元素的结合能。具体操作:1) 求取荷电校正值:C 单质的标准峰位(一般采用284.8 eV)- 实际测得的C 单质峰位= 荷电校正值Δ;2) 采用荷电校正值对其
当用XPS测量绝缘体或者半导体时，由于光电子的连续发射而得不到电子补充，使得样品表面出现电子亏损，这种现象称为“荷电效应”。荷电效应将使样品表面出现一稳定的电势Vs，对电子的逃离有一定束缚作用。因此荷电效应将引起能量的位移，使得测量的结合能偏离真实值，造成测试结果的偏差。在用XPS测量绝缘体或者半导
最常用的，人们一般采用外来污染碳的C1s作为基准峰来进行校准。以测量值和参考值(284.8 eV)之差作为荷电校正值(Δ)来矫正谱中其他元素的结合能。具体操作：1) 求取荷电校正值：C单质的标准峰位(一般采用284.8 eV)-实际测得的C单质峰位=荷电校正值Δ；2)采用荷电校正值对其他谱图进行校正
对于绝缘体样品或导电性能不好的样品,光电离后将在表面积累正电荷,在表面区内形成附加势垒,会使出射光电子的动能减小,亦即荷电效应的结果,使得测得光电子的结合能比正常的要高。样品荷电问题非常复杂,一般难以用某一种方法彻底消除。在实际的XPS分析中,一般采用内标法进行校准。最常用的方法是用真空系统中最常见
对于导电性能不好的样品如半导体材料,绝缘体薄膜,在电子束的作用下,其表面会产生一定的负电荷积累,这就是俄歇电子能谱中的荷电效应.样品表面荷电相当于给表面自由的俄歇电子增加了一定的额外电压, 使得测得的俄歇动能比正常的要高.在俄歇电子能谱中,由于电子束的束流密度很高,样品荷电是一个很严重的问题.有些导
在扫描电镜(SEM)中,通过记录和实时处理电子束辐照样品过程中产生的吸收电流La,评价非导电样品的荷电效应.对于非导电样品,La的绝对值很小,且变化幅度很大,这是电荷在非导电样品表面被捕获、积累和释放过程的直接反映.此外,La还可用来评价荷电补偿(改变环境压力、改变成像参数及对样品表面进行导电处理
1、电子天平称量不准确的故障分析 观测内码值是否稳定，传感器各部位是否有摩擦现象，稳压电源是否稳定，运放电路是否正常，使用砝码测试秤盘四脚秤量是否平均。依照说明书指示，进一步做仪表局部分析或重量校正。 2、电子天平称重物移除后无法回到零点的故障分析 检查传感器输出信号值是否于标准内(A/D的
旋光仪是用来测定光学活性物质旋光能力大小和方向的仪器。光学活性物质可以旋转偏振光平面，其大小和方向除了与该物质结构有关外，还与测定时的温度、所用光的波长、溶液的浓度和溶剂、旋光管的长度等有关。一般单色光源用钠光灯，波长为589nm，以D表示。规定以每毫升溶液所含溶质的克数作为质量浓度的单位。由旋光仪
酸度计电计部分校正符合要求后，校正电部分，同时准备好校正时使用的蒸馏水或去离子水和滤纸等物品。目前标准溶液有7种，一般使用以下3种溶液: 1)邻苯甲酸氢钾(KHC8H4O4) 4.003pH； 2)混合磷酸盆(Na2HPO4) 6.864 pH； 3)硼砂(Na2B4O7· l0H2O) 9.